DDR4详解....各种技术参数

红孩儿 · 发表于 2015-4-15 09:51

刚学完DDR3，现在来学DDR4啦，楼主加油。

jj9981 · 发表于 2015-4-15 14:25

楼主真是个好淫

shark4685 · 发表于 2015-4-16 14:04

NO 4 DDR4 封装

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

3DS堆叠封装技术

shark4685 · 发表于 2015-4-16 14:11

本帖最后由 shark4685 于 2015-4-16 14:14 编辑

NO5 DDR4 内存条分类及外形

DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？

一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

但本版主认为：其实是为了更好的信号完整性

　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

流线型金手指

DDR3 & 4

JOBS · 发表于 2015-4-16 14:34

shark4685 发表于 2015-4-16 14:11

给楼主加油，膜拜楼主。。。

cool001 · 发表于 2015-4-16 14:44

好贴，很赞

pjh02032121 · 发表于 2015-4-16 14:52

楼主坚持、坚持、再坚持啊

shark4685 · 发表于 2015-4-17 10:23

本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑

NO 6 关于DDR4的电压

DDR4 不仅采用3DS的封装形式，而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。

电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.

移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。

shark4685 · 发表于 2015-4-17 10:31

但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。

对于服务器市场，还需要提供Banks切换特性，所以使得服务器用DDR4存储器

与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。

对与服务器供应商来说，有可能是一个巨大的市场哦。

zxb0403 · 发表于 2015-4-18 17:27

支持

wdc · 发表于 2015-4-20 11:18

数据信号线单端的还是差分的？

shark4685 · 发表于 2015-4-20 11:24

wdc 发表于 2015-4-20 11:18, J0 i/ e1 W H2 D; o
数据信号线单端的还是差分的？

并行总线，必须单端的。。

shark4685 · 发表于 2015-4-21 22:24

请假2天再接着写。。。

jhh610528 · 发表于 2015-4-22 20:49

支持

红孩儿 · 发表于 2015-4-28 15:41

楼主最近好像比较忙。。

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