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楼主: shark4685
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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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16#
发表于 2015-4-15 09:51 | 只看该作者
刚学完DDR3,现在来学DDR4啦,楼主加油。

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17#
发表于 2015-4-15 14:25 | 只看该作者
楼主真是个好淫

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18#
 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
. [. B" B8 N! b2 y4 ^1 o$ l: D8 T/ ]  B7 t% U! @/ V# q  {
" m6 R, m  C4 }2 z
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
0 J5 ~$ S$ b0 L- B6 [( M2 ]举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
- `9 [% F! c2 A+ h1 I, D2 V2 h2 b$ f, |6 f$ d2 `2 v

/ `: L3 @- V% c2 o
1 |* ~; p, A  M% Y( W  F- b" `               3DS堆叠封装技术) Y2 `2 m# k8 t8 Y: j! Y/ i( n7 J

9 w9 t- ~/ a) N

3 ]6 q0 T! V9 U2 ]9 W8 f0 c6 c+ G& S: X, Q' p2 v3 l/ y
4 C3 O8 W& [5 |5 A+ {

' n4 I. ^+ |0 |2 m# C  P4 Y! `7 G7 J: t
! Y4 N" y" \) v, k

( e$ R0 d% B/ t& V* [( G2 {
; w/ u1 ]' ]) t* A/ A% Y9 |

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支持!: 5.0
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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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19#
 楼主| 发表于 2015-4-16 14:11 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-16 14:14 编辑 + M3 d0 S) G) ]# ^# e7 _7 ?

# G' h( k2 e- C5 F) C  |; {$ b: H
NO5 DDR4 内存条分类及外形( m! P8 A/ z$ y6 I4 t9 W0 J( z& P$ s

5 |5 y7 u' X$ Q& y) P3 i1 F4 r  Y2 g* t- p# a2 S
- J* @9 T" H+ {, \) d+ @0 X, n

9 O- H; ^8 m0 A/ ]. ^$ i
DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?
! i1 j6 m9 S' D1 b6 n/ m; C
一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
3 l  _3 |4 i5 a% a* I
但本版主认为:其实是为了更好的信号完整性
, z" g! I8 {: S# h
  接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

, w! q5 W2 Y" q
                        流线型金手指
7 Z( u) k; F/ m" r1 y* ?
                           DDR3 & 4

! g3 A, Q: \* E' J6 ^: x9 v' O% n6 H

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给楼主加油,膜拜楼主。。。  详情 回复 发表于 2015-4-16 14:34

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20#
发表于 2015-4-16 14:34 | 只看该作者

: I8 H6 T7 l1 q# W. Z" ~7 a$ \给楼主加油,膜拜楼主。。。
2 P" H, Y  v/ D0 c; h2 F$ |

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22#
发表于 2015-4-16 14:52 | 只看该作者
楼主坚持、坚持、再坚持啊

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23#
 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
# `& q% I- x7 u  n2 s0 N
2 o: x! L2 ?; y$ p* uNO 6 关于DDR4的电压" q1 p0 m& p% L1 x$ |- l

$ C9 W- X1 W$ ?5 U" }1 }& UDDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
8 V1 l: |. G; t
" {/ a& S4 i* e, Y- I/ |电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.7 U( [. K) M, P2 \2 q2 n6 e+ M6 X, }6 h6 o

" N, q$ H# S" E5 v4 t, |移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
( U& c& B- J; W5 T% V
. I1 Z1 y0 D0 O' ]
) i% \& b6 a8 p3 w
  ?+ \% K! X5 p' D

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24#
 楼主| 发表于 2015-4-17 10:31 | 只看该作者
但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。
, t4 W8 \4 U4 A" d6 x+ p6 k( X: v1 K- ]5 l# m* i
对于服务器市场,还需要提供Banks切换特性,所以使得服务器用DDR4存储器
9 h$ o/ \5 w3 ?* A, w# A& ^( [8 G& q$ c  l) X7 H$ p& f
与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。" _. o# N  u6 X, t3 F3 n

& y7 \0 M3 w. x+ ]. I对与服务器供应商来说,有可能是一个巨大的市场哦。

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26#
发表于 2015-4-20 11:18 | 只看该作者
数据信号线单端的还是差分的?

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并行总线,必须单端的。。  详情 回复 发表于 2015-4-20 11:24

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27#
 楼主| 发表于 2015-4-20 11:24 | 只看该作者
wdc 发表于 2015-4-20 11:18
# N' A/ r( K7 J% F数据信号线单端的还是差分的?

5 \3 T# A0 S" o# s0 s3 P并行总线,必须单端的。。$ i$ z' t* u: }: L

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28#
 楼主| 发表于 2015-4-21 22:24 | 只看该作者
请假2天再接着写。。。

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30#
发表于 2015-4-28 15:41 | 只看该作者
楼主最近好像比较忙。。
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