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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › MOS电平转换电路
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楼主: jane@2013
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MOS电平转换电路

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canatto

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16#
发表于 2020-4-13 02:20 | 只看该作者
一缕缕阳光 发表于 2020-4-12 23:48/ r" C/ N8 R5 F9 y+ V% r
mos管栅极驱动电压过低，MOS管没有完全导通，所以电阻比较大，并不是理想的1.5欧，所以存在0.4v的可能   ...
7 N6 |# _8 C6 Z3 E& H- N5 U; ^& ~
“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。4 @# C! O( C6 S6 C1 k

% A; h! P. e# c) C+ H" j: s/ r" N规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻典型值1.5欧姆，最差2.0欧姆。楼主电路中DDC_CLK源极驱动为低时，栅压为3V附近，完全满足开通条件。
- ]2 J$ I; q( M

NTR4003-Rds.png (180.02 KB, 下载次数: 3)

NTR4003-Rds.png

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jane@2013
不好意思写错了，实际导通状态下MOS管两端压差是0.16V。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:36
jane@2013
按照电流2mA来算，如果完全导通那么电阻按照2R来算，这样算下来，压降只有8uV.实际导通状态下MOS管两端压差是0.16mV。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:31
一缕缕阳光
确实 我当时没仔细看图中的MOS管型号 没去看规则书 谢谢提醒  详情 回复 发表于 2020-4-13 08:40

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一缕缕阳光

该用户从未签到
17#
发表于 2020-4-13 08:40 | 只看该作者
canatto 发表于 2020-4-13 02:20
# X9 k( N& V* }# r- l“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。
6 \$ c2 p* l. u3 S
5 N$ L2 t5 N5 o8 E& a规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻 ...

7 E- m! s0 _; ~4 g! M确实  我当时没仔细看图中的MOS管型号  没去看规则书  谢谢提醒
  n- [7 c) X# Y1 m, ?8 b

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gglgn

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18#
发表于 2020-4-16 21:28 | 只看该作者
你把输入接在S极端，通过放电二极管漏过去的

“来自电巢APP”

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duklw

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19#
发表于 2020-4-29 22:38 | 只看该作者
就是内部二极管压降

“来自电巢APP”

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AD9_PCB

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20#
发表于 2020-4-30 13:48 | 只看该作者
体内二极管的压降问题导致的

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jane@2013
谢谢，应该是的  详情 回复 发表于 2020-4-30 15:23

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jane@2013
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45

    • 签到天数: 416 天

    [LV.9]以坛为家II
    21#
     楼主| 发表于 2020-4-30 15:23 | 只看该作者
    AD9_PCB 发表于 2020-4-30 13:48. A1 y, N  \3 t' h
    体内二极管的压降问题导致的

    5 j5 {4 f9 v/ v1 i2 n: p谢谢，应该是的
    8 \2 k5 D! N8 R! K

    点评

    jane@2013
    MOS管导通状态下两端压差0.16mV，二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是二极管的压差。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:34

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    topwon
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05

    • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I
    22#
    发表于 2020-4-30 15:42 | 只看该作者
    个人分析：
    6 _' T) {1 t9 l0 IMOS管的D极被拉低到地后（Vd=0V），MOS管的体二极管导通，于是S极电压也被拉低到0.7V左右。
    5 H* F9 _. I. C( ?) J' W, t4 a+ c此时，由于Vgs=3.3V-0.7V=2.6V，大于Vgsth，MOS管导通，体二极管被Ron短接应该不再导通。
    , n! q8 A/ I/ e/ I4 k. f' {. DS极电压Vs=Isd*Ron+Vd。而Ron大约是2欧，上拉电阻R1965=2K，所以Ron上产生的压降应该是mV级别的才对。Vs=Vd。/ b+ h$ |, p) R" S2 Y+ f- K# _
    所以，楼主所称的0.4V电压差异，我觉得还是有必要再研究讨论一下其来源，不应该是体二极管造成。
    $ D6 v7 _* h: a' O, _Vd是否被拉到0V了呢？

    点评

    jane@2013
    两端都没有被拉低到0，一端是0.3V，一端是0.46V  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:22

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    jane@2013
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45

    • 签到天数: 416 天

    [LV.9]以坛为家II
    23#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:22 | 只看该作者
    topwon 发表于 2020-4-30 15:42  ]4 J0 w$ k* \5 _# z# S6 L8 ^. r& w
    个人分析：
    ' i+ w6 G) x7 t8 A* H2 L% {MOS管的D极被拉低到地后（Vd=0V），MOS管的体二极管导通，于是S极电压也被拉低到0.7V左右。
    ! m- C  _$ @8 [3 `! n8 I ...

