DDR2数据线调试问题

hcjyddup

最近自己画了一板子，主芯片是DM365，DDR2内存芯片是MT47H64M16BT-37E。首先板子上的其他部分，电源、晶振、串口，网口等都已经正常了。目前调试的时候遇到个不能解决的问题，求大神指点啊！现象如下：
1、数据线低8位能正确读写，高8位不能，在每次断电重启的情况下，高八位的读写结果不同，随机的。
4 t, {* d  h" e5 h2、地址线是正常的，我是在屏蔽高8位读写结果的情况监测地址线的，全部遍历64M空间都能正常读写。
4 z6 x, B8 y6 X! z' c& ~3、用示波器观察高八位的数据线（在匹配电阻靠近DDR芯片端）上的写信号，数据线上有信号，且与低8位基本一样。
6 z9 K# w9 f/ X2 v+ q) D: W附件为高8位数据信号线上的写信号。


$ g* Q/ z5 a& F) v: V) P- E0 f我现在怀疑的原因有两点：
* a* e$ X2 J  I5 \( k1、DDR2芯片的焊接有问题，可能高8位数据接口相关的电源管脚没有焊接上，BGA封装，苦于没法检查；
0 Y3 O2 _" z0 p0 ]; `2、时序问题，高8位和低8数据线的读写使能DQS信号是独立（分别为DQS1、DQS0），可能是高8位的时序不一致（布线的时候要求是一样的），示波器看DQS1差分信号很微弱，DQS0也是，没有明显的高低电平变化，这个很奇怪。
* w3 z& b6 s0 D8 _+ ~" l
+ g9 V/ I1 `1 H  i* w希望各位大神、有经验的同道帮着看下，给小弟点意见！

hcjyddup

自己顶下！

willyeing

ddr2的控制器高八位与低八位都有可调整相位的DLL，2的DLL值应该不一样，默认是一样的。调试时调完高八位的相位后再调第八位。调完后固定。

hcjyddup

willyeing 发表于 2012-9-20 12:05
ddr2的控制器高八位与低八位都有可调整相位的DLL，2的DLL值应该不一样，默认是一样的。调试时调完高八位的相 ...

你好，谢谢您的回答，之前的问题后来无意中发现时DSQ1匹配电阻有一个虚焊了，所以高8位一直随机的，解决后，现在的现象更奇怪：下面是我对DDR进行读写全5操作，结果如下
     地址                   数据                  数据
0x80000000        0x00550055        0x00550055
2 E' t( W6 g( X7 O. R, L0x80000008        0x55555555        0x55555555
0x80000010        0x00550055        0x00550055
2 _2 [& F7 Q  T1 o0x80000018        0x55555555        0x55555555
3 o& l" Z2 Y4 o1 s3 i0x80000020        0x00550055        0x00550055
0x80000028        0x55555555        0x55555555
4 u  J  q. R8 r4 h) P/ s0x80000030        0x00550055        0x00550055
# J  S+ Q& j: g3 N- r8 x% K# `0x80000038        0x55555555        0x55555555
0x80000040        0x00550055        0x00550055
0x80000048        0x55555555        0x55555555
! N8 ~8 \. o) ~4 j; M0x80000050        0x00550055        0x00550055
, d5 ^3 @7 G- k0x80000058        0x55555555        0x55555555
.....

: q% l  v( j( @, i" Y读写全F，全A操作现象一样。就是高8位数据在地址低第4位为高时正常，为低时为全0。这应该不是地址线的问题...还可能是DLL相位的问题吗？

willyeing

hcjyddup 发表于 2012-9-24 20:37
$ I0 H$ U8 R+ k0 D你好，谢谢您的回答，之前的问题后来无意中发现时DSQ1匹配电阻有一个虚焊了，所以高8位一直随机的，解决 ...

. d- x6 S+ r8 _, D( n测试一下地址与时钟的关系，看看这几位地址的建立和保持时间够不够。是否地址与clk的相位不对。

hcjyddup

我在读写屏蔽了高8位，然后对整个DDR空间遍历，没个地址写的数据不一样，依次递增，读回来都是对的，所以应该不是地址线的问题吧

xyy_zhong

DDR跑步起来吗，是的话就比较苦逼了。这问题难找

hcjyddup

xyy_zhong 发表于 2012-9-27 17:00
2 t- K/ Q" r1 D9 q( HDDR跑步起来吗，是的话就比较苦逼了。这问题难找

是啊，跑起来了，低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了，问好多人都想不明白啊

willyeing

hcjyddup 发表于 2012-9-28 09:29
/ w% A7 F0 f7 @. T2 k1 x" t是啊，跑起来了，低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了，问好多人都想不明白啊

% ^5 a4 |  y9 V" rDDR跑起来之前要测试是否有合适的相位，这个工作你做了吗，按照我说的做先低8位组，在高八位组，然后2个合并一起，需要写个程序，主要是读的，因为DDR需要去检测和锁定主芯片发来的CLK。写的话主芯片相移90，DQS对在DQ中间发出去的。相位写侧读，然后再去考虑写，用的是哪个厂家的。

willyeing

hcjyddup 发表于 2012-9-28 09:29
+ y5 ]/ U0 {9 L8 ?2 {7 k0 W是啊，跑起来了，低8位的数据都能正常读写了...苦逼了好久了，问好多人都想不明白啊

& Q2 ?! A2 Z2 Q8 Y- e是否把PCB的这一块发上来瞧瞧，是否SI/PI没处理好。

willyeing

hcjyddup 发表于 2012-9-27 15:34
我在读写屏蔽了高8位，然后对整个DDR空间遍历，没个地址写的数据不一样，依次递增，读回来都是对的，所以应 ...

一定学会测眼图，这玩意儿一看就清楚的很。

hcjyddup

willyeing 发表于 2012-9-28 19:03
- Z/ |& c! f0 J7 s* ~2 Q& a* }一定学会测眼图，这玩意儿一看就清楚的很。

芯片是Micron的，DDR的布线用了三层（顶层，中间信号层和底层）如附图；谢谢您的指导，我开始认真测试下相位关系，眼图测试还不熟悉。
/ T& T) X# l1 e: g- e- l, g' T

honejing

1. ) 先就 1# 楼的图说明，若以这个数据线的测试波形而言，这应该是一个无效的数据，它的信号变化只呈现在 0.9V以上， DDR2 的信号应该是以 0.9 V 为中心，往上下张开至少要 +/- 0.25 V。

2. ) 12#楼的 Layout 图而言，这似乎是一个没有考虑信号参考回流的设计 (除非还有参考层没有贴出 )，信号走线没有完整的参考平面，回流将到处乱窜，影响信号品质。

hcjyddup

honejing 发表于 2012-10-7 17:24
1. ) 先就 1# 楼的图说明，若以这个数据线的测试波形而言，这应该是一个无效的数据，它的信号变化只呈现在  ...

1、看规格书我也觉得这个信号参数奇怪，但是对比了一个正常的板子，同样的信号，也是这样的测量结果
2、参考平面有，整个板子有8层，中间分别为信号，信号，地，电源，地，信号

honejing

那可能是你沒有量到正確的信號，你的trigger level設在0V，可能抓到不正確的地方。通常我會用兩個條件來當觸發條件
第一用DQ再接著DQS@0.9V。