TA的每日心情 | 怒
2024-8-4 15:31 |
|---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
Vmeas and test load descirption
; |; G2 W* T" e$ X$ N- [* g- j2 t3 E' X \- R& I前面已经讲过Tco概念，那么手册中的Tco是如何得到的呢？7 |5 G8 B% I. X6 q/ p: K* }
& |- M/ E8 [/ D请看下图，半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load（不要深究为什么如此，如果想清楚理解，意味着你要进入一个新的领域----IC测试），我们的probe点即为T点，Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间，而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。; l) @- T/ D3 p' Q" z6 ? S- Q
* o% r% E2 V/ \) S( ?+ g. G& B( |: R4 r4 {; e* ]+ A4 y" r; T( O. }* v; u/ q
Vmeas为半导体厂商用来为输出buffer（当然包含output ，I/O，3-state）确定板级延时特性的电压参考点# h5 X" D* J, x+ ~8 c) Y
. {% w* f1 K. FVref，Rref，Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load/ Y" X3 E g" O6 U/ v
8 [3 E0 W) ^0 r: q![]() 2008-4-29 08:45 上传
; D& t3 s( h' o- ^4 e% S" L下载附件 (23.05 KB)0 W, U, v& O6 Z, T5 {1 _) K
: d( V" k1 v& Q/ Z8 o# S- z- ]3 h6 k$ @- o
. L; E6 d# N ]1 D: L5 o% n; K5 a1 a+ V- P1 F8 ?! Z" k% K( {
% V/ t$ Q8 @7 X# ]% b I( @5 ] m4 `( V% @" k$ S
举个例子$ F1 s% T1 p& Y2 i9 ]$ L7 L8 d6 s+ s
- Y7 n% f% C8 \; O![]() 2008-4-29 08:45 上传- _. K( W0 _, k W6 r
下载附件 (9.38 KB)) {1 q3 ]$ H6 J, e( p8 s
5 f1 R$ i* m; b2 d; V- c) c5 m1 [$ o8 a1 x' Y9 b
' c# Y9 W( P# j2 v$ Y& J# T# p9 ~) M+ }: p& W" \% H" [ L* w& }- V# s% Z N0 A- Z
, L( Q* W$ M+ O* @9 s这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数5 ?# I v# M! H+ m( R3 x: K5 M: I+ L& W" p' M6 u y
下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load7 @$ y' S/ E2 }6 e8 P2 D; |, f% E1 a o
|
|
[复制链接]
/1 
发表于 2011-6-10 19:18
发表于 2011-6-11 12:51
学习，谢谢楼主分享