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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
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pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333) & A7 H) s" D0 c% ?

! p: p$ h" ]8 v" [8 U下载请点赞。。
0 ?2 D/ A  Z+ O. R- p" C, @3 `; C; f& b( k. J6 H- h% q6 S
不懂可以问。& ]4 U# B0 c- _/ ^: W6 t0 A3 w

3 [1 C% N) D9 X; y& g

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑   R& _& b, r( z( @% Y5 d

. h: T( M1 c  y+ Q6 ^7 p! b新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
* C# r8 z% U: }: q) F6 E7 d
# t6 R7 }  ^3 a& b8 a, h8 O
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。' \7 K( u& D- x% W8 s$ C
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。, U) |5 G, i9 R, o6 m. m  }
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。7 Z( |- v) I0 l8 s8 J# i! y. n
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。# K& l0 r( Y' M0 m- E: \
3 _) W. E+ k* D, ~9 t+ A7 G, q
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,
1 c7 ~; p# \1 m1 P  |- B所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
+ a! J/ m4 c$ B4 ]6 s! f5 W/ r5 J而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。$ T# r* |& n4 |/ s

  b/ N+ L  `% f% E$ Q

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
" B8 N! j) f6 c" l! F& }
! Z! f7 n  c* ^& f
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
, x  o" H7 V" Q% L
8 X$ u+ ^) u& X3 Q# K/ \

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:358 V7 A$ O) @% i- O  @* N% Y
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。1 W! Z6 s/ I( F0 L8 B
要不你先来一把。悬赏50分。 ...
! [) I" K* L$ x, h
这是我没搞清楚的地方   
* B% v$ `! \9 p5 G

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:499 U9 x3 Z7 P: ~9 d% k' g) g7 t$ Z
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
! _, ]/ B$ A+ a, H) G) h) p/ h! M2 Y
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
( P( h0 O  T: N5 h/ F7 \
请教版主,突发长度是什么作用呢?1 R, p3 L/ C8 F8 b" r( E/ D
能否讲解一下DDR上电初始化的过程: @& j, U; W" P7 V* T) O+ a8 H" \2 A% T

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型' W4 f9 N5 v7 p1 c1 d0 l
9 r# _7 b1 w) v& e" u6 a
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
& E- T  E& T, Q' f4 X! VDDR1 strobes 为单端信号
, |9 j4 a) T5 J* ODDR2 strobes 有单端,也有差分/ X; i) g" J7 G7 n) r1 S
单端信号会增加额外的Derating% T7 C. U  G( C8 Z+ d8 I: O4 H/ r! {. A
差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
: y5 u' T$ x2 O& c, v- m9 O减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序# A" S6 m' L6 Y- z6 u* ~9 Y

3 M# _! x. s8 K3 O

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
3 K% ~- q) w4 N数据传输速率
. a0 ]/ o4 z4 ~, K* d+ M$ IDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
  v1 ^9 U) b" h. z+ ~( @+ n7 WDDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s# X; c; o0 j9 j2 G( _& }
6 \9 ?5 q/ @, s  O4 ^0 q
电平 / Y/ c: v9 ~" a* d
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)* c$ a( v; X* }+ s& r: s2 V
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
: r5 N: U! r% b$ o' ~0 g2 Z8 p6 n6 v, l
驱动阻抗1 S2 E  ?# f* q/ Y
DDR2 18Ω & 34Ω" Y7 H- j' Q  x  s3 }% x& ~
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
& S6 S- d5 Y3 z; O) K$ l( W* O4 U* c3 K
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。: n, V$ V( Q5 W8 B9 O" b3 p
& F- ^( @. l+ W2 p- f

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
, D3 B4 W" I0 J7 o: K0 m1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
1 ^5 Q: A! ?/ @2 n7 i; a2 \( }$ K数据传输速率
% `  i& a" t  Y2 K" U6 bDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

( k3 y  U* e! l% G% W' n& K应该是频率,不是速率。
. ]: Q( h- t" S: F% p8 y# MDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s, w0 P  L& q6 k2 e& r

: a9 y& r/ W1 |% E& N. \" H

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
- p/ ^+ b# F8 x0 q1 B2 P: a7 z2.数据锁存(Strobe)类型. E+ ?; p2 `& r, U

: [$ i) D. J& {( d4 |DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

: \. ^# w$ L5 H, R* g/ v  w7 J大神加油,我坐板凳来学习!
8 T" S2 f& m3 ^; R& @

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力# _, Q8 l  d7 N6 p* z
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,. S( A7 v) {. O
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
( `6 c5 q2 m$ y! @DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小
" L1 ]( Y1 L. G8 T2 A" Q/ B& n

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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