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| 本帖最后由 超級狗 于 2025-4-25 08:32 编辑 * ]9 K: d/ D5 q, Z
 & @+ l% c* X  o, H) t# g輔助計算4 n: g1 {2 d, }$ o+ B
 這個電路當輸入端 High Side = 0V(GND)時,怎樣才能讓 MOS 管導通,不要讓電流走體二極管(Body Diode),避免造成輸出端 Low Side = 0.6V ~ 0.7V 的問題。
 * q) ?) Y! c4 n7 s
 * @; Q& K: i, s# j. _8 Y4 p假設:
 Z/ h% v3 n( O! A2 @( ILow Side Voltage = 1.8V/ j8 h. P/ Q2 h7 a0 U: K; D
 High Side Voltage = 3.3V
 * n7 Q1 {9 q( S7 h) Z, W: FPull-Up Resistor = 2.2KΩ/ ]9 O' J( b( {/ A$ k2 J
 
 ( L* Q3 i) O6 T: K: T: B' M, I哪條路徑阻力小,就會走那條路徑;意即,電流大的阻力就小。
 / O4 n, z3 w$ u6 g' p7 _9 g5 K& u" w) X- q4 P' K& g
 體二極管(Body Diode)若導通,電流計算如下;# L4 z* n( X$ m
 (1.8V - 0.6V) / 2.2KΩ = 545.5μA
 8 |9 z1 }, f. X, O. y假設體二極管(Body Diode)導通時的順向偏壓(Forward Voltage)為 0.6V。' @  w! ]5 x* t6 D& E
 
 0 X' N- @% |9 k1 O: f5 SMOS 管的通道若導通,電流計算如下;
 : W# B- \; [3 K0 L/ [0 y7 o1.8V / 2.2KΩ = 818.2μA
 $ e  f" K5 c' G1 ]6 e6 _/ K假設 MOS 管導通時 RDS(on) 遠小於 2.2KΩ,可以忽略不計!
 . D1 H; `* N" V1 z& }( B
 8 a; Y; p3 V  R# }6 P- v& R推論結果4 ~. t  @1 H" n* q: y
 如果 MOS 管在 VDS = 0.6V 時,ID 電流還能大於 818.2μA,這個電路就能正常工作了。考慮單體差異、測量誤差及環境變因等影響,為了確保 MOS 管能穩定導通需要多抓點餘量,也許可以取 10mA ~ 50mA 當門檻。5 D0 i- v9 Y1 z3 o
 
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 + d6 |0 ?3 }/ e2 x5 @9 K' `( F4 |+ e* a7 b1 B* k" M- @9 j+ z
 
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