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发表于 2013-12-11 14:25
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! ~. I1 V$ X2 a ^5 j2 C( eUSB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题，说要准备做FIB测试了，他们正在输出方案。1 k# i Q5 @& u7 E; c& ?( t, H$ T
是在-40度保持了一段时间出现的问题，但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题，不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中，断电再立即上电是没有问题的。
5 L5 L& _" H( w: x% ?板子原理非常简单，只有一个U口电流，1117电源，和主芯片一个。无钽电容电解电容，全部是瓷片电容。& M5 r9 [2 ]- L0 z5 l- N. M$ y% ?
低温下各种仿真条件：
3 v. z2 A6 [- \+ Q2 c8 ^% W$ a' t8 u1.VDD=1.62V ; VCCA1= VCCA2=2.97V0 q; t+ Z+ V; I @. w8 \
mos section=ss# y, R) N0 T, w% T4 r+ R
transistor section=bjt_ss% t* ?" ^/ x4 E& C" Z
resistor section=res_ss* `& z; X7 p6 n1 ^' C6 l
2.VDD=1.62V ; VCCA1=VCCA2=3.63V
4 S0 n' i; g$ H- c& T4 g. pmos section=ss7 `2 m' x% E' O
transistor section=bjt_ss; c+ }6 {! l0 _! z1 ], G4 u' A+ j
resistor section=res_ss4 V3 U7 Z4 A, c
3.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V2 n R2 A& }3 m4 C
mos section=ss
' G1 R* u" W$ z! Y' K/ utransistor section=bjt_ss
- e- W; ~9 m$ j2 c2 B" [resistor section=res_ss
5 T1 m4 W2 ^. r4.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=3.63V$ W( H; }7 V7 [2 v
mos section=ss, s) e" o1 s: g* U8 H9 X, \
transistor section=bjt_ss
$ _% L& w& Z2 }) |. }" h, \% T1 eresistor section=res_ss' U' C3 X9 d2 D9 z( P5 O
5.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=2.97V
9 D6 X. A( E& l* K( j0 r9 U% a' amos section=ff
8 J2 d" z; D8 l4 Itransistor section=bjt_ff" j: s' `, L5 V, M9 c( S
resistor section=res_ff
# w' y6 i+ I* ~8 Z4 H+ S" ~" X6.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=3.63V$ u, @6 r) @' _ c7 l' T, J
mos section=ff
* k4 v5 ]" D7 ^1 c transistor section=bjt_ff
3 f* ]# G% H5 G" d! a |8 E resistor section=res_ff+ N6 Q3 }/ Z! c
7.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V8 S: ?- E+ C3 k: v5 s. e$ q3 d4 u7 p4 `
mos section=ff
" R( C( d2 K+ ~, L: r transistor section=bjt_ff
! w' S: S `- e- f* t. ~4 ` resistor section=res_ff( x+ P' ^3 K, M, [# W' \0 ~6 L
8.VDD=1.98; VCCA1=VCCA1=2.97V
& ?* y' j- Q1 ]: e6 s$ z$ t mos section=ff; r. H5 F T8 v+ f
transitor section=bjt_ff
& d% v+ E( k, }# u @) ` resistor section=res_ff: E T7 \: o! n1 h8 |( J
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发表于 2013-11-22 10:04
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发表于 2013-12-6 17:21
