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楼主: radioes8
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MOS 电平转换电路故障

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16#
发表于 2025-4-21 10:14 | 只看该作者
radioes8 发表于 2025-4-20 22:38" O0 G9 j: K+ B3 |% f
看了几遍您的帖子,还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗?! k. t% b1 u0 O
1.目前看到饱和导通条件,要求VDS 大于(VGS ...

% d! v, B1 k( A* V- E; W& D换个思路!假定MOS管截止,输入为0,那么VS是不是0.6V?那VGS就是1.8-0.6=1.2V,你的手册上VT最大1.1V,是不是很接近?另外你的MOS管显然要工作在开关模式,要工作在左侧和最下面两个区,也就是电阻区和截止区,条件是VG>VT,VDS<VG-VT和VG<VT,而不是你理解的饱和区。至于手册标的有没有水分,脱离开此电路,重新搭电路批量测一下就MOS就行,就测不良的,看看VGS=1.1是否能& ~8 Z. L/ G! e2 n1 Z# |; y3 @

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17#
发表于 2025-4-21 11:12 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-22 17:07 编辑
4 R" a' ]" ~8 L: s5 ?. T( d2 E# n
radioes8 发表于 2025-4-20 22:38* l- a( Q& V. s- e# T. J
看了几遍您的帖子,还是没有看到重点。能详细帮忙解释下吗?8 R& _, q1 o6 T. \, \6 w( L7 ^7 j/ E
1.目前看到饱和导通条件,要求VDS 大于(VGS ...

: w, Q/ A7 c( Y6 ?( n$ T狗弟想了一下該怎麼解釋會比較容易懂,咱們就先從臨界電壓Threshold Voltage)的定義及測試方式開始吧!
  X/ y9 m- A0 s7 F
/ q0 [: X4 Y  Y+ Q5 v
VGS(th)VDS v.s. ID 曲線都是用 SMU (Source Meter Unit) 量測的。
- R; ?. X& v" v& W- p4 Y- k
MOSFET 臨界電壓
Threshold VoltageV
GS(th) 定義
VDS = VGS 情況下,ID 250μAVGS 電壓。(注意 Datasheet 上面有寫測試條件 VDS = VGS。)

! o- K+ ]0 |9 Q: \: x" F* x) R" W
臨界電壓Threshold VoltageVGS(th) 的量測方式(僅為舉例說明,實際量測方式看儀器的作法。);
  • VDS = VGS = 0.1V,檢查 ID 電流是否等於或大於 250μA。
  • VDS = VGS = 0.2V,檢查 ID 電流是否等於或大於 250μA。
  • VDS = VGS = 0.3V,檢查 ID 電流是否等於或大於 250μA。  m% U6 V# ^) v/ l7 i
..
.
參照之前線性區Linear Region)及飽和區Saturation Region附圖,測試就是約略沿著二區域中間那條藍色虛線分界一路測上去。只要你可以找到一個 VGS 電壓點能讓 ID ≥ 250μA,你就能宣稱那是臨界電壓Threshold VoltageVGS(th)。由於每顆 MOSFET 單體多少都會有些差異,所以就會得到類似 VGS(th) = 0.7V ~ 1.1V 這種結果。
6 J6 F/ ^/ v+ Q3 H& i- ?7 F

MOSFET Linear Region v.s. Saturation Region.jpg (36.29 KB, 下载次数: 8)

MOSFET Linear Region v.s. Saturation Region.jpg

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如果有顆 N-Channel MOSFET 的規格宣稱臨界電壓(Threshold Voltage)V = 1.1V,但 Datasheet 中的 V v.s. I 曲線,最低卻只有 V = 2.5V,這代表何意? 那表示 SMU (Source Meter Unit) 在 V < 2.5V 時,是掃瞄不  详情 回复 发表于 2025-4-21 12:07

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18#
发表于 2025-4-21 12:07 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-22 10:53 编辑
" g& l+ c1 K0 A: a* Z
超級狗 发表于 2025-4-21 11:12
# I' u; W# C6 _8 p! z狗弟想了一下該怎麼解釋會比較容易,咱們就先從臨界電壓(Threshold Voltage)的定義及測試方式開始吧!" ^( o! q9 Z' x& j5 l6 j6 I
...

