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' h3 s, M9 W* v ~+ A: n5 N; `8 L8 g9 A. \' F& q
二、在DDRIII设计中：第一种placement方式：
" x6 X" Z" ^. E6 B
0 h2 Q w$ y; O: _4 S8 Y
5 A% `. h5 W6 ~6 G& [- }" G) |$ u第二种placement 方式：* e i' e' j3 |: u. d7 n/ ]0 Z
* L, r3 J0 t% e4 W+ h- U
$ J$ t. a) w$ }4 `! I0 v# d m% `( ^" R总结：以上两种placement方式所佔据的空间差别较大，但第一种方式在Y轴需要更多的空间；第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间，但它节省了Y轴上的空间。5 S$ r! b8 ?) g0 W4 H6 k' F) }; @
这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。9 P& M+ X5 R# ?$ F6 \
data 方面，它的pin define与DDRII是有区别的，整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右；而第二种方式可以减少这方面的局限。
" s' X+ Z8 Q$ i8 v addres 方面，第二种方式的优点更加明显，不但比第一种方式少一颗via，少换一次层，且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。" r B8 Y- v4 Y) M
" u4 k% O m9 a0 h4 ~
如下图：) y: E. [1 Z+ n$ h
0 K, u1 [( n- P9 _! ~! t4 r! y
按照上图的placement方式，每个小BGA data中的三个group可以走在同一层，另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!* B: [8 z+ B$ o4 d2 m$ b0 G1 Y/ U
也许，这对Cost down 来说是一个不小的福音！！！, _# c* M' ]% I [- O
而第一种的placement方式，对拉线和等长都有不小的难度，用四个内层还走得那麼辛苦，/ x; m. ] x y$ z2 ?
如下图
0 H/ l( q" r0 M7 @- a0 R" h8 Y, I7 H2 I% n8 G" H7 m
# l( W- }: E# A3 p4 k
6 O$ g- s2 n$ `8 m& e
0 u+ [( K4 I4 y% \. ]6 I. k
, J0 C- Y9 n8 H3 A* u; F
弦外之音,抛砖引玉：9 U$ L6 \0 ~0 A+ Y- ^6 u% T6 E
GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap，swap方式如下：/ ~' [" I, Y% l, {$ O
同一BGA的data group可以换，但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。$ |5 p, w6 D4 b& {& Z- L$ g- Z
同一group的data net 可以互换。5 a% w- n% k8 [0 g& x
: L4 _6 e6 P* x5 ~' [
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发表于 2011-4-22 11:34
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楼主
发表于 2011-4-23 15:24
