为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？【ADI】

Bruce-Wong

原理图中的电阻 RGATE

syeshu

看看，了解一下，感谢分享

xbin

回复看看~

许燕玲

我来学习学习~~

jacky401

songwei2030 发表于 2020-12-13 21:39
为啥？我还是没搞明白

5 K2 U  q* R, k简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：
) u  N( O6 m4 @+ p8 S* R) M/ _4 ~——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。
6 `* c+ a, T' P" g8 g  i——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。
这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”
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Doubles

谢谢分享

liuguijun

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wangsai

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Z-Dong

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zuiaidianzi

MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻
+ {6 K, x6 b6 `

LKL369

学习一下下！

你可爱的老爷

没见过谁画图放100Ω啊     这个是什么特殊电路场景呢？？

快乐的味道92

学习学习
* S; ?+ K, L1 b; T, f

朝哥carry

一百欧以内吧，太大了温度会不会超

weman

为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？