6 r$ }$ D  E6 o8 A+ M& l& j- Q6 k如果有顆 N-Channel MOSFET 的規格宣稱臨界電壓Threshold VoltageVGS(th) = 1.1V,但 Datasheet 中的 VDS v.s. ID 曲線,最低卻只有 VGS = 2.5V,這代表何意?' ^" c; d7 M7 k9 r& v6 u3 o
; \2 ?: |* h. R4 u
那表示 SMU (Source Meter Unit) 在 VGS < 2.5V 時,是掃描不出這些曲線的。我們可以了解,在 VDS 高電壓時不會是問題,因為 VGS(th) = 1.1V、這個電壓遠低於 2.5VVGS = VDS = 1.1V MOSFET 就會導通了,VDS 更大不會是問題。問題會出現在 VDS 低電壓的部分,即虛線左側的線性區Linear Region)。+ n7 _+ ^2 j* r. b% j6 @
- p. `- O- q" l8 E& k5 m# h
簡單來說 VGS(th) = 1.1V 僅表示在 VDS = VGS = 1.1V 這個點能導通;但不代表 VDS < 1.1V 時N-Channel MOSFET 有辦法穩定導通。而 MOSFET 導通時的內阻 RDS(on) 很小、VDS ≈ 0V,這個工作點在 VDS v.s. ID 曲線中,會非常靠近 X 軸及原點的地方。如果沒有低於 VGS = 1.8V 對應曲線就意謂著,即便規格是 VGS(th) = 1.1V,MOSFET 在 VGS = 1.8VVDS < 1.8V 的狀況下無法穩定導通的- I, I6 F+ G9 D* f& w/ Q+ Y7 M1 x

, L- R5 \  F& G, \6 o% H7 m! X! x/ x, @

, c1 W3 L; U- M3 S5 Y( ~6 ~- p2 }5 o/ w+ ?( n

8 t( e7 R9 Q$ F9 i$ `% x& ~& q, ]- N& _* T5 P, }/ Z! h3 D
# d9 f# E7 }6 `/ k

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回复不了,不知道为什么。  详情 回复 发表于 2025-4-22 23:20
案例分享之前任職過的公司,也有工程師選擇了 AOS (Alpha and Omega Semiconductor) 的某個 N-Channel MOSFET 型號,搭配 2.2KΩ 的 Pull-Up 電阻,用來設計 3.3V to5V IC Level Translator 電路。當時也遭遇到無法  详情 回复 发表于 2025-4-21 14:08

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19#
发表于 2025-4-21 12:14 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-20 23:355 Y, f! ~2 e1 |$ [- F
樓主大人:9 \8 A+ K% g# [) j* l8 n; R
要詳細寫得花點時間,我找時間再給完整的答覆。但可以給您幾個提示,您先想一下!

. |+ z' t' E3 E* [. Y' ]) w5 X小弟一開始請樓主比對暗蝦密On-SemiconductorNTA4153N 的規格,看能否發現一些差異,現在您再看一次、就會有感覺了!
8 v5 ~/ [3 @3 p5 r, k# P8 g2 d! g0 o( ~6 L1 U1 g# i: \: S# q
  b% t: q* f+ \, s8 J
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On-Semiconductor NTA4153N On Characteristics.jpg (44.33 KB, 下载次数: 8)

On-Semiconductor NTA4153N On Characteristics.jpg

On-Semiconductor NTA4153N Vds v.s. Id Curve.jpg (44.58 KB, 下载次数: 7)

On-Semiconductor NTA4153N Vds v.s. Id Curve.jpg

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20#
发表于 2025-4-21 13:46 | 只看该作者
bazhonglei 发表于 2025-4-18 11:37
- @9 U+ S/ p7 g9 `* n( r输入为0,由于VGS=0,MOS管截止,但是由于体二极管的存在,导致VS=0.6V,此时VD=0,VG=1.8V,VT=1.1V,VGD> ...
3 z; t5 l1 K! H4 T
个人觉得,小电流时,二极管压降随电流变化比较明显,不能简单的定义为0.6V;只能说有可能处于饱和区,具体值需要知道MOS管工艺参数假设处在某个区来计算。这种最好实测或者仿真,要不就留大余量。
4 W/ C2 W, F* b) Q9 M  B

