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5V供电的板子怎么做防反接

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1#
发表于 2015-4-17 15:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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有什么比较好的办法,求大神指点。
/ H: [7 J' Z& |) i- [! j; w/ }

该用户从未签到

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发表于 2015-4-21 09:54 | 只看该作者
这个很简单啊,MOS防反接压降小 QQ图片20150421095445.png (12 KB, 下载次数: 60)

点评

支持!: 5.0 谢谢分享!: 5.0
上面第一个电路pmos是不是接错了,应该s接12V,d接输出吧  详情 回复 发表于 2021-8-5 16:10
谢谢分享!: 5
剛用過,有效!^_^  发表于 2020-10-18 10:45
支持!: 5
这种方案简单可靠,支持  发表于 2015-4-21 11:41

评分

参与人数 1威望 +5 收起 理由
超級狗 + 5 狗幫楷模!

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该用户从未签到

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发表于 2015-4-30 15:22 | 只看该作者
古莘 发表于 2015-4-30 14:50
; }# Q, h% G6 T" ?7 [( a也要在5V插头上想办法,采用防反接插头!
$ [/ ]# N! p+ q  Y5 v- O3 h, |
物理插头防呆~~~可靠性最高的。不插坏插头你别想接反
6 h' A& `/ b" z! J

该用户从未签到

推荐
发表于 2015-4-17 16:55 | 只看该作者
FYI,用MOSFET可以实现压降比较低。& N2 c+ H6 J! ^7 Z9 T1 h5 s

汽车控制器中的反极性电压保护电路设计.pdf

476.97 KB, 下载次数: 456, 下载积分: 威望 -5

点评

支持!: 5.0
资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的相对电压只有0.7V 左右,MOSFET 关闭,从而保护系统免受反极性电压损坏。” ———————— 应该说反极性  详情 回复 发表于 2015-4-20 16:09
感谢  详情 回复 发表于 2015-4-17 17:14
支持!: 5
不得不给个赞!  发表于 2015-4-17 17:11
  • TA的每日心情

    2019-11-20 15:36
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    6#
    发表于 2015-4-17 16:39 | 只看该作者
    最简单的可以串二极管吧

    点评

    压降大哟。看应用吧,如果电流也大,那功耗得有多大啊,,是吧  详情 回复 发表于 2015-5-8 20:30

    该用户从未签到

    8#
     楼主| 发表于 2015-4-17 17:14 | 只看该作者
    fallen 发表于 2015-4-17 16:558 O* E4 a3 f0 {5 }8 |5 E) }
    FYI,用MOSFET可以实现压降比较低。
    , v: f1 m8 m" w! v' N2 C. b  H
    感谢
    7 \& s. l) B8 ^5 C# x

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2015-4-17 17:16 | 只看该作者
    不久前,超级狗版主刚刚发了这个的过期狗粮

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2015-4-20 16:09 | 只看该作者
    fallen 发表于 2015-4-17 16:55- m6 E) S' O( m' u% d8 P, ?3 l- a
    FYI,用MOSFET可以实现压降比较低。

    - j$ C3 p: v1 M/ o资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的相对电压只有0.7V 左右,MOSFET 关闭,从而保护系统免受反极性电压损坏。”( H# [' v7 Q: Q; L
    ————————
    7 U8 w0 d' j5 m应该说反极性输入时,Vgs>0,则pmos关断,而钳位二极管的压降使GS相对电压0.7V,从而不至于反向过压击穿。8 M- d( N2 I0 H8 A9 r3 V

    点评

    小弟不才,并没有觉得有什么不妥。 原文的意思主要表达,反接后PMOSFET关闭,从而对后面的系统做保护。 你表达的意思,是反接后,保护了PMOSFET不被反向击穿。  详情 回复 发表于 2015-4-20 17:20
    果然是这个infineon AE翻译问题,大家还是看原版吧,内容准确也丰富。  详情 回复 发表于 2015-4-20 16:21

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    11#
    发表于 2015-4-20 16:21 | 只看该作者
    Vincent.M 发表于 2015-4-20 16:096 h* Y1 a8 M* r! ]
    资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的 ...
    ; L, j* k5 d+ b" M
    果然是这个infineon AE翻译问题,大家还是看原版吧,内容准确也丰富。; h1 M7 M$ b! a& G& H/ Y/ n
    0 b! r4 Q0 d2 x

    6 }9 l* \- L9 E
    ; X4 l. U$ x4 Z% z' T7 y9 m

    Automotive MOSFETs Reverse Battery Protection_Rev2.pdf

    222.17 KB, 下载次数: 147, 下载积分: 威望 -5

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    12#
    发表于 2015-4-20 17:20 | 只看该作者
    Vincent.M 发表于 2015-4-20 16:09& D# u' Q. z2 l& B; Q4 a9 I7 ?
    资料不错。但是文中这句话有歧义“当系统处于反极性电压时,钳位二极管正向导通,Gate 端和 Source 端的 ...
    / B, u8 J8 R- `" R7 ?
    小弟不才,并没有觉得有什么不妥。- v% ~: k1 i/ |* e
    原文的意思主要表达,反接后PMOSFET关闭,从而对后面的系统做保护。
    & Z# a4 ^- U& x你表达的意思,是反接后,保护了PMOSFET不被反向击穿。
    9 h. i, g5 {* K. S* a
    / B' V! k  d1 J# I- t8 Y

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    13#
    发表于 2015-4-20 17:47 | 只看该作者
    5V防反接,用PMOS为正解,MOS导通时,压降可低于0.1V。Fallen斑竹给力哈。
    0 B( ^( X/ X! M5 s. w& t用二极管,压降0.6V,后面的电路还干活儿不了?!用肖特基也有0.3V压降呢。
    . o- P- q/ B  y+ q+ M9 k- ?8 s全桥,压降1.4V。

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2015-4-21 08:53 | 只看该作者
    fallen版主牛逼啊,什么资料都有
  • TA的每日心情
    奋斗
    2026-5-6 15:06
  • 签到天数: 1834 天

    [LV.Master]伴坛终老

    16#
    发表于 2015-4-30 11:08 | 只看该作者
    学习了,长知识了

    该用户从未签到

    17#
    发表于 2015-4-30 14:02 | 只看该作者
    电源Input处反向并联一只二极管。

    点评

    反向并联,你说的是稳压管吧吧。防反接不敢乱说~~  发表于 2015-5-9 17:06
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