DDR3详解....各种技术参数

shark4685 · 发表于 2015-3-12 11:46

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

shark4685 · 发表于 2015-4-8 14:47

DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)

下载请点赞。。

不懂可以问。

shark4685 · 发表于 2015-3-16 14:35

本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑

新增的重置（Reset）功能-------响应号召，低碳环保。

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，现在才终于在DDR3上实现了。
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，
所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

shark4685 · 发表于 2015-4-8 14:46

精心准备的实例来啦。。。按需求下载！！！

yawyw · 发表于 2015-3-19 16:25

shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
7 h n9 g G/ z你上来就点穴，这是关键点，一句二句解释的清楚么，你这是要累死我啊。+ I+ V# X: m: n- s3 {
要不你先来一把。悬赏50分。 ...

这是我没搞清楚的地方

yawyw · 发表于 2015-3-19 13:29

shark4685 发表于 2015-3-14 15:49+ t# P& J7 o# \' F) |0 w
DDR3的突发长度（Burst Length，BL）
/ q% d0 F( w Q. M! R4 R- ?" t% ~ v4 z
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固 ...

请教版主，突发长度是什么作用呢？
能否讲解一下DDR上电初始化的过程

shark4685 · 发表于 2015-3-12 15:32

2.数据锁存（Strobe）类型

DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
DDR1 strobes 为单端信号
DDR2 strobes 有单端，也有差分
单端信号会增加额外的Derating
差分strobe的好处抑制共模信号，抗干扰，有更高的电压裕量
减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动，改善时序

david.dan · 发表于 2015-3-12 14:56

昨天在科学园的课程很精彩，顶一个

shark4685 · 发表于 2015-3-12 11:46

有人加分么？

Xuxingfu · 发表于 2015-3-12 13:28

很好，最好弄点案例

shark4685 · 发表于 2015-3-12 15:14

1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
数据传输速率
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s

电平
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)

驱动阻抗
DDR2 18Ω & 34Ω
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)

-------------------------------------------------不懂可以问，有问题希望指正，免得误导了网友，在路上更没安全感了。

cousins · 发表于 2015-3-12 15:27

shark4685 发表于 2015-3-12 15:142 W, m2 Y9 I- G5 @
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点$ F5 R- o* c! J
数据传输速率' H" E$ r5 `: m: D
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

应该是频率，不是速率。
DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s

pjh02032121 · 发表于 2015-3-12 16:04

shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
+ w! }" n. O. ]3 s+ H4 z) u2.数据锁存（Strobe）类型
: C) [$ m2 ?! ?
) {/ A: ^/ e; B8 R, p, E( YDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

大神加油，我坐板凳来学习！

shark4685 · 发表于 2015-3-12 16:12

DDR3的驱动能力
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点，一般用来驱动于2根插槽的系统，
对点到点的拓扑，40欧姆比较合适
DDR3 使用ZQ进行驱动校验，上电512个周期内自动调整ODT的阻值，使公差更小

南飘郎 · 发表于 2015-3-12 16:17

学习中，DDR4有没有，

红孩儿 · 发表于 2015-3-12 16:35

版主加油啊，持续关注学习ing

bingshuihuo · 发表于 2015-3-12 16:41

很好，最好弄点案例

himonika · 发表于 2015-3-12 17:25

继续啊。。。不断关注中。

子木pcb · 发表于 2015-3-12 21:52

顶顶顶！

jj9981 · 发表于 2015-3-13 10:46

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