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21#
发表于 2025-4-21 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-22 10:55 编辑 5 e# Z2 H  ?& U1 b( a
超級狗 发表于 2025-4-21 12:07
6 J& m$ E3 t; A) T4 C1 Z3 T. ]$ L如果有顆 N-Channel MOSFET 的規格宣稱臨界電壓(Threshold Voltage)V = 1.1V,但 Datasheet 中的 V v.s ...
4 p: k& j* Y* Q# ]0 O1 l4 {

' e/ {. I* r) K
案例分享
之前任職過的公司,也有工程師隨便選擇了 AOS (Alpha and Omega Semiconductor) 的某個 N-Channel MOSFET 型號,搭配 2.2KΩ 的 Pull-Up 電阻,用來設計 3.3V to 5V I2C Level Translator 電路。當時也遭遇到無法正常工作的問題,但我們把 Pull-Up 電阻降低至 240Ω 後,這個電路就能動作了。

% D# X+ r7 Q# G8 ~. T' V3 X9 `為什麼 Pull-Up 電阻 ≤ 240Ω 後就能動作了?
因為 MOSFET 沒完全導通,通道電阻 RDS 很大(不寫 RDS(on) 是因為 MOSFET 沒完全打開,不能被稱為 On 的狀態。)。但 Pull-Up 電阻降低後,和通道電阻 RDS 接近了,分壓後會將 VDS 電壓拉高,此時 N-Channel MOSFET 就有機會進入導通區域了。(僅是有機會不代表一定會!)

% Y. s' O& I# h/ ~, v2 m  c( }
但這個改變會讓電路很耗電,僅建議作為測試或暫時的補救措施。正確的作法還是應該選擇適當規格的 N-Channel MOSFET,或是使用專用的 Level Translator IC
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( Z7 a* D9 q, N+ K  \

9 D9 N- @3 O# W6 J( v5 _% a- K6 O

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22#
 楼主| 发表于 2025-4-22 23:20 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-21 12:07
- ?: @4 _$ E" O" H% T5 `2 t如果有顆 N-Channel MOSFET 的規格宣稱臨界電壓(Threshold Voltage)V = 1.1V,但 Datasheet 中的 V v.s ...
3 x9 `$ K1 c  X6 M& B
回复不了,不知道为什么。: m7 C# K! K/ V/ \$ j

二极管参数.png (150.63 KB, 下载次数: 8)

二极管参数.png

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谢谢分享!: 5.0
小弟也怕自己的觀念有錯,特地去問了人工腦殘。它說樓主這顆 MOS 管,不適合 1.8V 和 3.3V 間的 IC 電平轉換應用。 當小弟再度追問其關鍵原因,它給了下列幾點結論。 人工腦殘結論 [*]V v.s. R 曲線圖顯示  详情 回复 发表于 2025-4-23 10:35
谢谢分享!: 5
樓主能告知 MOS 管的廠牌及型號嗎?小弟只是好奇,大廠牌應該沒有規格標示不清的問題。^_^  发表于 2025-4-23 09:11
V v.s. R 曲線不是每家都會提供,暗蝦密(On-Semiconductor)NTA4153N 就沒有,但可以比對虐死批你呀(Nexperia)BSH103 的曲線。 我有點懷疑你貼圖裏面,V v.s. I 中那條 V = 1.5V 的線,R 測試是不限制 V 電平  详情 回复 发表于 2025-4-23 08:46
樓主大人: 您的標題是寫「故障」,想請教一下。 [*]電路一開始是能正常工作,後來才不能動嗎? [*]確認是 MOS 管單體壞了嗎?  详情 回复 发表于 2025-4-23 07:35

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23#
发表于 2025-4-23 07:35 | 只看该作者
radioes8 发表于 2025-4-22 23:20, i) ~' r& k! }1 l1 T& @1 ~, G
回复不了,不知道为什么。
+ J$ u; X& t9 C2 b
樓主大人:1 }" Y0 s! J) P7 b  {
您的標題是寫「故障」,想請教一下。
/ s$ J0 d! a7 W+ p3 D1 V2 p" ~9 K0 M! @, e( b* m
  • 電路一開始是能正常工作,後來才不能動嗎?
  • 確認是 MOS 管單體壞了嗎?9 q) S6 r) s7 L# m+ K

