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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!7 K0 b1 f: C  s  s

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pjh02032121 + 10 赞一个!
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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
- K0 i2 W! r' ]* b% i9 y1 E7 b: N5 n7 p2 i( ?- @  ^$ S. `1 ?/ w; S% }
频率和带宽巨大提升
4 u8 Q2 c, J) v* F使用Bank Group架构8 X- z1 C( s9 w! Q

% `0 s2 m. n! X1 `! |
9 u! f6 P9 m6 `9 i! h8 `
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

% M$ o+ `$ y* f
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
0 L+ E4 Y7 F4 l6 H  S7 z( m' Z

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
1 i& O+ K8 @3 q' S
: r) N6 O* L. z/ ^9 b) _# INO 6 关于DDR4的电压6 g3 \# O9 o! t+ y+ S
, i6 F3 q8 p3 ~" A! T. ?  k
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。2 p% {4 j& j- i. o: Q
4 {, q* [3 k% t! E* r% |
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.: R( p; U# ~3 J" ^( n/ B! C  _+ f0 S

9 k8 S8 r& p  ~4 o- p0 _7 ?移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
% O- }5 j) E( H$ ~9 p  \8 x% ^; K8 ?3 u, A! u1 M  T

/ U2 a0 |8 l" `3 O/ i
2 U$ b! y4 T: V4 N- o7 h/ b3 `

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装/ H9 ]/ u. ^) x

) _  [% u+ b# I/ N' k8 s3 x

3 J  G0 Y) ]+ FDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
2 A! f  u, j: _+ I2 D' o2 d+ b$ i举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
5 S+ q! P8 V' N9 w$ Y+ o1 T& d8 H# K+ W( G! b

; x' _% ]) Z2 r. P8 e
( R3 O( _7 I' r6 M% ]               3DS堆叠封装技术
& w7 O* |3 |5 M. c; J8 m% n9 a' [6 h( M$ H; n! E0 ~: F

5 f5 r" q& r; x# p9 Y' N& l0 e. G1 I, z0 `( Z9 L# w: s

4 J& f' @$ l) T4 w: y: b
9 l6 C+ z6 l4 ]/ F8 n4 {
1 B6 g8 I" {# j

2 e" s, E4 `) ~; y
7 E7 U' k2 P6 O. X6 g

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率
5 X6 W% Q1 x/ `6 s! G" R) B . M& m' x3 v4 h- I# h4 E, R
DDR4-1600 MT/s0 |' m6 p3 ~0 Z, @5 U$ u
DDR4-1866 MT/s
7 Y+ L3 d) R) O" L8 o: H7 TDDR4-2133 MT/s' J8 {6 P" ?* N5 \, B. D' V) n
DDR4-2400 MT/s; Q, z/ s$ j. N% |. v% R; _
DDR4-2666 MT/s- O6 P/ Q" O5 G6 ^
DDR4-3200 MT/s
* i( m" `+ o. L% z4 e
9 M' ?8 V+ k7 C3 e) X% X/ M3 s科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的7 N1 D+ ]: I3 B$ c% ^# J
DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,
+ Q% [, i# @; E3 u; y. @& r换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz
7 U0 v' Z& W+ R9 \( {  L3 W4 V, r+ f. l1 Y3 C# M

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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6#
 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景
  `( R6 f8 C' H9 H+ @- f% ]1 d- D. A
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
$ X5 h8 B: R' w7 K- `
9 @% H$ h; l- t(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),- h8 J- o3 [  N8 Y
- `6 z& o3 ~3 X8 P
是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,7 I% }% c0 D, f  n

9 G7 ~1 W* D8 \* l" B. F现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.
& H; L+ e, K8 M& v

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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9#
发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。

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11#
发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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12#
 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11% u% o) G% F. ^) V3 n
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

/ u* c3 C8 a: G% U* N, H4 Q准备慢慢写。
6 W+ r- t# v' D( o& D+ T0 l& _" y

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14#
发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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15#
发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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16#
发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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17#
 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑
, Z" }+ w# K% `+ r# V7 Q- d& I; c4 P0 A  O6 R$ G9 Z
NO 2 处理器的升级3 S  T8 L. u: P# B- [, e, `2 ?" e
1 ?& {! [) g$ S0 r/ t

4 z8 T( ^2 i' h9 i* I& b. F6 e        i7 Haswell-E架构图解
1 @, F4 D- A8 t) x, \( O  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,9 Y" I5 |. ^% Y2 [( S7 j

9 S' G" j3 W1 @" a6 ^: |) ODDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E* s  W% ^; S9 I" u, z4 |
2 p3 ~0 w; g3 C- D2 e; @
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,' ?7 f) v+ K0 ?# r; k0 H. q+ M& a
# x- S" J& Y  U" P
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
5 t( Y# F& M$ Q9 C; Y% y, ~7 x( r7 v
. {) O4 z. v, Z  q/ u/ t, w% s! G1 b* c( b* E. ~! A

点评

貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12
  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    18#
    发表于 2015-4-14 15:53 | 只看该作者
    顶顶顶版主
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