|
回复 天使旋律 的帖子
5 Z; L* v# J6 u- _! b9 x& v& r" E6 M0 I) e/ b5 z7 q9 n' P
二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:. P9 o8 e2 X" C2 g% Z5 @- d2 y
# m) W4 H5 W+ ~8 g, H
1 ?! J8 O8 f& z) j1 J/ {第二种placement 方式:" x6 s9 R" W& _9 K
: `/ s, y' |! c! E& m5 G
* @/ H8 \. e% }8 ^, H总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。$ f2 ~: E/ f7 c5 \
这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。0 |% q9 g f/ k( B3 q" n& Z5 ?
data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。
; |0 ^) y+ W. q( i' M addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。
! Q7 `6 w' s( c# O( {( d7 h5 \! X4 f4 L$ e7 y
如下图:
- `5 S+ V3 M! B/ F- {/ G- h
}6 |( E' R9 O* C5 T按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
2 I n3 F% S, s; D" K 也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!
- V. H) ~1 e9 y. {3 l v 而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,' A+ P* I5 `7 R9 p. }% p- [
如下图
, Z' x! E; ~# \+ w7 |
* _+ E2 |( |* g4 [7 C3 }
. u/ d3 L) d1 }' E- B3 ^
* H( l: M' L3 c( p g* z' p" f
3 |# \. Z: i: U3 c9 M: ^: i1 H+ y
: Y# H" Y1 b3 D弦外之音,抛砖引玉:) I* M" M. r) q5 {$ o9 p
GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:$ \" `: u. I8 J1 w. U4 E, f, l
同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。
5 N# }* @ Q5 ], w. R 同一group的data net 可以互换。
* j1 Z( H$ ^) ?, s3 z1 e& h
3 T c& X* O, {, N1 x( V |
评分
-
查看全部评分
|