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在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈~

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1#
发表于 2011-4-22 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
      因為 VRAM BGA 的placement的不同,造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式,供大家参考。    一、在DDRII设计中
- M) F: B; W  G5 M
/ H+ m% s1 s- P8 n! f3 k
% O; c; _* v! [$ ?1 G8 n' m第一种placement 方式:
  H' K- P& b4 _2 ~     
1 Y, }  J6 {4 U' G* T  e; D8 U     第二种placement 方式
& w, o' O  l2 j/ l, D2 q     
! [1 h# O1 _1 b; s 总结:以上两种placement方式所佔据的空间大致相同,第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。- |6 w* R' j+ R' V) \8 G! b
        在拉线方面,第一种方式data组内的长度相差不多,但group 与group之间相差很大(这点尤其在DDRIII时表现很突出);第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大,但 data组内则相差较多。" a! \' Z" B$ ~2 q
         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端,因此第一种方式address的路径上不会有data挡路;而第二种方式则会必须从小BGA外面绕,但接小BGA的那一段可以直接用表层接,整段trace会小一颗via,少换一次层,且等长较好tune。9 w0 E/ x5 t! ^: z; R- U( ?! A

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参与人数 8贡献 +26 收起 理由
lixc2008 + 5
heweishuai78 + 2
ymf2529 + 5 辛苦了!
summmmmm + 2 辛苦了
alewe + 2 感谢分享
zyunfei + 4 感谢分享
zlei + 4 辛苦了!
fromnow + 2 LZ辛苦

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2#
 楼主| 发表于 2011-4-22 11:44 | 只看该作者
回复 天使旋律 的帖子
5 Z; L* v# J6 u- _! b9 x& v& r" E6 M0 I) e/ b5 z7 q9 n' P
二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:. P9 o8 e2 X" C2 g% Z5 @- d2 y

# m) W4 H5 W+ ~8 g, H

1 ?! J8 O8 f& z) j1 J/ {第二种placement 方式:" x6 s9 R" W& _9 K

: `/ s, y' |! c! E& m5 G

* @/ H8 \. e% }8 ^, H总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。$ f2 ~: E/ f7 c5 \
        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。0 |% q9 g  f/ k( B3 q" n& Z5 ?
         data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。
; |0 ^) y+ W. q( i' M         addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。
! Q7 `6 w' s( c# O( {( d7 h5 \! X4 f4 L$ e7 y
     如下图:
- `5 S+ V3 M! B/ F- {/ G- h   
  }6 |( E' R9 O* C5 T按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
2 I  n3 F% S, s; D" K       也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!
- V. H) ~1 e9 y. {3 l  v        而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,' A+ P* I5 `7 R9 p. }% p- [
如下图
, Z' x! E; ~# \+ w7 |
* _+ E2 |( |* g4 [7 C3 } . u/ d3 L) d1 }' E- B3 ^

* H( l: M' L3 c( p  g* z' p" f 3 |# \. Z: i: U3 c9 M: ^: i1 H+ y

: Y# H" Y1 b3 D弦外之音,抛砖引玉:) I* M" M. r) q5 {$ o9 p
GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:$ \" `: u. I8 J1 w. U4 E, f, l
          同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。
5 N# }* @  Q5 ], w. R          同一group的data net 可以互换。
* j1 Z( H$ ^) ?, s3 z1 e& h
3 T  c& X* O, {, N1 x( V

点评

不错  发表于 2012-1-31 11:38

评分

参与人数 2贡献 +7 收起 理由
fromnow + 2 原创内容
winricky + 5 感谢分享,解释的很棒

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-12-19 15:11
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    3#
    发表于 2011-4-22 11:49 | 只看该作者
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-11 15:53
  • 签到天数: 19 天

    [LV.4]偶尔看看III

    4#
    发表于 2011-4-22 13:13 | 只看该作者
    结论呢?

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2011-4-22 13:26 | 只看该作者
    回复 wzh6328 的帖子- I9 t/ N" O6 M+ r9 c( W: K

    : V8 k2 q) A( y) U! C结论就是,在DDRIII元件的place,推荐第二种placement方式;至于DDRII设计,两种情况都有自己的利弊,看自己的想法了,呵呵~

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2011-4-22 17:52 | 只看该作者
    LZ辛苦,很直观,很强大~

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2011-4-23 15:24 | 只看该作者
    :victory:

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    8#
    发表于 2011-4-23 20:45 | 只看该作者
    LZ辛苦了

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    9#
    发表于 2011-4-23 21:18 | 只看该作者
    lz强大啊

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    10#
    发表于 2011-4-24 11:38 | 只看该作者
    不错

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    11#
    发表于 2011-4-24 11:45 | 只看该作者
    太棒了,最需要的就是这种复杂器件的place经验

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2011-4-24 12:06 | 只看该作者
    不错.很有启发意义.

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2011-4-25 15:49 | 只看该作者
    学习中,感谢楼主分享

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2011-4-25 21:59 | 只看该作者
    只要层数够,怎么摆都行

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2011-4-26 09:20 | 只看该作者
    回复 CAD_SI 的帖子
    ( @! _4 P$ c6 S; H
    / {: H5 r4 m" n2 u呵呵,如果这么说,那么如果工厂不考虑亏本,买方不考虑消费,还用我们设计做什么?
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