MOS电平转换电路

topwon · 发表于 2020-4-30 17:17

按理分析，MOS管导通之后，DS之间的压差，就取决于Ids和Ron的乘积，如果偏大，应该就从这Ids和Ron查起，看看是谁引起的。
如果上拉电阻偏小，Ids就会偏大。Vgs偏小，Ron也会加大。如果芯片质量不好，Ron也会偏大。。。。等等。

topwon · 发表于 2020-4-30 17:19

jane@2013 发表于 2020-4-30 16:317 c3 s9 V) ~) e
按照电流2mA来算，如果完全导通那么电阻按照2R来算，这样算下来，压降只有8uV.实际导通状态下MOS管两端压 ...

电流有可能不止2mA，Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。

canatto · 发表于 2020-5-1 22:04

topwon 发表于 2020-4-30 17:17/ E7 M; L+ O5 g$ x' f* n
按理分析，MOS管导通之后，DS之间的压差，就取决于Ids和Ron的乘积，如果偏大，应该就从这Ids和Ron查起，看 ...

除了怀疑MOS管不达标，楼主是否可以再次做一下实验，确认0.16V压差不是实验观察误差所致。

jane@2013 · 发表于 2020-5-6 09:39

topwon 发表于 2020-4-30 17:19$ y& G3 w# W! A6 d0 T6 {4 `
电流有可能不止2mA，Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。

I2C是OD门，外部用2K上拉到3.3V，算下来是1.65mA。如果用1K上拉就是3.3mA，不会差的很大。

syeshu · 发表于 2020-5-6 09:51

楼主还是实际测一下吧，现在大家的很多猜想其实和理论值计算下来偏离较大，实际测一下，把输入管脚短接到地，测一下输出电压，另外调整一下上拉电阻阻值，再看看会不会有改善

yhg-cad · 发表于 2020-5-7 00:05

MOS管的GS沟通吃掉的，不可能所以器件发么理想。而且0.16也在误差范围内了

jane@2013 · 发表于 2020-5-7 10:06

syeshu 发表于 2020-5-6 09:51
4 d; }! n) K# @, |/ j8 S W6 U楼主还是实际测一下吧，现在大家的很多猜想其实和理论值计算下来偏离较大，实际测一下，把输入管脚短接到地 ...

就是实际测试的数据才提问的，测过不同的设备都有类似的问题。

jane@2013 · 发表于 2020-5-7 10:07

yhg-cad 发表于 2020-5-7 00:056 o. x- f- ]5 Q: |
MOS管的GS沟通吃掉的，不可能所以器件发么理想。而且0.16也在误差范围内了

吃掉是啥意思？

topwon · 发表于 2020-5-7 10:12

jane@2013 发表于 2020-5-7 10:06
_4 z2 C" h' b# h+ N4 H就是实际测试的数据才提问的，测过不同的设备都有类似的问题。

DS极的压差你是测量的稳态还是开关状态？如果测量稳态电压，那么可以串一个电流表确认一下实际电流。然后再计算一下Ron是否符合预期。

jane@2013 · 发表于 2020-5-7 14:09

topwon 发表于 2020-5-7 10:12
4 g& ~1 ?& A- F- L! t% Y* c! ADS极的压差你是测量的稳态还是开关状态？如果测量稳态电压，那么可以串一个电流表确认一下实际电流。然后 ...

低电平的时候MOS管打开，是打开时候的状态。别的同事测过电流了，2mA.

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