《Mentor SiP系统级封装设计与仿真》出版与技术答疑！

sexfei

李老师：不知能不能简单说一下制作bondpad的规范（大小等）；bondpad间距设置等；bondpad距离DIE pin的间距最好控制在什么范围（最远、最近），bongpad距离管壳边缘最好控制在多大距离（涉及DIE封胶），谢谢

li_suny

sexfei 发表于 2012-12-12 13:23
李老师：不知能不能简单说一下制作bondpad的规范（大小等）；bondpad间距设置等；bondpad距离DIE pin的间距 ...

这个通常和生产厂家的工艺能力有关系。

# j! ?3 S$ I. I4 i7 v例如bondpad 大小有150*75um，200*90um，300*100um或者更大，塑封Bondpad一般用椭圆形的，而陶瓷封装多采用矩形的或者不规则形状的Bondpad。间距通常和Bondpad的宽度差不多。

bondpad距离DIE pin的间距最远受键合线结构限制，一般不超过3.5mm,最近和芯片高度及键合机的能力有关，这在设置时和生产方要充分沟通。
0 o& q$ i- l( e# Q0 m1 ^$ G和管壳的距离也是如此。主要看在那里生产，相应的规则设置也会不同。

xiesonny

# M/ M) P# W  z9 }. s. a
+ [: ^6 [2 P. C' v- t问一下李老师，EXP中如何方便的剪铜，如果我想先画好想剪的轮廓，可能是复制的图形和线组成的轮廓，并且可以复制的轮廓，到我想剪铜时再剪铜，如何实现，
. J1 W' Z* C2 A, X; X% m+ J我试过“-”那种方式，不方便使用，另外，实用工具中也有一个剪铜功能，但那个方式，是一剪就出来效果了，

li_suny

xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25
问一下李老师，EXP中如何方便的剪铜，如果我想先画好想剪的轮廓，可能是复制的图形和线组成的轮廓，并且可以 ...

; }' V0 D4 A7 B6 `5 x你可以先绘制一个Draw Object类型的图形，只要这个图形是封闭的，无论形状多么复杂，都可以转换成铜。这个图形也可以复制（按住Contrl拖动就可以）。然后选中图形，在属性中直接更改为 plane shape 或者 Conductive Shape即可。

li_suny

xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25
, J9 e3 {2 r; K; f1 j: v. i+ r  O问一下李老师，EXP中如何方便的剪铜，如果我想先画好想剪的轮廓，可能是复制的图形和线组成的轮廓，并且可以 ...

# v# d  E# O7 v: k: W! I. ?看了你的操作过程，觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切，造成了无效的类型，不能被识别，如果换成Draw Object问题就不会有了。当然Draw Object需要绘制成封闭图形（polygon）。

参看下面两图。

xiesonny

li_suny 发表于 2012-12-15 14:49
看了你的操作过程，觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切，造成了无效的类型，不能被识别，如果换 ...

: \/ p( ?5 y/ T. Q2 `# Q谢谢，我再试试

xiesonny

li_suny 发表于 2012-12-15 14:49
. ^9 f. {$ |# a: V& k: g看了你的操作过程，觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切，造成了无效的类型，不能被识别，如果换 ...

2高亮部分如何挖空1
, Z8 U+ o& t" D+ N4 {
0 _2 g( o- l( p! n

8 z9 t0 O% }1 n3 g问题就出在封闭图形上。上图中，高亮部分如果切开一个小口，就能挖空了，问题是，这样的图形就无法挖了吗、

li_suny

xiesonny 发表于 2012-12-15 15:40
! P$ L2 N9 F  S- e  R) H- I; d  f2高亮部分如何挖空1

, g4 K/ Z5 \4 t, q8 R" t这种图形我试了一下，确实无法用加减法处理，我想主要原因是这是非多边形，所以无法挖空。
, X7 U* f8 j/ ~/ K* b
- i  |# u2 b0 {, D可以用先挖外边，再添内部的方法，稍微麻烦了一点，也是一种变通方法。

xiesonny

li_suny 发表于 2012-12-15 22:26
这种图形我试了一下，确实无法用加减法处理，我想主要原因是这是非多边形，所以无法挖空。
( @( N* L+ x- c* |/ P
可以用先挖 ...

呵呵，谢谢李老师的回复，如你所说，要挖出这样的效果是可以的，只是操作麻烦了

li_suny

yth0 发表于 2012-12-10 13:35
嗯，谢谢李工。还有个问题想请教一下李工，我在电子工程网上提问过，但是还是没有好的办法：http://www.e ...

7 P2 b/ U; d/ Q# v2 c, C8 I我试了一下，这个矛盾可以参照以下方法解决：

还是依照你现在的建库方法，做成一个Part Number，然后再在Dxdatabook中添加器件的其它参数区分不同的阻值等。

7 H. R9 `! I4 b" k+ F7 H在用Variant Manager的Replace功能时，除了Part Number外，把用于区分的其它参数也加上，就可以在Replace时有参照了。
参看下面两图：
2 ], P' ^" J' ?8 x

dzgking

请教一下李老师，我Allegro导入Expedition一直不成功，用的是Mentor的工具和方法，Allegro 是 16.5的版本，Expedition 是 7.9.3的版本，不知跟版本有没有关系？
/ ~6 Z( B9 K$ u  Y- J在Allegro里报了很多有关layer的错误，明明有的layer，报告说没有，让查看stack_up；然后用Mentor的Allegro2Expedition工具，报错退出。看userguide也没找到解决办法。

li_suny

dzgking 发表于 2012-12-17 20:17
, L4 I0 t1 A: L- Z请教一下李老师，我Allegro导入Expedition一直不成功，用的是Mentor的工具和方法，Allegro 是 16.5的版本， ...

8 T8 {$ ]* k$ J& e- O/ f6 K应该是Allegro 的版本太高的原因，你另存一个15.5版本的试试。

李泽尚

单纯的顶帖，为的只是不让这个帖子沉下去了。

yth0

li_suny 发表于 2012-12-17 13:14
4 v  n0 a! i! Y+ ~+ h6 o我试了一下，这个矛盾可以参照以下方法解决：
3 O3 o; d2 M7 g. i/ j
+ d( G( l- r; |  {: B( F/ A  F& K还是依照你现在的建库方法，做成一个Part Number，然后再 ...

2 {6 g+ z9 X' @, f( l: r6 ?6 E呵呵，谢谢李工。不好意思啊，我上面忘了说清楚 Variant出的什么问题了。你说的那个方法我试过，但执行Greate Variant/Function Schenatics后，在生成Variant原理图中，器件并没有替换成你想要的值，而是被替换成part number是相同的随机一个器件，比如你图示的例子，他可能被替换成1N4001、1N4003、1N5817等，当然也有可能被替换成1N4007。你多试几个看看是不是能保证每次都能正确的替换成想要的。
个人感觉还是因为很多不同的器件用了相同的part number，而替换后他只能存储part number，看下图，替换后还是显示的part number （RES2012），根本看不出来器件的值是多少，所以在Greate Variant/Function Schenatics后，随机（或者是选择第一个？）用了一个part number 是RES2012的电阻。
  H+ T; @: S2 m* e# I" m8 ~2 V$ x
. E' u8 y! y7 e0 @" G5 A另外吐槽一下，现在EE里面的属性搞的很乱，什么part number 、partnumber（我得Variant Manager的Settings里默认的属性就是这个）、DEVICE（这个大概是从老的viewdraw延续过来的吧） ，都结合这么长时间了，就不能好好整理一下吗？

yondyanyu

顶楼上，刚学MENTOR搞的我头晕！