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楼主 |
发表于 2013-12-11 14:25
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* s5 }) L' O/ w7 ]9 W: Y
USB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题,说要准备做FIB测试了,他们正在输出方案。
. U* U+ ?) Z- [ @, C$ P5 O( y是在-40度保持了一段时间出现的问题,但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题,不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中,断电再立即上电是没有问题的。 Z$ R) p+ Y' l" t$ O8 N, R1 x
板子原理非常简单,只有一个U口电流,1117电源,和主芯片一个。无钽电容电解电容,全部是瓷片电容。
" F( d2 R- L. P低温下各种仿真条件:
; y6 z. _' \& F1.VDD=1.62V ; VCCA1= VCCA2=2.97V* v# @; A3 a4 {3 x4 Q: t# B- l
mos section=ss
' j& A2 N& |' M Y8 u2 Ktransistor section=bjt_ss5 A) L9 p5 P: p9 {2 s6 n) \ u [
resistor section=res_ss
, D7 }' t( r8 K. U# P2.VDD=1.62V ; VCCA1=VCCA2=3.63V
4 W; G- d2 e6 w$ z9 q/ @mos section=ss
- b$ X9 ?, {" I- s) f- Vtransistor section=bjt_ss5 F2 ~6 Q- g0 g/ V& |9 o* J
resistor section=res_ss
; Y/ P: R( I; A# ]4 f/ p3.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V: U$ m$ |6 G' x3 B" U
mos section=ss
2 Y5 t2 \, r5 |9 S- Etransistor section=bjt_ss. t( E5 y/ i- J5 t$ |' \
resistor section=res_ss
% z1 z, r* [" N0 n7 z8 @+ e4.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=3.63V
1 @6 Q4 J3 k* R) F9 x; P" I9 w) gmos section=ss
* P' o i9 y: T, c' L I( gtransistor section=bjt_ss6 ^) r% i; J. X( B) Q3 v2 e* D: R
resistor section=res_ss
9 W. X2 p0 I/ \1 j' h! L- Y5.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=2.97V" e3 T& I6 }, \; E
mos section=ff
2 [! E" m# H; Z: @. Itransistor section=bjt_ff
0 o* k: e& h2 ~7 P" qresistor section=res_ff
% q- ?# X% E P# W! F4 |. X6.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=3.63V
7 @4 t# k# \) s; m2 M3 r" S mos section=ff6 }2 T1 p7 N, O+ j# ?9 q
transistor section=bjt_ff
1 y9 l9 D0 Q. P) k, g9 r resistor section=res_ff! [4 u4 g) {8 R b( p z
7.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V
* m! R; r8 v3 ? mos section=ff
% w5 z9 T7 d0 {: G, y transistor section=bjt_ff
% J5 O" P4 T3 m0 v7 r resistor section=res_ff6 G6 a- p: u# D# y2 b6 k: M0 I0 X
8.VDD=1.98; VCCA1=VCCA1=2.97V) e% A0 d) N2 r; Y5 ]. G4 K" F
mos section=ff; Q# G% c" }# D" H2 C5 a* l6 o) Q
transitor section=bjt_ff0 _2 G% X" N' q7 \$ c! g/ f
resistor section=res_ff# U$ H9 j$ Z- J5 ^' S9 c. h
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