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自己做了下时序分析, S3C2440a+SDRAM的
- R _1 [+ w- u! {3 z有几个问题请问一下:
& t" b. a' D; W& l0 ~+ n, v1、S3C2440a的IBIS模型中 “Vinh= 1.30 Vinl= 0.50 Vmeas = 0.95V ' S! u5 c3 I3 Q g
Cref = 50pF Rref = 50ohms”发现测试负载比实际的走线负载要重。仿真出来的波形是 测试负载比实际走线负载 波形靠后面很多,计算出来的Switch time 为-0.687ns 即flight time 是负的Tft_data =-0.687ns 图见附件6 f2 Y3 E) j! J3 W3 K
# D! \6 T, s5 C+ Y' J$ }S3C2440a数据手册中的Tco 是1~4ns,SDRAM的的Hold time 是1ns
2 y9 M* w$ c2 Y* ~% C根据公式 O* a Z) F) m/ ?5 \6 O
Thd_margin (建立裕量)=Tco_min + Tft_data - Tclk_skew-Thold
/ a+ R# ?+ i, _. v0 F" p9 N" x. A -0.88ns =1ns + (-0.687ns )-(0.2ns)-1ns( h, O+ R. @" ^3 L
小于零的。但实际板子做出来了 可以正常运行。请问这是为什么 |
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