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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333) ' m3 u: I4 }" L1 L- M  H# Y* ?5 E

9 B5 v7 O/ h$ v下载请点赞。。8 z+ C/ H+ R0 w+ o3 |6 O
! m& }3 U; C, w2 G; z, s* T
不懂可以问。5 y/ ?+ v* q* x8 ~) t3 R
9 n/ y# Q. e, _, t% W5 }# d

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支持!: 5.0
支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑 ( T, f  y1 z- v0 q6 M3 }, L
0 y  d/ x. B# o( M6 N6 o
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
9 y' U! h( l/ R* A! D" t: a- F
, u' R4 I. s! Q7 |1 F
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
3 ~( m, d' x1 F$ c! M* T7 HDRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
, |2 q) n' D. n) w1 C; i这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。$ j" M) N3 |6 j* Z6 {# S3 Z) X
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。: i3 P" s6 |) r- e

. F% i/ X7 i  _' u9 w. m2 I! e, j在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,
& }/ }/ o. ~% z' p所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,/ s1 n' f, N; C
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。7 e. K8 p' p" M$ T8 A2 _' M1 u  j
/ f  S$ F1 `) E! V' W/ t( `3 g

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
* p2 f/ l' C+ `# v9 ?* ~( Z
2 o/ x- f6 W0 t9 M& I( }/ x
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
" `  B( v5 T8 `) S/ Z5 I
$ p8 v( X0 }: j) k! ]8 Q

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
2 M" @5 h0 i) V7 E4 ?& _( H. {: i你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。! K4 D% Z+ p" e
要不你先来一把。悬赏50分。 ...
* _0 `& F( f9 X) A2 {8 E2 y
这是我没搞清楚的地方   
; e. k& W/ e* ^7 s! R4 e0 J

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
( J. B0 B  c, d* f5 x; ?! TDDR3的突发长度(Burst Length,BL), T) v/ ?0 e- n  t5 I6 f
& H  T& \9 u: E1 N! P- n  [  N9 S
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

6 }: ]; c7 B$ u% d( ^) k; L1 I& o请教版主,突发长度是什么作用呢?
( w5 L+ E6 I- i6 n能否讲解一下DDR上电初始化的过程
/ v, O+ g6 z6 w3 i- ]

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
9 \& [. r' s* B/ _
# Q4 x) @1 y! b3 t  \; oDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
; d8 T4 C, b# q! mDDR1 strobes 为单端信号  J0 ^6 Y6 D4 X( b  E
DDR2 strobes 有单端,也有差分2 J8 i, G  X2 |: I4 R+ v& z( }
单端信号会增加额外的Derating8 N7 N$ {$ T9 X' M1 R
差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量5 a. V; g$ L: e" Q7 S
减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序( b, M4 _: S0 ?$ U- L& ~

- J* Y6 a1 X3 b/ x

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
( Y# M; f9 t9 ~" |( W数据传输速率
5 A: O4 p* a4 ADDR2 400Mb/s – 800+Mb/s2 P2 H1 g+ m# ^5 a. G7 D
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s% Q9 N2 g+ t3 M

% j: l4 S- e, r电平 ; Q8 k: b9 n. x
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)4 j, p7 `1 ]/ ?, B5 Y
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
( X) P3 I: S" z5 @- n
% Y7 y$ R! e1 Y" b驱动阻抗
: L1 t! X- f- P% ^/ UDDR2 18Ω & 34Ω. n5 J1 M- {- S4 X
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
( X+ Y; W; R  d5 ?) ]  _8 x* c$ n' b- ~/ N' C
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。& y% u4 Y7 j- M$ n) O* V. o0 G
- Z. |% S8 q) K1 j2 g

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支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14& J+ e2 D. A9 x" ?
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
% T4 z3 B3 J$ N+ j% q数据传输速率
" n0 d; \. [7 ~9 Z- kDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

8 Y* g8 t) W/ S- y0 M, n$ J应该是频率,不是速率。
5 P4 }1 v7 o+ V/ V: jDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s( @- \; T, W' ^& J  G2 V

6 d: h  @% O8 {2 I6 i0 Q+ W" `

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
3 Q' H0 j2 Y. i( t& V3 r2.数据锁存(Strobe)类型- o) v4 e6 _; P6 v
+ o* s- E' q; Z% V
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
  ~2 R% @/ @/ }
大神加油,我坐板凳来学习!  ~& X" O7 T- ~# @( e& h

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力4 ^; Z  ], Q$ d" Y2 C
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,& O& {7 `# \" d, |" u  A
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适  \2 k& |/ e# @
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小
- G/ e* N, e6 o2 d: j% Z5 w

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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