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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
) [8 @" c. f8 U; ]& v& K) m* o: ~9 Q2 Q* m: ~4 J- H9 z9 {
下载请点赞。。2 m. E9 W: S, `2 K5 d

* e* E7 ?! c+ T7 [3 \7 C: i  g/ F$ F4 Z不懂可以问。
  m3 i8 l9 |# v( F  q$ _+ f4 @5 l6 Z9 }& J, \5 e# e: G

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支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
6 o( C8 U$ ^& E  N: N$ T, T; r* n% r7 v; B3 t/ c0 ~1 m! n7 ?
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。# M8 D: K! P/ n* p3 f% ?
/ N  T6 P! p1 G$ _( Q- Q+ ?
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
6 `" [3 P7 S# s8 ]9 b, LDRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。& A1 D2 c' R: A
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。$ ~; D* d8 C. I3 [4 A& |7 _5 G* o
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
/ `9 |9 o3 ^7 @) |! B
) z% F" V( {' L8 ^& }1 q在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,
1 w! {! T; L3 \" s" t0 c$ K! |" I所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,% h; y3 r  t- a5 x
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
4 D3 V6 O4 n/ p
" O  N% o) Q, b! l# Q

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

; D0 V& t# s( ?7 m9 U6 o5 ]3 K. ~
2 n4 O- r1 k3 V精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!9 r# Y. u+ q9 i$ r

2 s" a; D4 T/ @8 z* s

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
# r8 \; ]4 @4 Y# s: S7 a你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。9 X7 z6 m9 [9 {. w
要不你先来一把。悬赏50分。 ...
5 [2 w) \5 k0 h3 E0 T* T% J1 g1 w
这是我没搞清楚的地方   6 z3 @' C; A6 a# C, R+ e! R

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
1 |6 [. n/ j+ p% M9 V) nDDR3的突发长度(Burst Length,BL); t( X% z: R2 Q/ Z# K4 M) r/ b+ A1 n" B
; m1 r. C9 d/ k, C# ^6 V9 \6 b
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

# U4 ^( ?# X% u) U请教版主,突发长度是什么作用呢?
( f  j. J- B. X能否讲解一下DDR上电初始化的过程
! S, U! ~  C9 y& o8 T$ C* s

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型* P7 m) W6 f& Z0 y

' c3 x; V$ t9 |+ Q3 O1 U# c" SDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
; f3 A/ D* O. T# d& c" g+ p# b& eDDR1 strobes 为单端信号
; C7 M+ q1 t0 u% d; N/ X9 j+ jDDR2 strobes 有单端,也有差分3 v7 G* p# f- [* }% d# {% s' q
单端信号会增加额外的Derating& G$ ~# v& T7 T0 E9 @) Z
差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
9 v, q. k3 {' P5 o$ y减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
1 ^: N+ K, H4 G$ b- ~# n* W9 R2 ]$ x) U+ L; P: N% I

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点1 i7 o: ^+ c5 ~# y
数据传输速率6 z; J5 A7 u6 U  E+ Z6 L* d3 ]" D
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
2 a, E; b+ U; }; r6 K# v  ADDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s* O+ c  F8 b: N: O* Y  [

4 D! z5 K$ }9 N% W电平
1 t! X2 T2 F# o' PDDR2 1.8V (对低功耗有1.5V); @0 ?" k  P, L( `! s
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)$ Y3 Q% z  h  y! z! ?& l' v$ y5 C7 b
( f6 h4 f- B% q& z+ m
驱动阻抗. d: |5 L4 P7 k) S
DDR2 18Ω & 34Ω
4 e* Z4 ~# l$ n5 ?DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)3 T4 \, T6 Q, @' U3 k: P9 ~
, L+ W1 o2 ?) W( k
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
; U$ u, `2 f1 T2 Z! _' ~. J$ ?! D& L, k4 R

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
' T; T6 ?6 ~) w6 n1 t9 x( g1.先来看看DDR2和DDR3的不同点6 g, w+ u$ f# `3 p* J2 ]
数据传输速率
% ~) H- u7 w4 K6 q. D, u8 B: XDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

( o+ Y3 N0 c5 U7 }  X应该是频率,不是速率。' ]/ D1 b) Y2 r1 _6 g  g
DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s/ i( ^) S5 T+ j' a& p: Y

* u3 {" x% ]  G3 ]

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
4 I1 B3 i: b& `2.数据锁存(Strobe)类型
# Z: Z/ Y; \' \/ P& d$ c5 Z# a' l# ?% F" v- R9 `- A9 k# M& F
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

& D- E" [. D4 U1 X# K: r1 a大神加油,我坐板凳来学习!
  `6 k. S% v) k

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
6 a/ t% G; V0 F6 v( N9 IDDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,3 ^- b9 }1 u, ]  ~  m
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
9 ~5 F% l5 w& MDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小
( h9 j; M. a$ i' U3 Q+ ~! B( B

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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