在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式利弊简谈～

pkkong · 发表于 2011-4-27 15:29

天使旋律发表于 2011-4-26 22:52
5 W1 d# e; x2 f& N回复 105031079 的帖子
/ e0 G: r8 o1 C- o) Y
2 F: M& Q0 N+ }# E$ {我们最近都导入DDR3了，不过也就是pin定义有不同而已，大致走线还是一样的~一般一个 ...

楼主的不上dimm。是芯片。你的设计难度跟他不同。他难度在分段等长。你只要拉到dimm，符合一定长度规格即可。

cvntao · 发表于 2011-4-27 22:03

好帅的走线

CarryZ · 发表于 2011-4-27 22:03

回复 105031079 的帖子

我这个有个板子，但是只找到叠构是八层的，六层叠构估计会很困难，给你看看，是否有帮助，4个memory正反叠着放的。

amychiang · 发表于 2011-4-28 10:50

谢谢分享

amychiang · 发表于 2011-4-28 10:50

ice-river · 发表于 2011-4-28 11:54

很好

CarryZ · 发表于 2011-4-28 17:34

大家帮个忙啊，再家6分就升级了，嘿嘿

！

飞跃疯人院 · 发表于 2011-4-28 21:45

好帖子，多谢楼主分享心得

105031079 · 发表于 2011-4-28 23:37

好帖子要多看，顶起

zhouhua_8 · 发表于 2011-5-4 11:06

强大，第一次看到

dm117 · 发表于 2011-5-21 10:45

相当棒的LZ！

panadol · 发表于 2011-5-21 12:10

多谢分享！

zzlhappy · 发表于 2011-5-21 13:00

嗯，总结的不错，值得学习，真给力！！！

bruce8949 · 发表于 2011-5-24 15:25

绝对的好帖，必火，学习，继续关注

moioye · 发表于 2011-5-24 16:17

以前有做过4颗i正反面叠放的，是2层走线，那样反而觉得很节省层面，只是两组BGA的空间要拉的远点

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