| 本帖最后由 超級狗 于 2025-4-22 17:07 编辑 4 R" a' ]" ~8 L: s5 ?. T( d2 E# n
 radioes8 发表于 2025-4-20 22:38* l- a( Q& V. s- e# T. J看了几遍您的帖子,还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗?8 R& _, q1 o6 T. \, \6 w( L7 ^7 j/ E
 1.目前看到饱和导通条件,要求VDS 大于(VGS ...
: w, Q/ A7 c( Y6 ?( n$ T狗弟想了一下該怎麼解釋會比較容易懂,咱們就先從臨界電壓(Threshold Voltage)的定義及測試方式開始吧!
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 VGS(th) 和 VDS v.s. ID 曲線都是用 SMU (Source Meter Unit) 量測的。   - R; ?. X& v" v& W- p4 Y- kMOSFET 臨界電壓(Threshold Voltage)VGS(th) 定義
 VDS = VGS 情況下,ID ≥ 250μA 的 VGS 電壓。(注意 Datasheet 上面有寫測試條件 VDS = VGS。) ! o- K+ ]0 |9 Q: \: x" F* x) R" W
 臨界電壓(Threshold Voltage)VGS(th) 的量測方式(僅為舉例說明,實際量測方式看儀器的作法。); VDS = VGS = 0.1V,檢查 ID 電流是否等於或大於 250μA。VDS = VGS = 0.2V,檢查 ID 電流是否等於或大於 250μA。VDS = VGS = 0.3V,檢查 ID 電流是否等於或大於 250μA。  m% U6 V# ^) v/ l7 i
… .. . 參照之前線性區(Linear Region)及飽和區(Saturation Region)附圖,測試就是約略沿著二區域中間那條藍色虛線分界一路測上去。只要你可以找到一個 VGS 電壓點能讓 ID ≥ 250μA,你就能宣稱那是臨界電壓(Threshold Voltage)VGS(th)。由於每顆 MOSFET 單體多少都會有些差異,所以就會得到類似 VGS(th) = 0.7V ~ 1.1V 這種結果。6 J6 F/ ^/ v+ Q3 H& i- ?7 F 
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