DDR3大牛进

lkzuihao

( ]# V" }' z6 ~$ `$ s6 c
一块嵌入式板子，电源等问题已经排除。DDR3的时钟DDR_clk 600+M时系统崩溃，且必现，调整到400+M时系统稳定工作，LAYout各项等长都做的很好，电源分割什么的和人家的DEMO板都一样，刻就是出问题呀，这个怎么破，还有啥可以调的，请大牛给个指导啊，一个半月了{:soso_e109:}
; N( g  s- f& o. u" e
忘了跟大家说以下情况，系统崩溃之发生在跑业务的时候（大量数据读写），不跑业务的时候不会崩溃

qaf98

1: 看看ODT是多少？ 一般建议ODT60,或120
2: 2T模式打开，如果是地址出现时序的问题，2T模式会有帮助
, N- V$ U) f5 @% I- R3：自己的芯片，还是别人的芯片。自己的就要看IC内部设计是否有问题了！

Dandy_15

没有测试工具情况下的调试只能是猜了，我建议可以在安全的情况下调高一下1.5V的电压，如调整50同mV,外接稳压源只能提高电源的输出电流，别的帮不上多少忙。而且你外接电源时，用的电缆线如果过长过细的话，会有很多别的问题。
2 j& r% r8 k% L8 a* V. S0 L4 ~你可以作一下对比测试：
两种情况下DDR芯片下电压的变化，用示波器记录，打开余辉模式，用直流档，电压分辨要达到10mV的级别，可以示波器的offset功能，当然你的示波器得有这个功能。看看两种情况下电压的波动有什么不一样。
第二种办法：在DDR芯片的的电源上引脚上多加些电容，大大小小组合起来用，看有没有效果。
第三，调高1.5的供电压50mV，看有没有效果。
6 R6 M& {( c$ |. W' z! A, A0 `; B如果是电源的问题还可以调调看，如果是时序或是由于叠层不当引起的问题，那可能比较难搞。
. N4 m6 l) ?1 i, X" V6 f% A; Y9 @如果你的示波器能看到一个完整的波形（包括过冲，下冲，反射，振铃等细节），这样你可以调一下ODT，找到一下最好的情况，再作其它的调整。
最好的办法就是仿真，找调试方向。
, o4 t7 {1 I1 ]3 E, ?

lkzuihao

Dandy_15 发表于 2013-11-14 20:38
不知道是不是你示波器或是探头的带宽不够，波形没有任何细节，应该是方波的东西，被测出来接近三角波。
如 ...

多谢这位兄台的分析。
! h" _* P* G" i) L# L# j6 K% H  A0 m我们这条件不够，看不了眼图，现在使用的已经是我们公司最好的示波器了，就是测到600+M的时钟结果都不很稳定，捉急。
5 b! \' V( f  B9 @我觉得SSN可能性更大一些，现在我已经把核心电压和DDR3的1.5V都外接稳压电源了，高速还是这个问题，对比低速运行，1.5V的峰值电流会高50mV左右，别的没啥区别。
+ Q; V+ O- b6 g, @. F4 M  Q* z现在这板子已经来不及讨论FLY-BY还是T了，我希望能在T下解决目前的问题。
也不知道在现有条件下，还能做些什么工作。我懂一点UBOOT下的知识，能自己调整配置DDRC的寄存器，目前做过一些ODT、Trc、Tcl、Tras、Trp的调整，但是也没有什么效果。
. ~. t. Z+ e7 R0 z0 b- c) R有4快一样的板子，有2快情况好一点，运行的时间会长一些，另外2块就不行了，很快就会崩溃。

eeicciee

就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
, L/ j$ b6 }: Q2 r' r2、时序，等长，结合眼图
! U8 F+ r) l2 C/ P4 S3、电源噪声。也附上图片吧

lkzuihao

eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59
就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
7 U5 Y+ v* b/ t7 Q1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
  n; o4 Z* |5 e. C" R% }2、时序，等长， ...

% c8 _; W4 {: O% o, f等长数据表我就不贴出来了
3 _7 \+ O. [  @3 z$ O+ f; ~$ [电源我们用台式串联稳压电源替代过，应该不会有问题

8 c0 m  ^5 k; R5 \ 数据已于 14:39 保存10 秒后保存 保存数据 | 恢复数据    字数检查 | 清除内容    加大编辑框 | 缩小编辑框
附加选项
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; j8 s  ?* h, n3 `% u- B1 G5 q         

lkzuihao

+ t! ?8 T9 ]' E+ o贴的图顺序被打乱了，好像没法调整
1 [7 y) p0 F- O) w4 G我把波形图整合到一起，如图

lkzuihao

eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59
就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
2、时序，等长， ...

