|
|
本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 09:32 编辑 0 u# X. K7 V9 Q4 u
. K: {4 f5 x# @ W* D简而言之,本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析:
" i0 h" | J, L——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异,即在穿越频率时的相位裕量依次变好,这说明RGATE 值为 1MΩ,或 1KΩ 时,更容易产生自激震荡,而使用 100Ω 时,就能很稳定地工作。
) X5 ]* _ q3 d4 P/ t$ S——同时,从时域来看,改变负载电流,RGATE 值为 1MΩ,或者 1KΩ 时,栅极都会有振铃;而为 100Ω 时,栅极电压无振铃现象。
5 Y+ I5 m/ u: Y& c5 Q; ^9 n5 k* N这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?”
( ^. C% r, @8 }
; ?# q4 i3 v: X% @- ^* _ [7 }
, w7 T5 y% K+ s6 T! x- @4 S" o" O: a9 G) x
1 x) o8 J, Q& n9 f" o1 @; P( g6 G
7 y, @" ?0 g( y; C% T4 q. @4 U7 [9 C& {
$ n6 ?. h# b ~; K) v1 X2 B3 p9 c
|
|