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USB 抗干扰问题

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1#
发表于 2016-4-8 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近做一款产品,出来发现USB 抗干扰能力较差,各位道友给看看  哪里可以优化下
9 k2 ?* A( m; n* b* h! K  j. B) B8 j7 a4 [

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发表于 2016-4-10 23:30 | 只看该作者
你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧.
( i8 ?/ W4 X2 a- N) X3 W% i0 H6 u个人建议:. J$ u0 v* Q1 R; k# j5 O! j
1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地),保护地与交流电大地尽可能短的连接,将静电快速导出, 信号地与保护地用磁珠连接,不要用电阻或是电容,增大保护地与信号地的阻抗
  @+ P2 D: [1 w9 R- p+ i+ C2. USB布线要求并非那么严格,至于保护器件那部分没有差分走线,保护地和信号地距离较近,我感觉都不是主要问题,你这应该是打静电时,保护器件将静电直接导入到信号地了,从而引起系统异常.的确有些设计是将静电引入信号地,不过个人感觉此方法慎用.要测试这个问题,也挺简单, 你的保护器件接的是信号地,不是保护地,那你就直接在USB接口附近的信号地上打静电,如果不过,说明此方案是不可行的,只有将静电引入保护地5 \8 c$ R/ I3 T0 W% P, N7 G6 I  J2 i% C
3. 与产品结构也有关系,有的结构有耦合等,你可以先测电路板,但电路板与交流电大地处理好.

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谢谢,您的建议,看完后感觉一下明白了好多,非常感谢  详情 回复 发表于 2016-4-11 08:33

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niliudehe + 1

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发表于 2016-4-11 19:55 | 只看该作者
niliudehe 发表于 2016-4-11 08:33
( t. @9 {, }) h( Z* K) I谢谢,您的建议,看完后感觉一下明白了好多,非常感谢
) ?+ D# w% Y; ]6 {
对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地来说的,因为模拟的是人接触时的静电放电过程,而人是站在大地上的(长翅膀的鸟人不考虑). 如果用打火机打,一是这个电压是多少V不知道,二呢,这个电压应该不是对大地来说的,所以情况怎样不好说,建议还是用专门的静电测试仪器来试,按照标准布置,不然可能做的都是无用功.
5 M3 Z2 E2 P' u# F* @2 {

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大神你这太专业了  详情 回复 发表于 2016-4-12 08:41

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参与人数 1威望 +1 收起 理由
niliudehe + 1 很给力!

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 楼主| 发表于 2016-4-8 10:54 | 只看该作者
风凌天下 发表于 2016-4-8 10:382 f1 Y% S7 b+ w
两个地之间的间距至少40mil,离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗?这里截图看不到。还有进来 ...
4 H3 N, G* ]; @# r% R" I7 {
两个gnd直接确实没有到 40mil   现在 目前的情况是  25mil 左右  但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil  不知道这里 影响大不大7 _1 C1 V+ d$ I6 w7 s7 [9 E
1 |* f& f! C+ j
另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd   
$ Y5 Z# u+ |, V% h. N$ m7 J" M
6 O# n3 y$ |& p+ Y$ s% e最后的伴随gnd孔  我在多加几个 8 d& D( N4 j8 b! E/ y$ o8 G5 h' e

# m' V* c. }0 G非常感谢
- L( p! j' T9 r/ ^2 |8 v+ }. s

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2#
 楼主| 发表于 2016-4-8 09:22 | 只看该作者
4   
8 d& w5 c4 q' U$ c7 \" f; _0 f

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3#
发表于 2016-4-8 09:29 | 只看该作者
看起来没啥问题。问一句, 你那个CMC还是什么,离USB接口那么近,能焊接上去么?焊接不上的话,对抗干扰还是有影响的

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可以焊接上去在底层 USB 在表层  详情 回复 发表于 2016-4-8 09:40

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 楼主| 发表于 2016-4-8 09:40 | 只看该作者
partime 发表于 2016-4-8 09:29
% q% o  w9 W! i( F8 D看起来没啥问题。问一句, 你那个CMC还是什么,离USB接口那么近,能焊接上去么?焊接不上的话,对抗干扰还 ...
. g9 p% r. u! A+ d% S& v; R
可以焊接上去在底层  USB  在表层
# M! s: P7 J; L" V, n6 ^# [

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5#
发表于 2016-4-8 10:33 | 只看该作者
从usb接口到防护器件怎们没走差分呢?