. }% g* J' `, p/ k# i9 w" \: x1 B1 w; ]8 j

0 X: d) _% ?  q! r- a+ ^

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产品是使用一段时间之后才故障的,使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数,反馈是OK 的。  详情 回复 发表于 2025-4-23 21:34

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24#
发表于 2025-4-23 08:46 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-23 12:06 编辑 3 C0 L! C2 W8 z. h: G: W! W
radioes8 发表于 2025-4-22 23:20/ m2 s6 l$ [6 {- n2 b2 Q3 l
回复不了,不知道为什么。
* s% k8 R" a, h2 z  o4 x! ~1 s/ p7 j3 `

( c# m$ ^  B; v1 _+ y2 G/ kVGS v.s. RDS(on) 曲線不是每家都會提供,暗蝦密On-SemiconductorNTA4153N 就沒有,但可以比對虐死批你呀NexperiaBSH103 的曲線。1 D- A' o2 G+ |( @$ U! E- m7 `

2 {4 P! `- k: d* k- v我有點懷疑你貼圖裏面,VDS v.s. ID 中那條 VGS = 1.5V 的線,RDS(on) 測試是不限制 VDS 電平的,它是卡導通電流 ID 。畫得出 ID 曲線、卻畫不出 RDS(on) 曲線,令人費解!意思是說,VDS 低壓的時候 ID  沒問題 ;但在 VDS 高壓的時候,RDS(on) 卻有問題。
$ e4 s, w3 @4 {; T, ?7 I; i
/ b; Z5 ?* @( e" ~' Q0 P3 ~你看
虐死批你呀NexperiaBSH103VGS v.s. RDS(on) 曲線,人家就老老實實的畫到 VGS = 1.4V 左右。從 RDS(on) 曲線看,感覺您的 MOS 管在  VGS = 1.8V 時,都還在要開、不開的狀態。(請參考截圖標示的紅色參考線)
2 c( b5 @7 d1 B
' N9 j. F6 }, X7 J0 ]  ?  V另一點是,MOS 管壞掉和電路不會動是兩回事,這點得先釐清!
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5 L5 S+ p; {$ l& D: W5 M( Y6 g3 d

DUT Vgs v.s. Rds(on) Curve.jpg (7.22 KB, 下载次数: 6)

DUT Vgs v.s. Rds(on) Curve.jpg

Nexperia BSH103 Vgs v.s. Rds(on) Curve.jpg (41.63 KB, 下载次数: 8)

Nexperia BSH103 Vgs v.s. Rds(on) Curve.jpg

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25#
发表于 2025-4-23 10:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-23 12:10 编辑
4 e) I$ d4 J9 W4 r! F
radioes8 发表于 2025-4-22 23:20- E( Q0 J4 q, n# ]9 G4 ~
回复不了,不知道为什么。
( l0 B$ G, I, T2 t4 O- {
小弟也怕自己的觀念有錯,特地去問了人工腦殘。它說樓主這顆 MOS 管,不適合 1.8V3.3V 間的 I2C 電平轉換應用。# r4 r* N, L1 f  f7 Y/ m

; y" b' J5 v0 K( B3 K當小弟再度追問其關鍵原因,它給了下列幾點結論。! j1 [- _. q$ `4 ]9 W
) |3 E* I% `) k3 z0 W+ Y
人工腦殘結論2 o. k! I2 b7 F+ X) k
  • VGS v.s. RDS(on) 曲線圖顯示, MOS 管在 VGS = 2V 左右才打開
  • 只要 Datasheet 沒有列出 RDS(on) @ 1.8V,基本上就不要指望它能在 1.8V 下穩定導通* P# X7 L$ a/ v! f

    ( g! \; _5 g4 b! i. x, D- w
其實這就是我和龍大看法相近之處,你至少要敢寫我才信你
6 m5 A' l9 c# s# }# m3 B: [1 m9 |; J
! z9 M/ k: z- h0 A