    , T( P5 a" }5 T5 X/ g两端都没有被拉低到0，一端是0.3V，一端是0.46V
    9 y4 w' _8 [- ~

    点评

    topwon
    那你就应该先测试这个电路的功能，比如不用MCU去驱动，而是直接把S极或D极接地，看对应的D极或S极是不是也能被拉低为0V。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:28

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    topwon
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05

    • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I
    24#
    发表于 2020-4-30 16:28 | 只看该作者
    jane@2013 发表于 2020-4-30 16:22  y  f( h& a/ Z; X9 P2 s
    两端都没有被拉低到0，一端是0.3V，一端是0.46V
    * E2 o/ k# h! N7 P! i: @
    那你就应该先测试这个电路的功能，比如不用MCU去驱动，而是直接把S极或D极接地，看对应的D极或S极是不是也能被拉低为0V。4 c- l0 B7 \3 ~5 n: {

    点评

    jane@2013
    主要是看导通状态的压差吧？0.3V端是信号输出低电平端，0.46V是经过MOS管转换后的电平。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:37

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    jane@2013
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45

    • 签到天数: 416 天

    [LV.9]以坛为家II
    25#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:31 | 只看该作者
    canatto 发表于 2020-4-13 02:20, J' c3 A2 L$ v6 `
    “理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。" x. F2 t4 w+ {3 X2 Z1 h0 S4 W8 H

    ! @0 d1 {1 e0 I4 i( S$ h/ f5 z% K1 D# X2 T规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻 ...
    ! N& p4 Q% w( W6 x" D* a' Y) Y
    按照电流2mA来算，如果完全导通那么电阻按照2R来算，这样算下来，压降只有8uV.实际导通状态下MOS管两端压差是0.16mV。, i! n* ^0 x; ^) A

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    topwon
    电流有可能不止2mA，Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。  详情 回复 发表于 2020-4-30 17:19

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    jane@2013
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45

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    [LV.9]以坛为家II
    26#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:34 | 只看该作者
    jane@2013 发表于 2020-4-30 15:23
    ; g, g! M8 n4 h% x7 @% i$ A2 P谢谢，应该是的

    2 d' @' g; x! _* M2 GMOS管导通状态下两端压差0.16mV，二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是二极管的压差。
    ; \+ ?) X6 D* s0 h- A

    点评

    topwon
    你用的这个mos管规格书里写的很清楚，内部寄生体二极管的正向压降的典型值是0.65V@25℃。  详情 回复 发表于 2020-4-30 17:00

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    jane@2013
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45

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    [LV.9]以坛为家II
    27#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:36 | 只看该作者
    canatto 发表于 2020-4-13 02:20
    : H- u5 U( R, t4 I: P“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。
    : f  J1 h9 O0 \# g- K" K: u+ }* e" l1 a7 ?/ V
    规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻 ...

    * E1 W* ]0 L1 w$ B3 |9 j[size=13.3333px]不好意思写错了，实际导通状态下MOS管两端压差是0.16V。 5 [& m/ D: P; D% H) V( I( ^

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    jane@2013
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45

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    [LV.9]以坛为家II
    28#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:37 | 只看该作者
    topwon 发表于 2020-4-30 16:28( `. S  d  U/ a* b  {3 A* F
    那你就应该先测试这个电路的功能，比如不用MCU去驱动，而是直接把S极或D极接地，看对应的D极或S极是不是 ...
    ( k8 p# A( z3 y9 ]" L: \+ a
    主要是看导通状态的压差吧？0.3V端是信号输出低电平端，0.46V是经过MOS管转换后的电平。' x0 c7 }  |% W) R+ P' ?

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    topwon
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05

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    [LV.2]偶尔看看I
    29#
    发表于 2020-4-30 17:00 | 只看该作者
    jane@2013 发表于 2020-4-30 16:34
    2 H* z- v+ `  _1 J! ?1 uMOS管导通状态下两端压差0.16mV，二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是 ...

    ( l, b; L/ z  v4 l8 n( a. ?你用的这个mos管规格书里写的很清楚，内部寄生体二极管的正向压降的典型值是0.65V@25℃。
    / W7 {. V4 v) O: B6 k) [

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    topwon
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    奋斗
    2020-4-9 15:05

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    [LV.2]偶尔看看I
    30#
    发表于 2020-4-30 17:10 | 只看该作者
    其实，你换一个Vgsth和Ron比较小的MOS管试一下就可以了。比如AO3402，SI2302这类。

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