为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？【ADI】

jacky401

4 U5 u0 m; }" ]& p- W目录
4 l, A9 I' X( |/ e" @1、引言
7 s, Q1 }* _4 t# O% k7 i9 F2、高端电流检测简介
3、尝试多个Ω值
4、试图用LTC2063发现不稳定问题
5、实验结果
6、头脑风暴时间

4 J$ N$ z' N8 a8 m* c) ]2 lMOS管设计参考
4 E( x  t) E  D, c0 p* W

硬件设计工程师必备——功率MOSFET应用手册

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为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？【ADI】

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为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？为什么是 100 Ω？

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4 j% Z5 _/ I- h& u4 e7 V% g1、引言
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为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？

只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。

虽然我们对这个问题的答案非常肯定，但你们或许会继续问——“为什么呢？他的具体作用是什么呢？电阻值为什么是 100 Ω 呢？”

为了满足这种好奇心，我们接下来将通过一个故事来探讨这个问题。

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故事开始了

年轻的应用工程师 Neubean 想通过实验证明，为了获得稳定性，是不是真的必须把一个 100 Ω 的电阻放在 MOSFET 栅极前。拥有30 年经验的应用工程师 Gureux 对他的实验进行了监督，并全程提供专家指导。

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2、高端电流检测简介

图1中的电路所示为一个典型的高端电流检测示例。

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图1. 高端电流检测

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负反馈试图在增益电阻RGAIN上强制施加电压VSENSE。通过RGAIN的电流流过P沟道MOSFET (PMOS)，进入电阻ROUT，该电阻形成一个以地为基准的输出电压。总增益为:

电阻ROUT上的可选电容 COUT 的作用是对输出电压滤波。即使 PMOS 的漏极电流快速跟随检测到的电流，输出电压也会展现出单极点指数轨迹。

原理图中的电阻 RGATE 将放大器与PMOS栅极隔开。其值是多少？经验丰富的 Gureux 可能会说：“当然是100 Ω！”

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jacky401

LC0613 发表于 2020-12-14 15:33
% g# d+ \* R* r) J5 ~5 T感谢您的分享!

  X, R0 g/ |; B: ]" Q有许多网友提到同样的问题（回帖麻烦），其实我也没想给大家添麻烦，而更多的是想了解有多少人对什么样的主题感兴趣，以便为大家提供更合适的内容，同时，在大家回帖时也能够赚取积分。一举两得，你不支持吗？！

shangsir520

简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：
/ E3 a' e8 i* s* ]——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。( ^. D! R( B  e6 W7 b- F$ \3 S
% m- q! L( J; |0 U8 J——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。
这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”3 }) o# z  B4 \$ E9 L) v0 J- C

jacky401

songwei2030 发表于 2020-12-13 21:39
为啥？我还是没搞明白

简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：
, N9 d& b  s0 i+ Y! A" w; m- }——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。
——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。
# I  |7 e, @  m+ M! E& [这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”
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maddevil

学习，学习吧。

songwei2030

为啥？我还是没搞明白

choot

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zx_01

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梁山乐

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wangjd0819

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