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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!
' h% h9 S6 \; A4 V' @% R

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
2 \: i0 V" N9 b( ^
5 Y1 |$ V# V+ @* U频率和带宽巨大提升
. d: Z& |: n+ O使用Bank Group架构( q% w9 I/ R: a5 r2 J; W5 B( x0 l2 z
1 z. ?  f  G* T* A4 k; a( T/ w

1 ^, R% M( E  k1 V: w: j/ F
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
+ a! U% W- Q; g( `0 N( F
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
8 ]* V  n8 U. ]* s/ |. j8 I% f

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
1 I/ O2 e  H3 H0 Y3 t) E# f6 N
& R& i3 E' B7 B- }NO 6 关于DDR4的电压
1 T8 B! D7 A) S, v1 I  i# f4 k  f, K  x/ Q8 @" m- h# _- Q
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。6 d& O# ^3 I. F
$ F, ^/ f/ I6 A' t& ^# a: A
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
0 J; d$ W- X( v) O! Z: i0 f" o& r
移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
; L  a) _2 Z  y* W8 A7 ]* ^
" R& y5 v0 U, R, t* \7 X3 B! x" m- u: Q/ c' l9 L1 W
* {& K: z0 y2 B: G0 {8 {9 h

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
( ?, @5 W5 y5 G0 E
! `9 H# L4 c( O8 L  K6 Q0 G
' F" \- K. j2 T; B1 r* A
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
9 E  ]3 E2 N$ R  b举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
# b# G8 B& r$ I. Y9 ]9 {( J- j/ r6 |% P$ O! L( F* W" @

" z& c; [; E$ [' L
; b8 z% k6 [2 _( n, O* Q+ Y               3DS堆叠封装技术. u& E2 Y7 @+ v( y7 Y3 T

. a0 j& b5 ~/ q& ?9 X$ y" ?; I

1 m' J& ^* ~- R. u+ X. h: K' T1 h! T6 |
# A" H& G& D+ ~, F9 i
/ B; K  G1 y2 V1 D0 ^8 n7 R3 o

1 F# p5 b% W) {) j* ]5 f9 i$ _7 h$ w2 R
; z; |8 `+ {" h) C! Y) s

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率/ f( ~/ r# X- R; |$ h" M/ o
& u# O" ~  z/ ]0 H' H+ G
DDR4-1600 MT/s8 I. D7 W. k8 G- _' p
DDR4-1866 MT/s
3 ~0 N$ _. B; y$ s4 ZDDR4-2133 MT/s
# n- m7 s8 O# w) L! PDDR4-2400 MT/s6 n. L7 J% Y8 E9 L( f) w
DDR4-2666 MT/s) W0 p4 U$ n% g8 E9 K
DDR4-3200 MT/s
8 ]$ A8 t7 D2 |, P6 E
- p$ @0 h9 C' [! L6 @9 B科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
& b- K  m7 i% X0 f+ o! I, CDDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,
1 m4 T7 v' D. F. @& ~9 I换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz. V" ~, h- L7 L* m  }/ P9 T

: H$ |# @) t2 B* F3 t- W3 }, y, d2 F

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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6#
 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景1 b( P1 T. v$ P$ s
7 T5 x. J2 S; _6 E. |
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
) c0 n, Z" I: w4 I  |
: \( J; w" I6 B4 C(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),3 C5 |2 P1 V  B+ I

" p3 O; j. G" s% A是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,3 \+ {2 X  i9 S

) b9 n$ J; d# ]7 ^. {现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.
" C4 C8 G) H4 W6 Z. p

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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9#
发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。

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11#
发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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12#
 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:118 R2 n1 t! }% V& Y
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

$ ?% e4 F; w1 B2 k准备慢慢写。  g! P" A# N$ K3 L

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14#
发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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15#
发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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16#
发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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17#
 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑 , v' e( P" j/ G8 Q6 ?
( }4 Z* J/ S. J# N( f* q0 c$ S
NO 2 处理器的升级* E. ?5 v' P; g
- l* f  X! |7 W% p( I$ B$ a
. \3 P. |3 F1 e6 a- O" E
        i7 Haswell-E架构图解6 c( @, T" O5 B: r
  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
/ T( s) p7 x2 w# t; q# l: X, j- H. ?, t0 g" |, o
DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
$ b& l5 J7 Q# l% N, A
) X& m) I; e  o$ [6 w作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,. C0 O1 R1 K( s) L9 u

  @, B9 t$ S3 J: e5 F, {% }并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。% t* J/ m; z2 Q+ w
; n6 ?, h# Z) }" A' i  A) @

9 @4 l' O  h; G4 G

点评

貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12
  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    18#
    发表于 2015-4-14 15:53 | 只看该作者
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