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USB到 防护器件的线较短,就走了个类差分线,这样走下来正好等长要不也是得人工绕等长 从USB到下面的串接电阻 线长为437mil  详情 回复 发表于 2016-4-8 10:50

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6#
发表于 2016-4-8 10:38 | 只看该作者
两个地之间的间距至少40mil,离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗?这里截图看不到。还有进来的那个芯片是防护芯片吗?感觉处理的不是很到位,走线。接到cpu处的那些匹配电阻,接地过孔太少了,那么多个共用3.4个过孔。

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两个gnd直接确实没有到 40mil 现在 目前的情况是 25mil 左右 但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil 不知道这里 影响大不大 另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd 最后的伴随gnd孔  详情 回复 发表于 2016-4-8 10:54

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 楼主| 发表于 2016-4-8 10:50 | 只看该作者
woniufeiyu_go 发表于 2016-4-8 10:33
9 p8 o8 x/ H# t7 w! t" X) s  G从usb接口到防护器件怎们没走差分呢?
) s6 V4 y3 |  x- l2 r! K: U
USB到 防护器件的线较短,就走了个类差分线,这样走下来正好等长要不也是得人工绕等长  从USB到下面的串接电阻  线长为437mil 4 E. f2 }5 c: ?1 X* w( s' y
. J7 F0 D* J( {5 f* z* h

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9#
 楼主| 发表于 2016-4-8 11:01 | 只看该作者
我感觉是不是我们公司测试的方法不对,他们拿了个打火机里面那个按下可以放电的东西,去打机壳。来模拟,USB受到的干扰。各位大神,你们的产品是怎么测试这方面的,求指导下

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10#
发表于 2016-4-8 11:06 | 只看该作者
还可以这样啊?不是做SI吗?

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11#
发表于 2016-4-8 13:49 | 只看该作者
个人愚见:
( W8 n# J, x- K7 R9 d' X1、保护地和电源电的距离如6楼所说,加大;
* X  Y" W( G- y* i2、USB的保护器件的接地问题,是否接保护地更为合适?

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您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd 那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?  详情 回复 发表于 2016-4-8 16:04

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12#
 楼主| 发表于 2016-4-8 16:04 | 只看该作者
chenzhouyu 发表于 2016-4-8 13:490 L, K% }8 |  V; T9 x2 D
个人愚见:
1 H: L$ [9 q7 N1、保护地和电源电的距离如6楼所说,加大;% Y! S% M6 _- u* j. t
2、USB的保护器件的接地问题,是否接保护地更为合 ...

) l( ^! b! t8 M: Y/ _9 _0 l  r) j您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?

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我是这么理解的,保护器件接到保护地,共模电路直接流向保护地,尽量使共模干扰不流经工作地。  详情 回复 发表于 2016-4-9 08:18

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13#
发表于 2016-4-9 07:35 | 只看该作者
个人愚解 ,USB走线多粗?加粗到12MIL试试。另共模电感要用90欧的品牌货。

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14#
发表于 2016-4-9 08:18 | 只看该作者
niliudehe 发表于 2016-4-8 16:04
9 ?' w6 a) S' {您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?

, q' Q1 U1 R1 V7 H$ n我是这么理解的,保护器件接到保护地,共模电路直接流向保护地,尽量使共模干扰不流经工作地。! r& w+ A4 p" ~2 q. A' Z$ p6 ^
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