MOS 电平转换电路故障

bazhonglei

radioes8 发表于 2025-4-20 22:38
看了几遍您的帖子，还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗？
1.目前看到饱和导通条件，要求VDS 大于(VGS ...

% d! v, B1 k( A* V- E; W& D换个思路！假定MOS管截止，输入为0，那么VS是不是0.6V？那VGS就是1.8-0.6=1.2V，你的手册上VT最大1.1V，是不是很接近？另外你的MOS管显然要工作在开关模式，要工作在左侧和最下面两个区，也就是电阻区和截止区，条件是VG>VT，VDS<VG-VT和VG<VT，而不是你理解的饱和区。至于手册标的有没有水分，脱离开此电路，重新搭电路批量测一下就MOS就行，就测不良的，看看VGS=1.1是否能

超級狗

4 R" a' ]" ~8 L: s5 ?. T( d2 E# n

radioes8 发表于 2025-4-20 22:38
看了几遍您的帖子，还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗？
1.目前看到饱和导通条件，要求VDS 大于(VGS ...

: w, Q/ A7 c( Y6 ?( n$ T狗弟想了一下該怎麼解釋會比較容易懂，咱們就先從臨界電壓（Threshold Voltage）的定義及測試方式開始吧！
  X/ y9 m- A0 s7 F
/ q0 [: X4 Y  Y+ Q5 v

V_GS(th) 和 V_DS v.s. I_D 曲線都是用 SMU (Source Meter Unit) 量測的。

MOSFET 臨界電壓（Threshold Voltage）V_GS(th) 定義

V_DS = V_GS 情況下，I_D ≥ 250μA 的 V_GS 電壓。（注意 Datasheet 上面有寫測試條件 V_DS = V_GS。）

! o- K+ ]0 |9 Q: \: x" F* x) R" W

臨界電壓（Threshold Voltage）V_GS(th) 的量測方式（僅為舉例說明，實際量測方式看儀器的作法。）；

• V_DS = V_GS = 0.1V，檢查 I_D 電流是否等於或大於 250μA。
• V_DS = V_GS = 0.2V，檢查 I_D 電流是否等於或大於 250μA。
• V_DS = V_GS = 0.3V，檢查 I_D 電流是否等於或大於 250μA。
  

…

..

.

參照之前線性區（Linear Region）及飽和區（Saturation Region）附圖，測試就是約略沿著二區域中間那條藍色虛線分界一路測上去。只要你可以找到一個 V_GS 電壓點能讓 I_D ≥ 250μA，你就能宣稱那是臨界電壓（Threshold Voltage）V_GS(th)。由於每顆 MOSFET 單體多少都會有些差異，所以就會得到類似 V_GS(th) = 0.7V ~ 1.1V 這種結果。

超級狗

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超級狗 发表于 2025-4-21 11:12
# I' u; W# C6 _8 p! z狗弟想了一下該怎麼解釋會比較容易，咱們就先從臨界電壓（Threshold Voltage）的定義及測試方式開始吧！
...

6 r$ }$ D  E6 o8 A+ M& l& j- Q6 k如果有顆 N-Channel MOSFET 的規格宣稱臨界電壓（Threshold Voltage）V_GS(th) = 1.1V，但 Datasheet 中的 V_DS v.s. I_D 曲線，最低卻只有 V_GS = 2.5V，這代表何意？

那表示 SMU (Source Meter Unit) 在 V_GS < 2.5V 時，是掃描不出這些曲線的。我們可以了解，在 V_DS 高電壓時不會是問題，因為 V_GS(th) = 1.1V、這個電壓遠低於 2.5V，V_GS = V_DS = 1.1V MOSFET 就會導通了，V_DS 更大不會是問題。問題會出現在 V_DS 低電壓的部分，即虛線左側的線性區（Linear Region）。

