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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 09:32 编辑 1 f3 r4 U; Y5 w7 F% B" J; Y
8 m+ z0 \, Q V9 R9 h- g简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：
0 [* O" L5 Z# t- M7 T# N——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。
% L8 r, ]+ l' J, K; ^——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。
: ^% T4 w/ P2 F. J) S; U+ ?1 t: g' u这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”
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发表于 2020-12-14 09:21
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