" T. @+ k! q$ o' Z
& E' o4 v" j7 J* K" ?( g* u

1 V/ e# Q* t3 j3 x9 m: ]3 _. Y  t# P

) t# u9 W* X8 u* K$ }/ w
/ I) ~4 `- a, l: a" M

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狗大,逻辑反了。是没有写的不能相信。写了不一定行。 手册中有只是我们甩锅的对象,项目找人背锅能证明不是我们问题。  详情 回复 发表于 2025-4-23 11:00

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26#
发表于 2025-4-23 11:00 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-23 10:35; z* l' w) Q( j* F3 J
小弟也怕自己的觀念有錯,特地去問了人工腦殘。它說樓主這顆 MOS 管,不適合 1.8V 和 3.3V 間的 IC 電平 ...
: ^0 A8 V4 [6 I/ }& x
狗大,逻辑反了。是没有写的不能相信。写了不一定行。
# G: n7 x5 d! j0 e" N9 |手册中有只是我们甩锅的对象,项目找人背锅能证明不是我们问题。
6 w5 G0 U* e0 Y9 R

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谢谢分享!: 5.0
從業界經驗來看,領導都是昏庸的。留下 Vgs(th) = 0.7V ~ 1.1V 那張貼圖,其它的圖都扔掉。^_^  发表于 2025-4-23 12:58
谢谢分享!: 5
龍大果然是國之棟樑,難怪狗弟從鎮輔司到軍機處,都只能幹挑糞的工作。T_T  发表于 2025-4-23 12:37

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27#
 楼主| 发表于 2025-4-23 21:34 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-23 07:35
2 k* M- a! o0 g* k7 l7 X  W9 h樓主大人:+ ~- r+ s' k: w6 N+ G7 a
您的標題是寫「故障」,想請教一下。
; n4 W6 I! d9 k0 F7 C
产品是使用一段时间之后才故障的,使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数,反馈是OK 的。3 j; F6 w) Q3 ~* j( c

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潛在風險 上述討論僅侷限在 N-Channel MOSFET 導通的問題上,這些要求僅能保證電路正常動作,但大多數人都不會去量測 IC 的特性。其實在國外的討論網站上,這個電路都只建議使用在 3.3V 和 5V 間的 IC 電平轉換。然  详情 回复 发表于 2025-4-24 08:09
如果檢查 MOS 管特性是正常的,那有可能是老化、環境...等因素造成後來的異常。 除了狗弟之前降上拉(Pull-Up)電阻值的經驗外,器件規格也告訴我們,溫度降低、導通電阻 R 也會跟著降低,也可以噴冷凍劑在 MOS  详情 回复 发表于 2025-4-24 07:48

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超級狗 + 5 我無法想像,自己能寫出這麼多東西!

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28#
 楼主| 发表于 2025-4-23 23:04 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-04-23 08:46:17
) j6 Y+ a) G: r% W# H( J3 f# u- S 本帖最后由 超級狗 于 2025-4-23 12:06 编辑 4 P) V9 [4 c7 S% I
2 z. o; w' ?& a% o

/ m8 G/ Q' {! W& o  X0 B" T# o' U- N- ?
VGS v.s. RDS(on) 曲線不是每家都會提供,暗蝦密On-SemiconductorNTA4153N 就沒有,但可以比對虐死批你呀NexperiaBSH103 的曲線。) s# J0 ^. r( k
* n" i6 L, e% G
我有點懷疑你貼圖裏面,VDS v.s. ID 中那條 VGS = 1.5V 的線,RDS(on) 測試是不限制 VDS 電平的,它是卡導通電流 ID 。畫得出 ID 曲線、卻畫不出 RDS(on) 曲線,令人費解!意思是說,VDS 低壓的時候 ID  沒問題 ;但在 VDS 高壓的時候,RDS(on) 卻有問題。9 j# N) q' U. n7 ?* a

! M  t$ M2 M5 I4 i8 C! U你看
虐死批你呀NexperiaBSH103VGS v.s. RDS(on) 曲線,人家就老老實實的畫到 VGS = 1.4V 左右。從 RDS(on) 曲線看,感覺您的 MOS 管在  VGS = 1.8V 時,都還在要開、不開的狀態。(請參考截圖標示的紅色參考線)
: ^& u/ z+ S7 t3 T0 C, }7 H; b$ M2 w% C  r
另一點是,MOS 管壞掉和電路不會動是兩回事,這點得先釐清!
) k& H. s/ r+ I( g. g* ]
9 }  y! N4 e/ P
; L  U3 R+ p, @9 E
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我好像被限制发言了- t2 ?  Z* t3 B
+ Q- x: r8 }8 R. m+ F  ]

