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. D$ } @; H7 n, U) O二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:
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, Z6 K/ E! i; X
4 h ?$ b+ \# y ]' h0 a第二种placement 方式:
2 ]7 f/ e0 S# P! z* J" Z
0 T- v( {# T" b' X
( [+ t0 }8 x2 C总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。
- V1 p! D* A8 g 这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。# w, ]3 a* ~+ N3 E+ E8 x! I
data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。
6 X: t8 t5 A* d% v addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。2 N( d* ?% E: Z4 G, O2 r' }+ G% [
" @2 \- t6 q- x4 a5 g8 {9 N
如下图:9 r$ f2 e- Q1 y0 m( Q
4 @8 V' b$ T3 b& e% D" C5 Z# \按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
. Q3 ?& y B! I3 I) g/ } 也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!
3 T# W2 c6 Z3 Y) U- g8 f/ f& A 而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,0 E5 v5 ~3 e, f, Q; E
如下图/ Z: U# h$ H, O% X, u1 N j" b: n
6 q* z) f2 e3 f, P$ p8 S
; S. X! w# H0 W0 ?* u; P
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' H$ n/ E F- I8 V8 G9 o) `( o
% C: R5 n" L. }' S5 T& p% q; h弦外之音,抛砖引玉:( p/ U4 L3 x. ?+ `2 k: V! O; ~
GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下: c1 W+ A1 b( o
同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。7 ^7 | m, |4 U3 ~" A k* f
同一group的data net 可以互换。
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0 Z5 v+ Z2 A! v; Y1 d$ ?# Q) O/ O |
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