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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
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此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
5 B6 p% ^: L. f( Z# J7 W3 v2 q7 M# b+ A$ c7 r
下载请点赞。。6 v# Y6 b2 y6 q) B- [# ^

4 R  ~4 L" v6 r! S/ `6 [不懂可以问。3 d* y& b0 S, Q! `

% G+ D8 W* P5 `3 N4 c. j

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赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
7 L" D8 T: |; o) R. G( r9 y4 ~
0 d9 k0 m5 w4 i+ G新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。8 R6 E9 a# G5 P6 |& f* ^. |
- }; ~, W8 _; n; Q5 o
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。) M" m: M5 F& |7 E+ r! P; h
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
& p+ W% c& Y* A4 D这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
1 O- i9 J' D4 B8 [% n: J0 c' u当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
% h* u. g& N6 h) j+ c) a
# k5 J5 c, d; ?5 T# a在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,
) H& j+ E' U" l% j% A; I所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,8 o1 d% {( m, d9 F
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
- b1 i3 |1 _: u2 M, N( `0 c9 {# U6 H1 ^/ a2 d3 G; O

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

6 z" [% P' C9 C- a7 d! m8 N+ a8 N$ w' U6 H
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
; y+ g0 `8 T( g' i7 \: v6 D9 I) c# s$ w; a4 b: ]  e

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
" S& Y" N4 u/ X" k8 c% H4 b$ ^' e你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。. ?$ Z3 o/ |$ a1 o
要不你先来一把。悬赏50分。 ...
6 ?% s! s4 ]5 M, b/ o& a2 L3 w
这是我没搞清楚的地方   : o8 p9 A9 f, T2 H# [% c

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
4 w# S, J# V* m: y4 O# DDDR3的突发长度(Burst Length,BL)) y# Z3 v+ W2 E/ [1 x) M/ ^3 k$ D6 V
: I3 [: k; s4 `
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
* @3 I' ~/ B, T6 L0 i/ Q6 i0 o7 U4 x
请教版主,突发长度是什么作用呢?3 Q9 H- N0 f: R* l3 t0 \2 l. `
能否讲解一下DDR上电初始化的过程
3 g* ]: }6 R$ |

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
+ U: l, P4 e- \1 M' {5 f8 M" i7 B/ ?' O+ n3 P8 w
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分6 d* S+ N9 Q' Q# H4 q
DDR1 strobes 为单端信号
+ o3 n* ?7 R; n$ ~DDR2 strobes 有单端,也有差分8 s1 ~6 @5 C7 I6 D
单端信号会增加额外的Derating2 v8 R( Z/ q, P* G( U4 c
差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
8 X) ]/ y5 H( C2 ]0 F减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
" x" r* W- I2 ]& y/ f) X' \$ s3 F% }

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点$ j, _* q) [0 s/ V) h/ G; f0 {) F
数据传输速率1 W" W' i# Z3 F; m  u
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s$ N0 K2 ?' u' X2 Y! }, R# ^
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
  q4 p5 r% C; e& _6 f1 L. G" o
& X; r2 M! B- |5 p3 R6 x电平
2 X9 c5 g' _6 a& X7 H4 zDDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)" P% ]' A5 j0 Z, B& Q+ |8 l- m
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
7 {7 o7 b8 t7 i+ C4 c1 o+ k- S7 @, e% T( [* V
驱动阻抗' I3 x; V) Y" h1 z6 M. `, R' C# ~
DDR2 18Ω & 34Ω
" ]. f4 F1 P- [& S0 i; WDDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
2 B8 G/ N. i9 {8 |! u) M( [5 t3 C0 }) F4 c# @; E& M% n3 o& P
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
' T% P. L% e/ E( S% r' Q* I+ I
5 j' |% h) _6 O+ z  J, H0 C1 f. p) G3 `

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支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
  G. ^: _& P9 \1.先来看看DDR2和DDR3的不同点9 h+ f" {9 l$ E5 u  L
数据传输速率% P4 N2 c: c5 O) ]8 v7 I8 a  i, @
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

; Z4 L4 O/ k8 a1 G% _2 h应该是频率,不是速率。
; h/ `5 u$ D3 B4 H3 tDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
4 E- p$ ~8 H( o* E6 G0 p0 X: h9 Q$ _. X, _4 {

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32% g$ v3 N. u' S* F: A  j
2.数据锁存(Strobe)类型
4 L# ?; D% x# I& d4 M$ Q
3 p9 W2 Q/ `! a9 v! N. ~DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
4 `5 q( p7 R1 |  C$ Z
大神加油,我坐板凳来学习!
7 c' O2 A7 H( t! u8 x0 \9 o

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
) O% s& e4 B. F! G( P* j1 {$ cDDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,& o& _& Q) j! q9 r, ~
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适4 |3 a$ x4 e# w+ d- d- _5 i$ I
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小- A4 q, Z& X! ]9 }! ~; u

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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