“来自电巢APP”

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29#
发表于 2025-4-24 07:48 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-24 14:55 编辑 " y& {% _8 Q( c( B6 r
radioes8:9 u/ y- I" M- k  P
产品是使用一段时间之后才故障的,使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数,反馈是OK 的。
1 f* T' m. l$ P1 }, O9 J7 w* W( I
如果檢查 MOS 管特性是正常的,那有可能是老化、環境...等因素造成參數漂移後產生的異常。
4 G4 n+ M) w' F% F" r6 j' j1 ^/ W
- A6 [( w3 w  _$ V除了狗弟之前降低上拉Pull-Up)電阻值的經驗外,器件規格也告訴我們,溫度降低、導通電阻 RDS(on) 也會跟著降低,也可以噴冷凍劑在不良 MOS 管上試試,或吹風機加熱正常的 MOS 管。但這些手段僅是驗證測試,不能作為解決方案。4 i$ b0 q7 W5 z5 Y& m$ m

& U* s$ g. ~6 X: V% Z4 L單從供應商的規格來看,他們並不保證 1.8V 下能正常動作,最好能換成虐死批你呀NexperiaBSH103
' c" `% Y3 j: w7 p9 f7 O0 j9 l2 v% j$ z0 X4 e
關於這個電路在 1.8V 應用的風險,小弟在下一貼回您。8 M% j. Y2 R4 T& s, {
) U5 ?5 c3 m. L* e" F0 s& ?
僅為個人建議!/ ~1 J, Z' G  E$ K9 a* b
" M$ M. V& y) Q5 l: C1 i5 O& R) q0 _1 Q
附註:9 N& d' {$ w4 M4 ]/ @" X+ {$ |
我查看用戶設定,您並未被限制發言。  ~' D+ j2 R( {8 H2 r
1 `, C, p- F, W

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30#
发表于 2025-4-24 08:09 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-24 09:23 编辑 ' ^% I  x; `, b% S* n) W
radioes8 发表于 2025-4-23 21:34
/ H( |' m$ v1 t0 u  F- d) C: l$ a& L产品是使用一段时间之后才故障的,使用之前是好的。管子对照规格书测试相关参数,反馈是OK 的。

* |7 R( z8 o- J2 S3 ^1 c) N1 s潛在風險
3 U' Z$ V! H* _0 \& s  d6 J* x上述討論僅侷限在 N-Channel MOSFET 導通的問題上,這些要求僅能保證電路最基本的正常動作,但大多數人都不會去量測 I2C 的特性。其實在國外的討論網站上,這個電路都只建議使用在 3.3V5V 間的 I2C 電平轉換。然而華人卻很聰明的,把它照抄到 1.8V3.3V 的應用上。
4 G+ K/ m! P: {2 h! ^3 }- u2 l" J" M6 g7 w- P+ c7 X" B
由於 1.8V 已經接近 N-Channel MOSFET 的最低工作電壓了,對於 > 100KHz 的高速應用,上升時間Rising Time)及下降時間Falling Time)等特性,有可能會超出 I2C 或其它介面規範要求。大家都本著會動就好的原則,經常會忽略這些問題,在選擇器件規格時又不嚴加把關,所以偶有意外發生也是正常的,設計時宜對訊號進行量測及檢視。
' }6 J, i6 ]! m6 L% u8 ?
5 s* Q0 m) D! y  h; }* C4 p3 h: d我們之前的經驗是,應用於 1.8V3.3V 的電平轉換,400KHz 之下的上升時間Rising Time)及下降時間Falling Time)會非常接近 I2C 規範要求,記得餘量 < 10ns
。這個測試結果對於小米或華為這類的大客戶,可能就會提出質疑了。3 z, `% S4 Z2 F  t. j8 D0 {
6 t3 k! A; B; T

+ Q5 i' V0 |: W+ o- t# ~! [! E4 c, f8 {( T6 Z- i
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