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5V供电的板子怎么做防反接

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该用户从未签到

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1#
发表于 2015-4-17 15:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
有什么比较好的办法,求大神指点。
- v0 u  r! V# g0 s

该用户从未签到

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发表于 2015-4-21 09:54 | 只看该作者
这个很简单啊,MOS防反接压降小 QQ图片20150421095445.png (12 KB, 下载次数: 60)

点评

支持!: 5.0 谢谢分享!: 5.0
上面第一个电路pmos是不是接错了,应该s接12V,d接输出吧  详情 回复 发表于 2021-8-5 16:10
谢谢分享!: 5
剛用過,有效!^_^  发表于 2020-10-18 10:45
支持!: 5
这种方案简单可靠,支持  发表于 2015-4-21 11:41

评分

参与人数 1威望 +5 收起 理由
超級狗 + 5 狗幫楷模!

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该用户从未签到

推荐
发表于 2015-4-30 15:22 | 只看该作者
古莘 发表于 2015-4-30 14:50
) z( S# f- @: V' d2 Q- [也要在5V插头上想办法,采用防反接插头!
$ }4 z' K5 H- ]- l% z3 R7 T
物理插头防呆~~~可靠性最高的。不插坏插头你别想接反
$ l8 V7 l1 o. p2 Q3 D/ u  V5 W

该用户从未签到

推荐
发表于 2015-4-17 16:55 | 只看该作者
FYI,用MOSFET可以实现压降比较低。; f9 m) \+ U0 X

汽车控制器中的反极性电压保护电路设计.pdf

476.97 KB, 下载次数: 456, 下载积分: 威望 -5

点评

支持!: 5.0
资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的相对电压只有0.7V 左右,MOSFET 关闭,从而保护系统免受反极性电压损坏。” ———————— 应该说反极性  详情 回复 发表于 2015-4-20 16:09
感谢  详情 回复 发表于 2015-4-17 17:14
支持!: 5
不得不给个赞!  发表于 2015-4-17 17:11
  • TA的每日心情

    2019-11-20 15:36
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2015-4-17 16:39 | 只看该作者
    最简单的可以串二极管吧

    点评

    压降大哟。看应用吧,如果电流也大,那功耗得有多大啊,,是吧  详情 回复 发表于 2015-5-8 20:30

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2015-4-17 17:14 | 只看该作者
    fallen 发表于 2015-4-17 16:55
    ( v' X& W4 i& ]8 sFYI,用MOSFET可以实现压降比较低。

    ( W0 H- o) D& I$ z感谢& l. B% G4 Y  D

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2015-4-17 17:16 | 只看该作者
    不久前,超级狗版主刚刚发了这个的过期狗粮

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2015-4-20 16:09 | 只看该作者
    fallen 发表于 2015-4-17 16:55
    3 m+ l) k: n, [. x4 }( S2 P5 I+ pFYI,用MOSFET可以实现压降比较低。
      p1 W  u% X. ^* g
    资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的相对电压只有0.7V 左右,MOSFET 关闭,从而保护系统免受反极性电压损坏。”
    9 T2 z4 g+ ~$ C————————7 g/ r5 R7 C0 O6 D" ?
    应该说反极性输入时,Vgs>0,则pmos关断,而钳位二极管的压降使GS相对电压0.7V,从而不至于反向过压击穿。9 C+ J, G. _8 @, X( g

    点评

    小弟不才,并没有觉得有什么不妥。 原文的意思主要表达,反接后PMOSFET关闭,从而对后面的系统做保护。 你表达的意思,是反接后,保护了PMOSFET不被反向击穿。  详情 回复 发表于 2015-4-20 17:20
    果然是这个infineon AE翻译问题,大家还是看原版吧,内容准确也丰富。  详情 回复 发表于 2015-4-20 16:21

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2015-4-20 16:21 | 只看该作者
    Vincent.M 发表于 2015-4-20 16:09
    " y* v) t9 {% F6 z, c资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的 ...

    ) V; V) n& Y  f' ~- g果然是这个infineon AE翻译问题,大家还是看原版吧,内容准确也丰富。0 l* d9 W8 B: U& s0 p
    & v4 V% y4 h- o5 i2 g6 s

    ) m# G; E7 ^$ W+ k  g& |7 X2 V+ q( D7 a2 P1 s' s% J" ?. s% F, k

    Automotive MOSFETs Reverse Battery Protection_Rev2.pdf

    222.17 KB, 下载次数: 147, 下载积分: 威望 -5

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2015-4-20 17:20 | 只看该作者
    Vincent.M 发表于 2015-4-20 16:09
    # m7 O( N" ^/ R/ r. @资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的 ...
      Y2 [' E4 X& x( k- \5 y
    小弟不才,并没有觉得有什么不妥。
    * `, d, C" D2 N$ Z6 Q( h5 H' D原文的意思主要表达,反接后PMOSFET关闭,从而对后面的系统做保护。
    ; `& Q+ q. n* @+ l( k4 n$ H你表达的意思,是反接后,保护了PMOSFET不被反向击穿。8 K' S. O6 _- c

    2 p- U+ g! M. V2 X/ _& p7 |$ d

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2015-4-20 17:47 | 只看该作者
    5V防反接,用PMOS为正解,MOS导通时,压降可低于0.1V。Fallen斑竹给力哈。/ M! x; }8 s+ e# e- C3 W1 i
    用二极管,压降0.6V,后面的电路还干活儿不了?!用肖特基也有0.3V压降呢。2 e: K9 H4 f7 z1 U( G& C8 _" a
    全桥,压降1.4V。

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2015-4-21 08:53 | 只看该作者
    fallen版主牛逼啊,什么资料都有
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-7-2 15:07
  • 签到天数: 1547 天

    [LV.Master]伴坛终老

    14#
    发表于 2015-4-30 11:08 | 只看该作者
    学习了,长知识了

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2015-4-30 14:02 | 只看该作者
    电源Input处反向并联一只二极管。

    点评

    反向并联,你说的是稳压管吧吧。防反接不敢乱说~~  发表于 2015-5-9 17:06
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