找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 10669|回复: 56
打印 上一主题 下一主题

在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈~

    [复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2011-4-22 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
      因為 VRAM BGA 的placement的不同,造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式,供大家参考。    一、在DDRII设计中% o$ s0 w/ {: @! q9 W
" f" M4 q+ C( [9 V0 d
) @: o; _4 |2 o$ |
第一种placement 方式:) K! [. I3 Y5 O! z0 `8 W+ @* V
     
) M2 L* F/ V8 w. J2 B- T! Y, @     第二种placement 方式+ H& a7 A- J$ k. o  l# n
      6 Y& S, ^$ x2 y& O# v" t
总结:以上两种placement方式所佔据的空间大致相同,第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。
0 l, B" i# N% t        在拉线方面,第一种方式data组内的长度相差不多,但group 与group之间相差很大(这点尤其在DDRIII时表现很突出);第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大,但 data组内则相差较多。
( o9 w6 `7 ]/ s$ _/ E" Z% b3 v         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端,因此第一种方式address的路径上不会有data挡路;而第二种方式则会必须从小BGA外面绕,但接小BGA的那一段可以直接用表层接,整段trace会小一颗via,少换一次层,且等长较好tune。; N& _* e, A! @. r

评分

参与人数 8贡献 +26 收起 理由
lixc2008 + 5
heweishuai78 + 2
ymf2529 + 5 辛苦了!
summmmmm + 2 辛苦了
alewe + 2 感谢分享
zyunfei + 4 感谢分享
zlei + 4 辛苦了!
fromnow + 2 LZ辛苦

查看全部评分

该用户从未签到

2#
 楼主| 发表于 2011-4-22 11:44 | 只看该作者
回复 天使旋律 的帖子
7 K# J/ _" z( l. U( A# E' G
2 j  [3 a8 Y  k4 i" B二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:# @2 X1 |! ?; C
" W! ]& c+ \& }6 }/ P* c  {, K4 `
  L& m. S  L5 w; E4 t% H
第二种placement 方式:6 \+ K' L5 O8 L: e6 m8 A* C. }

8 x+ Z- `  ?0 {) ?* U6 f5 P
4 v* T3 g. K6 g$ ~' x
总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。* M5 A" }* L' l: O. L' e2 _
        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
  j9 F9 a* n" z         data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。6 @/ y2 x5 b# o7 `- c/ X. D
         addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。# O3 c( W& ^5 b, \+ H% s9 W! S
5 ^, ?/ \$ I/ a6 G% w2 }. v
     如下图:; p0 t! ]3 _7 K  _4 }$ u
   
' G  [$ U. M$ L: `8 _按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!2 ?& k. c9 o# k
       也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!4 X% _  F8 s" k1 m
        而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,7 C: T: B9 h  U; f: n5 h: ^
如下图
: q0 N+ t1 ~/ \, }% y; Z- O. z* O# v; o: W

) s* b$ D; k3 N9 r. _3 U2 C! ^2 i) A0 [  c; a2 V& C, m

8 R: {9 {" j# r. ~6 q/ ~, {% {
弦外之音,抛砖引玉:6 g# {6 |( t% N& ^; z/ D
GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:3 G* g8 h1 d$ j0 E% N4 k  h
          同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。9 b+ Y# S0 r7 L) i7 Q8 u
          同一group的data net 可以互换。: n6 l. Q. u/ E- K3 {

9 K  o* v6 f' f% G  L( N' v

点评

不错  发表于 2012-1-31 11:38

评分

参与人数 2贡献 +7 收起 理由
fromnow + 2 原创内容
winricky + 5 感谢分享,解释的很棒

查看全部评分

  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-12-19 15:11
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    3#
    发表于 2011-4-22 11:49 | 只看该作者
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-11 15:53
  • 签到天数: 19 天

    [LV.4]偶尔看看III

    4#
    发表于 2011-4-22 13:13 | 只看该作者
    结论呢?

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2011-4-22 13:26 | 只看该作者
    回复 wzh6328 的帖子
    ' s3 o% r3 w% t" d$ `0 V
    ( B' A8 |7 c3 Z& R/ P% P" `结论就是,在DDRIII元件的place,推荐第二种placement方式;至于DDRII设计,两种情况都有自己的利弊,看自己的想法了,呵呵~

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2011-4-22 17:52 | 只看该作者
    LZ辛苦,很直观,很强大~

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2011-4-23 15:24 | 只看该作者
    :victory:

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2011-4-23 20:45 | 只看该作者
    LZ辛苦了

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2011-4-23 21:18 | 只看该作者
    lz强大啊

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2011-4-24 11:38 | 只看该作者
    不错

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2011-4-24 11:45 | 只看该作者
    太棒了,最需要的就是这种复杂器件的place经验

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2011-4-24 12:06 | 只看该作者
    不错.很有启发意义.

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2011-4-25 15:49 | 只看该作者
    学习中,感谢楼主分享

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2011-4-25 21:59 | 只看该作者
    只要层数够,怎么摆都行

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2011-4-26 09:20 | 只看该作者
    回复 CAD_SI 的帖子
      {3 m2 T6 x2 W3 Z/ [% i2 p! g- V1 z+ f( a5 g/ Z* R0 T
    呵呵,如果这么说,那么如果工厂不考虑亏本,买方不考虑消费,还用我们设计做什么?
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-9-6 22:53 , Processed in 0.156250 second(s), 28 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表