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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
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pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333) - G. @6 U3 J- T7 c3 o" E

9 t' l/ S/ w8 h% ]  B3 x下载请点赞。。
1 [* R; i, t) s8 |0 T3 |# I# w+ q7 I/ |
$ d! [" O/ q9 B! B, _' [* ?不懂可以问。
( @4 ^# G( c8 F" m- E* D% Y. `# ?1 U7 L% B' C: z) l& v

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支持!: 5.0
支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
9 `1 [8 y: k  S* A" o& z
, T/ N6 n9 V8 \5 h" v新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
! W. ^  x1 \6 E* o; D* U

: r1 {- G2 S! o% [6 \* q, U重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。6 a% ^4 \( ?$ E; a3 j' e
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。* h  l: s1 E5 P& O
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。2 ~9 u( R) k9 g. `. h. I
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。; V* I# e, L5 b7 ]
* H* H7 I) q+ G
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,
; v! n, R9 O- ?& n1 }8 ?8 |所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
7 W- }+ n3 g; s2 G# V# u1 z而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。4 u5 M! ^) r+ t% T8 R& Q; L

7 W% \) \" z3 g  X

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

$ P9 ~% }, @* ?% w" d4 R
+ ]* I' p; }4 w& H/ D: i0 z6 ?精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!7 ^, E/ `9 P, P. v/ e

9 i9 b( s9 T, ]* X$ N+ Q9 N: [; G

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35  o; Z: v" R: o& _# [
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。- t0 N" {, u( f, o1 z- H4 O7 h$ d
要不你先来一把。悬赏50分。 ...

; N# Q. T* l% P- b0 n& }  l这是我没搞清楚的地方   
5 ?! y5 B1 h+ [9 [/ Q. y

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49$ Y& z1 h5 V( g- @% J: T
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
7 i! Q7 e' G$ O- N
0 b3 F7 X' ]' {; {, G$ u由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

& e, _7 _  Y2 ?7 b6 ]" \请教版主,突发长度是什么作用呢?; J" |+ _0 L9 N7 j9 ?+ {  x
能否讲解一下DDR上电初始化的过程- \! W1 p* ~4 X* F; K

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
4 N5 F5 g' C9 ]1 y2 P* ]
  `5 {6 u0 @: a. IDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分; ^/ b, v3 K& D; d* I; D# M) N
DDR1 strobes 为单端信号& b  T0 a; f7 D& Z! ~' U. [8 Y
DDR2 strobes 有单端,也有差分. A/ \+ h# c* Q! `
单端信号会增加额外的Derating2 z" _% T4 G3 B* M0 Z% I8 I% k1 Z
差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量% Q. a: d! F1 b
减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序# L% ^2 I% E% N# [* |1 d

* l# C+ @% i3 E/ {% @2 `

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点( n) @0 n, P9 X* A# j; E$ F0 y9 P: w
数据传输速率, h! n9 ]3 I9 E+ J
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s. e' A8 J- h0 [6 b8 u, a# V" Y
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
9 b9 z% X- C: W: V. G7 V( U
% U0 H0 D) v' f- n电平 + J' v8 G1 J, J) v5 {- ]2 S- U( Q
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)# r3 S' |- s3 \8 ]; i
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
$ G; i- m! Q5 o- x. U- X4 Z' Y- x/ E* D( n" i% P' y+ Z# V- J
驱动阻抗
& E. @. Y% U$ CDDR2 18Ω & 34Ω
5 {0 c& n/ G, b5 d3 A. g: ?DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)4 _! V* r0 I! `& V' c7 C7 q+ ^$ P

# |) Z$ X6 Z  D' U-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
- v. d) w/ e3 T% }( t1 d% k$ [* ~: x1 ]$ S6 S  E2 h

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支持!: 5.0
支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
+ z0 d7 g( s6 W, L! A% x1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
2 U+ I6 E4 Z7 Q( f; j数据传输速率5 B/ k5 @! z2 z( D" t! S( u
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
% A" e4 z! N; Y% x
应该是频率,不是速率。
  K% X$ b/ D0 r( MDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s0 J# i' m3 B. Y) }5 D0 x: M
  j/ J* V1 w; x; Y& `5 ]  V

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:324 Q; V9 C+ E9 F% K4 B; P
2.数据锁存(Strobe)类型, m: L. l& b# Y* |8 G( N% k( d0 W

3 X2 z7 U6 S4 e* T2 d/ W0 ]/ X% YDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
" F: p: \) F; j2 O' I1 j7 b9 [
大神加油,我坐板凳来学习!
4 K. A' x9 t6 c# }0 a* Z$ z: f

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力' }+ `' w& H1 y' K
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
' D5 H& @/ j! p( O) g1 Q/ B1 f5 L对点到点的拓扑,40欧姆比较合适: \6 _1 v, {7 Y: e) I) K6 Y
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小% P/ o" H0 h& P

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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