在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈～

CarryZ

      因為 VRAM BGA 的placement的不同，造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式，供大家参考。    一、在DDRII设计中
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- i, ?% h, k) C; k+ R第一种placement 方式：
     
     第二种placement 方式
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: d; o, ~* I& f9 [) z( l 总结：以上两种placement方式所佔据的空间大致相同，第一种方式在Y轴需要更多的空间；第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间，但它节省了Y轴上的空间。
        在拉线方面，第一种方式data组内的长度相差不多，但group 与group之间相差很大（这点尤其在DDRIII时表现很突出）；第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大，但 data组内则相差较多。
: [% G7 }/ i, D( m% F2 k         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端，因此第一种方式address的路径上不会有data挡路；而第二种方式则会必须从小BGA外面绕，但接小BGA的那一段可以直接用表层接，整段trace会小一颗via，少换一次层，且等长较好tune。
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CarryZ

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5 \( r' _! C( a: d, K' G1 C二、在DDRIII设计中：第一种placement方式：
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! \) N/ o7 p& M, w- \- l第二种placement 方式：
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总结：以上两种placement方式所佔据的空间差别较大，但第一种方式在Y轴需要更多的空间；第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间，但它节省了Y轴上的空间。
        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
* x0 c7 a2 N+ r% @         data 方面，它的pin define与DDRII是有区别的，整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右；而第二种方式可以减少这方面的局限。
         addres 方面，第二种方式的优点更加明显，不但比第一种方式少一颗via，少换一次层，且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。

     如下图：
   
: s9 Z0 t9 J/ N% s- s; F" R# `! U按照上图的placement方式，每个小BGA data中的三个group可以走在同一层，另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
       也许，这对Cost down 来说是一个不小的福音！！！
! K4 Z0 t: _8 S" F) e9 \        而第一种的placement方式，对拉线和等长都有不小的难度，用四个内层还走得那麼辛苦，
9 G( C  F6 o( I' S7 w如下图

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弦外之音,抛砖引玉：
; M& M. ]& u5 B GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap，swap方式如下：
          同一BGA的data group可以换，但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。
/ ~8 Z) }5 N3 l+ I, a* c9 h' Y          同一group的data net 可以互换。

Sunnyly621

wzh6328

结论呢？

CarryZ

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结论就是，在DDRIII元件的place，推荐第二种placement方式;至于DDRII设计，两种情况都有自己的利弊，看自己的想法了，呵呵～

fromnow

LZ辛苦，很直观，很强大～

紫菁

:victory:

oostilloo

LZ辛苦了

huo_xing

lz强大啊

minger2008

不错

leavic

太棒了，最需要的就是这种复杂器件的place经验

wanghuazhi

不错．很有启发意义．

nbhand

学习中，感谢楼主分享

CAD_SI

只要层数够，怎么摆都行

fromnow

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# c7 S$ O9 V, P/ Y7 A, |$ Z# ~- d/ e呵呵，如果这么说，那么如果工厂不考虑亏本，买方不考虑消费，还用我们设计做什么？