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楼主: shark4685
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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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16#
发表于 2015-4-15 09:51 | 只看该作者
刚学完DDR3,现在来学DDR4啦,楼主加油。

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17#
发表于 2015-4-15 14:25 | 只看该作者
楼主真是个好淫

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18#
 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
/ H7 b+ a6 i% V. ]! k4 l( m9 F: \* M* R1 Q1 I' ^% F7 {, q
% d% s. J) n% a
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
. E) k5 v. P; G% P' B举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
5 z+ G" A/ q& k2 ^& f- R/ j' o  m
. {( l+ F# x. {$ U) v3 l& e

: Z/ |# d" ]7 x* @! g5 a7 C$ z               3DS堆叠封装技术/ v" s5 c3 |- H) ]5 `

$ z2 g9 c+ J* f$ o, l
& }/ v( c. ~7 N2 _

, _4 j! O8 }* k6 Q% C  j$ h# M
: l& M& q, n5 J
7 n# q3 g4 m( a
/ j1 J1 W7 o) w5 x
- S8 `0 f5 d1 z% N" g
( a% I# [4 c) I

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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19#
 楼主| 发表于 2015-4-16 14:11 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-16 14:14 编辑 5 J5 y4 A) k# Y4 [
) l& p9 v* T; z$ ?4 g8 i2 U6 j
NO5 DDR4 内存条分类及外形' [; Q, H8 `8 D& A

' E5 a1 w& l- B6 F
: L& N* f" g# T9 }+ ?
- ?5 x( f, _3 @: o# q* C: K
3 f" d2 ?' Z7 _9 v" k2 }3 ^; R. T
DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?
1 W: d# g2 Z0 V1 [. z; p
一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
$ B3 K/ r, @0 l9 E
但本版主认为:其实是为了更好的信号完整性
. Z6 ^0 V& L4 v. G1 Y% J
  接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

. B9 |5 |3 U8 L  o1 r. f  _5 b
                        流线型金手指

4 K" W) d! J/ H/ ]8 z2 G2 j6 w
                           DDR3 & 4
4 b4 @# S& m% i' h% g6 R

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给楼主加油,膜拜楼主。。。  详情 回复 发表于 2015-4-16 14:34

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20#
发表于 2015-4-16 14:34 | 只看该作者

/ h: K! v$ \+ ^( \给楼主加油,膜拜楼主。。。" H6 V% D# a6 a& e/ C4 h

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22#
发表于 2015-4-16 14:52 | 只看该作者
楼主坚持、坚持、再坚持啊

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23#
 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 5 M3 P' p, R7 X( H

1 h/ ?3 A" R0 c9 J" X1 UNO 6 关于DDR4的电压6 k6 a$ E: V6 o+ _
+ o* A4 o" x( q
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
$ p  O/ V* J$ V$ Y7 U0 l
2 e: a% S8 K/ E2 l# y: {电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.) ]4 i* V: _: R/ e) [

' V# a. Y1 s) p9 }# J+ m/ ?/ I移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。6 ?/ `- b1 ^2 T: v5 Q0 H& }
. y9 P- F8 X* y6 ]7 N( R
& x6 r* x7 m; [8 m
: @" q* L" u) I+ p' H& B' ?

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24#
 楼主| 发表于 2015-4-17 10:31 | 只看该作者
但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。0 `6 j( E8 i, Q$ P  d  Y

! X& b% A/ c$ ?0 k对于服务器市场,还需要提供Banks切换特性,所以使得服务器用DDR4存储器
3 |; ?: S8 C3 ~. C1 P6 D' h$ K% ]& @* `0 J6 H4 {
与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。
# F: X9 ]0 n  q1 p$ k* R0 P0 B
" o1 Z# Q! {0 d9 [4 D: g) e对与服务器供应商来说,有可能是一个巨大的市场哦。

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26#
发表于 2015-4-20 11:18 | 只看该作者
数据信号线单端的还是差分的?

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并行总线,必须单端的。。  详情 回复 发表于 2015-4-20 11:24

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27#
 楼主| 发表于 2015-4-20 11:24 | 只看该作者
wdc 发表于 2015-4-20 11:18
/ u1 I, T4 Z! s# U& F2 ^/ O# C, Y6 e数据信号线单端的还是差分的?
0 |! R7 i7 I- w
并行总线,必须单端的。。
, w4 o: Y: m7 V: }2 U6 ?) k

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28#
 楼主| 发表于 2015-4-21 22:24 | 只看该作者
请假2天再接着写。。。

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30#
发表于 2015-4-28 15:41 | 只看该作者
楼主最近好像比较忙。。
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