为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？【ADI】

Bruce-Wong

原理图中的电阻 RGATE

syeshu

看看，了解一下，感谢分享

xbin

回复看看~

许燕玲

我来学习学习~~

jacky401

songwei2030 发表于 2020-12-13 21:39
# }( h; M6 R0 ^0 j  e为啥？我还是没搞明白

4 a; p4 G! {( `3 Z& L; y6 j简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：
5 S- N" G6 s+ ]1 J2 X- p——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。
——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。
0 V- `* S& R9 T# B3 h  f$ o$ J, M/ D这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”
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Doubles

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liuguijun

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wangsai

xuexixuexi
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Z-Dong

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zuiaidianzi

MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻
4 u6 o8 f9 k% d6 m& _

LKL369

学习一下下！

你可爱的老爷

没见过谁画图放100Ω啊     这个是什么特殊电路场景呢？？

快乐的味道92

学习学习

朝哥carry

一百欧以内吧，太大了温度会不会超

weman

为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？