系统崩溃后，地址线A0上的信号就没有了，但是CLK、DQS、DQ信号都还在

dzkcool

DDR3一般建议地址线走Fly-By，而且要有终端VTT匹配。如果走T型拓扑，VTT匹配应当放在T点处。
  J2 }0 i2 j' \1 d1 x9 A曾经把DDR3走成T型拓扑，VTT匹配放在T点处，时钟频率只能到400mhz，再往上就跑不起来了。
& T( v- ?8 S& `2 w" l9 Q" w当然，不同IC的要求不尽相同。

lkzuihao

dzkcool 发表于 2013-11-8 14:49
DDR3一般建议地址线走Fly-By，而且要有终端VTT匹配。如果走T型拓扑，VTT匹配应当放在T点处。
& c% Z2 M6 w" |( O9 X曾经把DDR3走 ...

( K$ S# C8 Z0 g; @- W我们的是T型的，不过这个应该没有问题的，之前在别的板子上已经屡试不爽了（同一个IC的解决方案），600+M跑的哗哗的，从来没有出过问题

honejing

( r+ b  a  c/ y6 z如有 Layout 檔案，也許看看可以给你一點意見。
7 Y3 Y8 Y! A/ {
, n! b7 l/ |) Y4 M9 s% _5 D信號要這麼量，你量的電壓峰值有點小，DQ 信號也沒在 VDDQ/2 中間，怪怪!

lkzuihao

eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59
! S, y  T  s2 s9 {/ \就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
. w. z$ T! N3 A; m% u1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
& l  C6 l. N' X0 a2、时序，等长， ...

: U' z3 b0 r9 z; Z大家看一下我们的电源分割，图中高亮的铜皮是1.0V核心电压，左边是DCDC，右边是终端，紫色部分被割到第3层了，绿色部分在电源层，4片DDR被包围在里面。一致觉得这个不是很合理（这个我没办法），大家觉得会影响那么大么？

eeicciee

lkzuihao 发表于 2013-11-12 14:44
大家看一下我们的电源分割，图中高亮的铜皮是1.0V核心电压，左边是DCDC，右边是终端，紫色部分被割到第3 ...

6 j6 ^1 ^+ Y6 U' ~+ W* i8 g想知道是不是电源的原因，有一个办法。
$ O% j. |% C- r' P1、你跑一下正常的速率，然后测一下1.5V的电压波动范围。一般在1.425V~1.575V之间是正常
2、你跑一下不正常的速率，然后测一下1.5V的电压波动范围。如果1.425V~1.575V间，可以排除1.5V电源的因素；如果在1.425V~1.575V之外，那电源是因素之一，这个时候要多加点电容，把电压范围调整到1.425V~1.575V间，看看跑不跑得起来。
' H  r* c$ _9 b" P" [: f个人意见……

hudan050408707

都是牛人啊学习了

lkzuihao

honejing 发表于 2013-11-8 18:23
& X2 D( w4 U5 C3 x5 w  v如有 Layout 檔案，也許看看可以给你一點意見。

9 \+ t' ^7 i4 ^) u信號要這麼量，你量的電壓峰值有點小，DQ 信號也沒在 VD ...

上传了叠层文件

honejing

Hi,Lkzui
$ W! m& Y4 {. R  c8 R
/ u5 ~; g0 `4 {! cFor your reference.

lkzuihao

honejing 发表于 2013-11-12 22:54
7 p) V1 l7 H( w9 bHi,Lkzui

( T1 \! t; O2 f9 Z7 C" VFor your reference.

honejing:
- D5 T" i1 T% u昨天切割了下铜皮，貌似不是这个问题

honejing

一點速度上的改進都沒有嗎？仿真可以看出這片 GND plane 在一些頻點有2xx mV 的電位差。
  ]' a3 v0 R" ^1 b+ Z若不行只能實際量一些信號在判斷，可以先看寫DRAM 的 DQS/DQSB, Clock 對相位差。
另外要設法知道是寫錯或是讀錯？
或找出哪一個 DRAM 先錯，再抓問題。