USB 抗干扰问题

niliudehe

最近做一款产品，出来发现USB 抗干扰能力较差，各位道友给看看  哪里可以优化下
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zhuyt05

你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧.
4 Q% o; O6 b4 g7 [个人建议:
1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地),保护地与交流电大地尽可能短的连接,将静电快速导出, 信号地与保护地用磁珠连接,不要用电阻或是电容,增大保护地与信号地的阻抗
2. USB布线要求并非那么严格,至于保护器件那部分没有差分走线,保护地和信号地距离较近,我感觉都不是主要问题,你这应该是打静电时,保护器件将静电直接导入到信号地了,从而引起系统异常.的确有些设计是将静电引入信号地,不过个人感觉此方法慎用.要测试这个问题,也挺简单, 你的保护器件接的是信号地,不是保护地,那你就直接在USB接口附近的信号地上打静电,如果不过,说明此方案是不可行的,只有将静电引入保护地
3. 与产品结构也有关系,有的结构有耦合等,你可以先测电路板,但电路板与交流电大地处理好.

zhuyt05

niliudehe 发表于 2016-4-11 08:33
谢谢，您的建议，看完后感觉一下明白了好多，非常感谢

3 C5 ]( L9 S) v3 q9 p" U对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地来说的,因为模拟的是人接触时的静电放电过程,而人是站在大地上的(长翅膀的鸟人不考虑). 如果用打火机打,一是这个电压是多少V不知道,二呢,这个电压应该不是对大地来说的,所以情况怎样不好说,建议还是用专门的静电测试仪器来试,按照标准布置,不然可能做的都是无用功.
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niliudehe

风凌天下 发表于 2016-4-8 10:38
1 G8 d' T: |/ T5 L两个地之间的间距至少40mil，离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗？这里截图看不到。还有进来 ...

两个gnd直接确实没有到 40mil   现在 目前的情况是  25mil 左右  但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil  不知道这里 影响大不大
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另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd   
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最后的伴随gnd孔  我在多加几个
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, ?6 S) g, K1 P非常感谢

niliudehe

4   

partime

看起来没啥问题。问一句， 你那个CMC还是什么，离USB接口那么近，能焊接上去么？焊接不上的话，对抗干扰还是有影响的

niliudehe

partime 发表于 2016-4-8 09:29
看起来没啥问题。问一句， 你那个CMC还是什么，离USB接口那么近，能焊接上去么？焊接不上的话，对抗干扰还 ...

可以焊接上去在底层  USB  在表层
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woniufeiyu_go

从usb接口到防护器件怎们没走差分呢？

风凌天下

两个地之间的间距至少40mil，离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗？这里截图看不到。还有进来的那个芯片是防护芯片吗？感觉处理的不是很到位，走线。接到cpu处的那些匹配电阻，接地过孔太少了，那么多个共用3.4个过孔。

niliudehe

woniufeiyu_go 发表于 2016-4-8 10:33
从usb接口到防护器件怎们没走差分呢？

) k/ i- z0 N0 _3 n% G& }" A7 X$ Z- J4 sUSB到 防护器件的线较短，就走了个类差分线，这样走下来正好等长要不也是得人工绕等长  从USB到下面的串接电阻  线长为437mil
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niliudehe

我感觉是不是我们公司测试的方法不对，他们拿了个打火机里面那个按下可以放电的东西，去打机壳。来模拟，USB受到的干扰。各位大神，你们的产品是怎么测试这方面的，求指导下

风凌天下

还可以这样啊？不是做SI吗？

chenzhouyu

个人愚见：
$ d3 ?" S2 @& j  d. h. Z, N5 j1、保护地和电源电的距离如6楼所说，加大；
) `7 d  q6 n. B/ j' C8 U2、USB的保护器件的接地问题，是否接保护地更为合适？

niliudehe

chenzhouyu 发表于 2016-4-8 13:49
个人愚见：
7 j* @# f* J' h0 J1 t( d1、保护地和电源电的距离如6楼所说，加大；
' A1 E' G# v" _2、USB的保护器件的接地问题，是否接保护地更为合 ...

  q/ S9 [+ y$ T$ t- ]$ ^8 J您好，关于第二条我想问下，如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢？

zhang5310

个人愚解 ，USB走线多粗？加粗到12MIL试试。另共模电感要用90欧的品牌货。

chenzhouyu

niliudehe 发表于 2016-4-8 16:04
( J4 c* k3 ]; \3 ^您好，关于第二条我想问下，如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢？

( R) z! m! B2 H. p我是这么理解的，保护器件接到保护地，共模电路直接流向保护地，尽量使共模干扰不流经工作地。
8 V% G6 k- C+ l- a

歪头歪脑

看看