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发表于 2013-12-11 14:25
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Vincent.M 发表于 2013-12-10 18:12( r& P, T0 q3 c. ]9 T, ?# d+ q" k" z
有结果了吗？' ]9 V" H9 K/ p( f+ v: F
先看芯片本身支持的工作环境吧。, Y) y5 y L3 i4 ?
而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。
USB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题，说要准备做FIB测试了，他们正在输出方案。
+ O1 K* k$ }# j; n是在-40度保持了一段时间出现的问题，但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题，不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中，断电再立即上电是没有问题的。4 t/ k7 L- z3 w) B/ j4 F( ^
板子原理非常简单，只有一个U口电流，1117电源，和主芯片一个。无钽电容电解电容，全部是瓷片电容。
. z8 w) _7 L `2 m低温下各种仿真条件： V) ]5 D y* Z9 {5 y
1.VDD=1.62V ; VCCA1= VCCA2=2.97V
6 G9 K$ F1 X. H2 a1 a; Q, f ~mos section=ss
: u( K# C! |1 D- {2 Z+ f2 @transistor section=bjt_ss
6 l6 b9 T* M" n) r: _/ d4 D/ Uresistor section=res_ss. K' G2 k7 G$ r2 @* o
2.VDD=1.62V ; VCCA1=VCCA2=3.63V
; g+ \( z* n7 q( S( ?+ d, c# t& Gmos section=ss- D/ {$ V7 c4 x0 _
transistor section=bjt_ss
8 g' B3 |/ ^- n/ W; `4 Kresistor section=res_ss( H& d0 H5 D& e; \2 g& ^# U/ G
3.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V* U$ p2 o0 B/ c- i
mos section=ss
. _. r% U7 e3 i- H3 _transistor section=bjt_ss
' F" E9 j8 w j, P+ dresistor section=res_ss
# l* X5 i! d3 E/ x4 G4.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=3.63V- H! p/ u+ f1 i( c2 l# [ P
mos section=ss' s& ]1 e2 v3 e
transistor section=bjt_ss
" {, L$ a2 b. tresistor section=res_ss
/ G' n- m' S4 U& O5.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=2.97V. J9 g+ U5 C3 ]6 E! g
mos section=ff$ n# J' K7 W5 l
transistor section=bjt_ff
& [: g- ^$ j0 @resistor section=res_ff
& u3 [2 Q6 x) h, ]6.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=3.63V C7 u/ A; _2 A
mos section=ff
+ U/ B$ {( B# Y* t transistor section=bjt_ff
1 v0 J6 a u+ h" C$ `0 I/ u+ m: w" V resistor section=res_ff& D; p, n* V4 L
7.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V' I$ o1 A- `- L3 r4 P
mos section=ff
8 F$ t" {3 a* @" Q transistor section=bjt_ff: Z. B$ x2 h9 I0 O3 N
resistor section=res_ff0 E9 f2 [" s2 ~+ u9 r9 Q
8.VDD=1.98; VCCA1=VCCA1=2.97V
' k0 r4 {: k" o0 c8 Z2 ` mos section=ff3 H- a6 ?: }7 d7 N/ j
transitor section=bjt_ff
+ D4 x& P& K; p6 S/ h resistor section=res_ff" Q1 n/ P8 o4 M- M, v% ^
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发表于 2013-11-22 10:04
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发表于 2013-12-6 17:21
