DDR4详解....各种技术参数

红孩儿

刚学完DDR3，现在来学DDR4啦，楼主加油。

jj9981

楼主真是个好淫

shark4685

NO 4 DDR4 封装


& H2 C1 y. \  f9 i9 G! LDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。



  W8 l* G( ?" K4 K+ k/ G9 D               3DS堆叠封装技术

$ T$ L: e6 X; a9 N$ o& z



/ _) i2 Z: G) l3 A- o

% H- s; S! Z. d8 x3 s/ ^
' F, K# A/ w; I: g7 V- ?

shark4685

! k' M% m7 O  P( w* q) x
9 K5 G& x: F) E$ c& R

NO5 DDR4 内存条分类及外形 ; X- a1 @8 E* i , C; k0 z: |" K) \1 j8 i 9 z2 ~% y, ]/ P* D7 A DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？ , X" U/ t" |& U" L% e3 U 一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。 但本版主认为：其实是为了更好的信号完整性 　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。 ; F+ R1 B5 Y+ B* q# M# Y                         流线型金手指                            DDR3 & 4

5 T* l. f, r* e

JOBS

shark4685 发表于 2015-4-16 14:11

. O; N" {" C& m3 Z给楼主加油，膜拜楼主。。。
0 f+ l" z2 _, R: x) n. ?- E/ O

cool001

好贴，很赞

pjh02032121

楼主坚持、坚持、再坚持啊

shark4685

5 a9 T+ h) f* X2 c2 R4 o$ xNO 6 关于DDR4的电压

DDR4 不仅采用3DS的封装形式，而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
5 N1 D% n% r: h9 U3 s8 T# b1 U
0 o& E, s7 F0 v" Z& Q电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.

3 M. Y2 g$ q3 l2 T移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。

shark4685

但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。

对于服务器市场，还需要提供Banks切换特性，所以使得服务器用DDR4存储器

与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。

对与服务器供应商来说，有可能是一个巨大的市场哦。

zxb0403

支持

wdc

数据信号线单端的还是差分的？

shark4685

wdc 发表于 2015-4-20 11:18
数据信号线单端的还是差分的？

7 ~7 W5 @6 U) I% W; q并行总线，必须单端的。。

shark4685

请假2天再接着写。。。

jhh610528

支持

红孩儿

楼主最近好像比较忙。。