簡單來說 V_GS(th) = 1.1V 僅表示在 V_DS = V_GS = 1.1V 這個點能導通；但不代表 V_DS < 1.1V 時，N-Channel MOSFET 有辦法穩定導通。而 MOSFET 導通時的內阻 R_DS(on) 很小、V_DS ≈ 0V，這個工作點在 V_DS v.s. I_D 曲線中，會非常靠近 X 軸及原點的地方。如果沒有低於 V_GS = 1.8V 對應曲線就意謂著，即便規格是 V_GS(th) = 1.1V，MOSFET 在 V_GS = 1.8V 且 V_DS < 1.8V 的狀況下是無法穩定導通的。

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, c1 W3 L; U- M3 S5 Y( ~6 ~- p

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超級狗

超級狗 发表于 2025-4-20 23:35
樓主大人：
要詳細寫得花點時間，我找時間再給完整的答覆。但可以給您幾個提示，您先想一下！

. |+ z' t' E3 E* [. Y' ]) w5 X小弟一開始請樓主比對暗蝦密（On-Semiconductor）NTA4153N 的規格，看能否發現一些差異，現在您再看一次、就會有感覺了！
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再见海贼王

bazhonglei 发表于 2025-4-18 11:37
- @9 U+ S/ p7 g9 `* n( r输入为0，由于VGS=0，MOS管截止，但是由于体二极管的存在，导致VS=0.6V，此时VD=0，VG=1.8V，VT=1.1V，VGD> ...

个人觉得，小电流时，二极管压降随电流变化比较明显，不能简单的定义为0.6V；只能说有可能处于饱和区，具体值需要知道MOS管工艺参数假设处在某个区来计算。这种最好实测或者仿真，要不就留大余量。
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超級狗

超級狗 发表于 2025-4-21 12:07
6 J& m$ E3 t; A) T4 C1 Z3 T. ]$ L如果有顆 N-Channel MOSFET 的規格宣稱臨界電壓（Threshold Voltage）V = 1.1V，但 Datasheet 中的 V v.s ...

' e/ {. I* r) K

案例分享

之前任職過的公司，也有工程師隨便選擇了 AOS (Alpha and Omega Semiconductor) 的某個 N-Channel MOSFET 型號，搭配 2.2KΩ 的 Pull-Up 電阻，用來設計 3.3V to 5V I²C Level Translator 電路。當時也遭遇到無法正常工作的問題，但我們把 Pull-Up 電阻降低至 240Ω 後，這個電路就能動作了。

% D# X+ r7 Q# G8 ~. T' V3 X9 `為什麼 Pull-Up 電阻 ≤ 240Ω 後就能動作了？

因為 MOSFET 沒完全導通，通道電阻 R_DS 很大（不寫 R_DS(on) 是因為 MOSFET 沒完全打開，不能被稱為 On 的狀態。）。但 Pull-Up 電阻降低後，和通道電阻 R_DS 接近了，分壓後會將 V_DS 電壓拉高，此時 N-Channel MOSFET 就有機會進入導通區域了。（僅是有機會，不代表一定會！）

% Y. s' O& I# h/ ~, v2 m  c( }

但這個改變會讓電路很耗電，僅建議作為測試或暫時的補救措施。正確的作法還是應該選擇適當規格的 N-Channel MOSFET，或是使用專用的 Level Translator IC。
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( Z7 a* D9 q, N+ K  \

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radioes8

超級狗 发表于 2025-4-21 12:07
- ?: @4 _$ E" O" H% T5 `2 t如果有顆 N-Channel MOSFET 的規格宣稱臨界電壓（Threshold Voltage）V = 1.1V，但 Datasheet 中的 V v.s ...

