MOS 电平转换电路故障

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radioes8：
产品是使用一段时间之后才故障的，使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数，反馈是OK 的。

9 g3 g, z( Z: _3 ^% b  h9 }如果檢查 MOS 管特性是正常的，那有可能是老化、環境...等因素造成參數漂移後產生的異常。

除了狗弟之前降低上拉（Pull-Up）電阻值的經驗外，器件規格也告訴我們，溫度降低、導通電阻 R_DS(on) 也會跟著降低，也可以噴冷凍劑在不良 MOS 管上試試，或吹風機加熱正常的 MOS 管。但這些手段僅是驗證測試，不能作為解決方案。
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單從供應商的規格來看，他們並不保證 1.8V 下能正常動作，最好能換成虐死批你呀（Nexperia）BSH103。
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關於這個電路在 1.8V 應用的風險，小弟在下一貼回您。
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( o  I9 U5 i+ ?7 y僅為個人建議！

/ o# L8 Y# [1 j4 ~  t附註：
我查看用戶設定，您並未被限制發言。
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radioes8 发表于 2025-4-23 21:34
产品是使用一段时间之后才故障的，使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数，反馈是OK 的。

潛在風險
上述討論僅侷限在 N-Channel MOSFET 導通的問題上，這些要求僅能保證電路最基本的正常動作，但大多數人都不會去量測 I²C 的特性。其實在國外的討論網站上，這個電路都只建議使用在 3.3V 和 5V 間的 I²C 電平轉換。然而華人卻很聰明的，把它照抄到 1.8V 和 3.3V 的應用上。
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由於 1.8V 已經接近 N-Channel MOSFET 的最低工作電壓了，對於 > 100KHz 的高速應用，上升時間（Rising Time）及下降時間（Falling Time）等特性，有可能會超出 I²C 或其它介面規範要求。大家都本著會動就好的原則，經常會忽略這些問題，在選擇器件規格時又不嚴加把關，所以偶有意外發生也是正常的，設計時宜對訊號進行量測及檢視。

我們之前的經驗是，應用於 1.8V 和 3.3V 的電平轉換，400KHz 之下的上升時間（Rising Time）及下降時間（Falling Time）會非常接近 I²C 規範要求，記得餘量 < 10ns。這個測試結果對於小米或華為這類的大客戶，可能就會提出質疑了。
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超級狗 发表于 2025-4-24 08:09
) H# z* V$ i5 N. n! n+ i潛在風險
上述討論僅侷限在 N-Channel MOSFET 導通的問題上，這些要求僅能保證電路正常動作，但大多數人 ...

Level Translator 介紹
$ [! O$ x; L+ w0 s2 T市售的 Level Translator，因為裡面會有 One Shot Accelerator 電路，能縮短上升時間（Rising Time）及下降時間（Falling Time），可以支援 ≥ 2MHz Open-Drain 傳輸應用。針對 1.8V 和 3.3V 間的 I2C 電壓轉換，如果設計不是只要求會動就好，或是 100KHz（含）以下的低速傳輸，宜選擇專用的 Level Translator IC。


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& F; Y2 E# t( R) B: o% l輔助計算
這個電路當輸入端 High Side = 0V（GND）時，怎樣才能讓 MOS 管導通，不要讓電流走體二極管（Body Diode），避免造成輸出端 Low Side = 0.6V ~ 0.7V 的問題。
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假設：
7 `) E1 m5 u) O% d  b; ZLow Side Voltage = 1.8V
& [& @) V( i- e: w- GHigh Side Voltage = 3.3V
: o' G9 |, x; V, A$ m. DPull-Up Resistor = 2.2KΩ
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% l7 K& t  H9 q. U1 p: p8 d5 v( q哪條路徑阻力小，就會走那條路徑；意即，電流大的阻力就小。

; F/ M0 E% I" W5 `& ^體二極管（Body Diode）若導通，電流計算如下；
(1.8V - 0.6V) / 2.2KΩ = 545.5μA
" P& z) u: L, Z$ i- Z假設體二極管（Body Diode）導通時的順向偏壓（Forward Voltage）為 0.6V。

MOS 管的通道若導通，電流計算如下；
2 `) n- S7 e# T* z2 I& p3 F% K1.8V / 2.2KΩ = 818.2μA
假設 MOS 管導通時 R_DS(on) 遠小於 2.2KΩ，可以忽略不計！

推論結果
, B: K" `1 q7 Q4 T如果 MOS 管在 V_DS = 0.6V 時，I_D 電流還能大於 818.2μA，這個電路就能正常工作了。考慮單體差異、測量誤差及環境變因等影響，為了確保 MOS 管能穩定導通需要多抓點餘量，也許可以取 10mA ~ 50mA 當門檻。
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radioes8

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超級狗 发表于 2025-04-24 14:15:31
輔助計算
$ g; r" \6 ?! E) r& r" _這個電路當輸入端 High Side = 0V（GND）時，怎樣才能讓 MOS 管導通，不要讓電流走體二極管（Body Diode），避免造成輸出端 Low Side = 0.6V ~ 0.7V 的問題。

% d. v& F! O* Y/ _假設：
" i- c! v3 E% uLow Side Voltage = 1.8V
: u. L1 E- ^$ i$ v8 o9 gHigh Side Voltage = 3.3V
Pull-Up Resistor = 2.2KΩ
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哪條路徑阻力小，就會走那條路徑；意即，電流大的阻力就小。

" d5 @/ x1 @( X/ @( v) x5 z* V體二極管（Body Diode）若導通，電流計算如下；
1 ~% y5 Z& s9 @! m* D! g8 B(1.8V - 0.6V) / 2.2KΩ = 545.5μA
; H, C$ ?% t2 C0 P3 I2 v2 p假設體二極管（Body Diode）導通時的順向偏壓（Forward Voltage）為 0.6V。

MOS 管的通道若導通，電流計算如下；
5 I; T  I+ R5 N' e8 U8 \, q6 A1.8V / 2.2KΩ = 818.2μA
假設 MOS 管導通時 R_DS(on) 遠小於 2.2KΩ，可以忽略不計！
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% \' G8 C$ Q7 A  A  W$ P7 K8 L1 x推論結果
如果 MOS 管在 V_DS = 0.6V 時，I_D 電流還能大於 818.2μA，這個電路就能正常工作了。考慮單體差異、測量誤差及環境變因等影響，為了確保 MOS 管能穩定導通需要多抓點餘量，也許可以取 10mA ~ 50mA 當門檻。
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radioes8

上拉电阻修改为1000可以验证下是否可以正常

KIRITOJ

左边3.3V要不要考虑接个上拉呢

1597689180@qq.c

学习了！

yhg-cad

过来学习一下