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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
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此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
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pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
! j" |% s% y0 T* T8 H8 ]  u
: L0 s( R1 Z- k  V9 _. G下载请点赞。。; y1 e4 V8 c  ]

4 D; I6 K% a/ ?6 e! P不懂可以问。3 T6 E7 j$ t0 [2 ^4 n
' a" y6 M! D0 @$ L6 d! q4 X

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赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑 + B/ q- J* y! ^2 O) q; x; [8 y- o- g

$ n" G/ F  _* f- Z; F' y新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。; ^/ X4 |: a" e5 j6 T2 s; ?7 s
8 |  Q& d8 F: ^; N5 A
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
% P- W- D' }1 }DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
- r! m- z! X* h: G# I6 V这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
& o( L, E8 j; z1 t7 l+ v6 y当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
" \3 C5 K2 c$ P! X
/ g5 j$ a, @" z; C8 y0 z在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,3 ]  y) i, M% z3 K5 z5 @# h
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
5 O& g& d% a% b' n; y$ C而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。% u2 a5 f0 M1 W/ ~6 N; h

+ ^9 o+ T: ^0 I. q3 x

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
, |5 |4 D+ \& ]" F
  m9 A- q9 J  s2 v% Z
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
: r1 G1 Q% ~) ]4 m6 i3 z+ M7 I- V3 t0 O$ E/ \% P0 z

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
8 h% m/ F' r2 n1 G) i; K# X$ L你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。' r/ q- P5 N& o1 J: d
要不你先来一把。悬赏50分。 ...
) E* ?/ a! C& X" Z. d' `
这是我没搞清楚的地方   ) p9 o" v4 l  }

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:492 w0 t4 _- t' s
DDR3的突发长度(Burst Length,BL). g; C0 e( D( y/ k% `

$ |6 S% y) \! z/ G% i, Y+ f- H由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

, k/ j- U0 H1 B: p' r, o2 q请教版主,突发长度是什么作用呢?- V) v. p  }; O9 c# l+ `  {: K
能否讲解一下DDR上电初始化的过程
$ e# D/ y% K5 w! a3 w4 a+ @' l7 `

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
$ @; H" B( N# }9 ~' d  l; u6 T, y) p# D1 x& @
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
  d/ g" u- T0 I" Y. i1 }" MDDR1 strobes 为单端信号
/ V! j% N1 L% l$ R0 gDDR2 strobes 有单端,也有差分+ ?3 J7 X$ R4 l$ g( P0 A; @$ z7 S
单端信号会增加额外的Derating
, ]2 f2 B1 K; E3 I( U+ }1 `差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
* d/ Z# Z# n# x- j8 v减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序. n6 x" C+ g- k0 g3 d* o  [

6 C9 m0 F1 Y) `1 l9 }7 ?. M" }9 _

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
2 x7 }# H" ^3 }数据传输速率3 w0 O, p9 P& x1 {5 I
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
7 V# t3 _+ X- F: P. IDDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
' v4 R% R2 l3 V8 @. _$ C. i+ k4 ~
2 h+ y4 E3 _" p0 ?( I  {7 E- w电平   T9 l7 Z8 K3 f/ ^1 I
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)% d. n' W9 g2 j: p; X5 k7 c: E# x
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)8 a. q; D  \( o; X& s$ z1 \

4 O6 B. ^8 d1 u( F+ p6 P' L驱动阻抗6 u, k2 e$ `" ^5 g) G5 K
DDR2 18Ω & 34Ω
; t, i8 B* B- I# k( M0 HDDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
6 e4 Y7 o3 L" S$ ]6 {- n9 s9 L
4 c; ]. h2 v. T7 z$ p+ k-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。3 L- @9 N, n& C6 R7 C8 a6 E& U( b0 f
1 Z' k9 _! A! B9 E4 r2 `

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
7 _" Z8 G1 }9 {1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
" [" O5 S- |: X9 {& h数据传输速率
* D' v7 Z1 v  wDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

* ^9 I# o, i1 ^# D应该是频率,不是速率。
1 Z% [& D- ?7 L1 W7 ?" LDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s4 E$ n6 \( i! D/ C! j8 _" ?: l5 C" I
# @3 [' K6 S8 u4 M( W6 R) P

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
" X* n9 y, w/ C. A2.数据锁存(Strobe)类型8 O" b5 O7 j/ J! @) t7 |; T; m3 |

( j) p9 b) t; }& ~" Q3 yDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

( W7 C2 Q/ C7 C7 Z3 Y大神加油,我坐板凳来学习!/ i/ R, U0 ^+ S! B3 _) t1 A: ^% R

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
' w: X' g5 N$ `1 K5 |DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
: |+ N. f8 D6 O' _对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
# @# z8 \5 F5 lDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小- x) u$ V) B$ M  S' Y) _2 l

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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