回复不了，不知道为什么。

超級狗

radioes8 发表于 2025-4-22 23:20
回复不了，不知道为什么。

樓主大人：
您的標題是寫「故障」，想請教一下。
/ s$ J0 d! a7 W+ p3 D

• 電路一開始是能正常工作，後來才不能動嗎？
• 確認是 MOS 管單體壞了嗎？
  

. }% g* J' `, p/ k# i

0 X: d) _% ?  q! r- a+ ^

超級狗

radioes8 发表于 2025-4-22 23:20
回复不了，不知道为什么。

( c# m$ ^  B; v1 _+ y2 G/ kV_GS v.s. R_DS(on) 曲線不是每家都會提供，暗蝦密（On-Semiconductor）NTA4153N 就沒有，但可以比對虐死批你呀（Nexperia）BSH103 的曲線。

2 {4 P! `- k: d* k- v我有點懷疑你貼圖裏面，V_DS v.s. I_D 中那條 V_GS = 1.5V 的線，R_DS(on) 測試是不限制 V_DS 電平的，它是卡導通電流 I_D 。畫得出 I_D 曲線、卻畫不出 R_DS(on) 曲線，令人費解！意思是說，V_DS 低壓的時候 I_D  沒問題 ；但在 V_DS 高壓的時候，R_DS(on) 卻有問題。
$ e4 s, w3 @4 {; T, ?7 I; i
/ b; Z5 ?* @( e" ~' Q0 P3 ~你看虐死批你呀（Nexperia）BSH103 的 V_GS v.s. R_DS(on) 曲線，人家就老老實實的畫到 V_GS = 1.4V 左右。從 R_DS(on) 曲線看，感覺您的 MOS 管在  V_GS = 1.8V 時，都還在要開、不開的狀態。（請參考截圖標示的紅色參考線）
2 c( b5 @7 d1 B
' N9 j. F6 }, X7 J0 ]  ?  V另一點是，MOS 管壞掉和電路不會動是兩回事，這點得先釐清！
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5 L5 S+ p; {$ l& D: W5 M( Y6 g3 d

超級狗

4 e) I$ d4 J9 W4 r! F

radioes8 发表于 2025-4-22 23:20
回复不了，不知道为什么。

小弟也怕自己的觀念有錯，特地去問了人工腦殘。它說樓主這顆 MOS 管，不適合 1.8V 和 3.3V 間的 I²C 電平轉換應用。

; y" b' J5 v0 K( B3 K當小弟再度追問其關鍵原因，它給了下列幾點結論。

人工腦殘結論

• V_GS v.s. R_DS(on) 曲線圖顯示， MOS 管在 V_GS = 2V 左右才打開。
• 只要 Datasheet 沒有列出 R_DS(on) @ 1.8V，基本上就不要指望它能在 1.8V 下穩定導通。
  
  ( g! \; _5 g4 b! i. x, D- w

其實這就是我和龍大看法相近之處，你至少要敢寫、我才信你！
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! z9 M/ k: z- h0 A
" T. @+ k! q$ o' Z

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huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-23 10:35
小弟也怕自己的觀念有錯，特地去問了人工腦殘。它說樓主這顆 MOS 管，不適合 1.8V 和 3.3V 間的 IC 電平 ...

狗大，逻辑反了。是没有写的不能相信。写了不一定行。
# G: n7 x5 d! j0 e" N9 |手册中有只是我们甩锅的对象，项目找人背锅能证明不是我们问题。
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radioes8

超級狗 发表于 2025-4-23 07:35
2 k* M- a! o0 g* k7 l7 X  W9 h樓主大人：
您的標題是寫「故障」，想請教一下。

产品是使用一段时间之后才故障的，使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数，反馈是OK 的。

radioes8

超級狗 发表于 2025-04-23 08:46:17
) j6 Y+ a) G: r% W# H( J3 f# u- S


/ m8 G/ Q' {! W& o  X0 B
V_GS v.s. R_DS(on) 曲線不是每家都會提供，暗蝦密（On-Semiconductor）NTA4153N 就沒有，但可以比對虐死批你呀（Nexperia）BSH103 的曲線。

我有點懷疑你貼圖裏面，V_DS v.s. I_D 中那條 V_GS = 1.5V 的線，R_DS(on) 測試是不限制 V_DS 電平的，它是卡導通電流 I_D 。畫得出 I_D 曲線、卻畫不出 R_DS(on) 曲線，令人費解！意思是說，V_DS 低壓的時候 I_D  沒問題 ；但在 V_DS 高壓的時候，R_DS(on) 卻有問題。

! M  t$ M2 M5 I4 i8 C! U你看虐死批你呀（Nexperia）BSH103 的 V_GS v.s. R_DS(on) 曲線，人家就老老實實的畫到 V_GS = 1.4V 左右。從 R_DS(on) 曲線看，感覺您的 MOS 管在  V_GS = 1.8V 時，都還在要開、不開的狀態。（請參考截圖標示的紅色參考線）
: ^& u/ z+ S7 t3 T0 C
另一點是，MOS 管壞掉和電路不會動是兩回事，這點得先釐清！
) k& H. s/ r+ I( g. g* ]
9 }  y! N4 e/ P

我好像被限制发言了

超級狗

radioes8：
产品是使用一段时间之后才故障的，使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数，反馈是OK 的。

如果檢查 MOS 管特性是正常的，那有可能是老化、環境...等因素造成參數漂移後產生的異常。
4 G4 n+ M) w' F% F" r6 j' j1 ^/ W
- A6 [( w3 w  _$ V除了狗弟之前降低上拉（Pull-Up）電阻值的經驗外，器件規格也告訴我們，溫度降低、導通電阻 R_DS(on) 也會跟著降低，也可以噴冷凍劑在不良 MOS 管上試試，或吹風機加熱正常的 MOS 管。但這些手段僅是驗證測試，不能作為解決方案。

& U* s$ g. ~6 X: V% Z4 L單從供應商的規格來看，他們並不保證 1.8V 下能正常動作，最好能換成虐死批你呀（Nexperia）BSH103。
' c" `% Y3 j: w7 p
關於這個電路在 1.8V 應用的風險，小弟在下一貼回您。

僅為個人建議！

附註：
我查看用戶設定，您並未被限制發言。

超級狗

radioes8 发表于 2025-4-23 21:34
/ H( |' m$ v1 t0 u  F- d) C: l$ a& L产品是使用一段时间之后才故障的，使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数，反馈是OK 的。

* |7 R( z8 o- J2 S3 ^1 c) N1 s潛在風險
3 U' Z$ V! H* _0 \& s  d6 J* x上述討論僅侷限在 N-Channel MOSFET 導通的問題上，這些要求僅能保證電路最基本的正常動作，但大多數人都不會去量測 I²C 的特性。其實在國外的討論網站上，這個電路都只建議使用在 3.3V 和 5V 間的 I²C 電平轉換。然而華人卻很聰明的，把它照抄到 1.8V 和 3.3V 的應用上。
4 G+ K/ m! P: {2 h! ^3 }- u2 l" J
由於 1.8V 已經接近 N-Channel MOSFET 的最低工作電壓了，對於 > 100KHz 的高速應用，上升時間（Rising Time）及下降時間（Falling Time）等特性，有可能會超出 I²C 或其它介面規範要求。大家都本著會動就好的原則，經常會忽略這些問題，在選擇器件規格時又不嚴加把關，所以偶有意外發生也是正常的，設計時宜對訊號進行量測及檢視。
' }6 J, i6 ]! m6 L% u8 ?
5 s* Q0 m) D! y  h; }* C4 p3 h: d我們之前的經驗是，應用於 1.8V 和 3.3V 的電平轉換，400KHz 之下的上升時間（Rising Time）及下降時間（Falling Time）會非常接近 I²C 規範要求，記得餘量 < 10ns。這個測試結果對於小米或華為這類的大客戶，可能就會提出質疑了。


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