找回密码
 注册
查看: 9407|回复: 135
打印 上一主题 下一主题

DDR3详解....各种技术参数

    [复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

点评

支持!: 2.5
给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

评分

参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

查看全部评分

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
) b0 N7 e7 e5 }1 Q! |3 M% d# I# Z5 q/ d0 H1 F
下载请点赞。。
3 Y* `& a5 l+ n- d% C7 k+ q6 y; P2 t/ s2 R2 ]1 P; O# P& H
不懂可以问。
2 s! w, R; h; V3 z7 ^
6 |7 W! a0 [- E, [

评分

参与人数 1威望 +1 收起 理由
红孩儿 + 1 支持!

查看全部评分

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑 / C3 w4 h/ \- H- r9 J8 y# S" o( q

$ O% i7 w/ V) s3 ]8 g2 G# B6 P0 S新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
& K; `% D8 }9 c

) V# X6 g& B- _$ q重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
) n! I0 v2 k- X; P" GDRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
- m+ e1 I( ]: \5 O这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
  k8 ]- g* d# b, F4 R/ I当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
2 S- U8 h, Z! C) a+ E/ W$ }0 R) }- ?5 e# z
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,3 k- h9 m) g7 v' w4 `/ S  U3 o
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,8 @! \; ^, K7 Z3 x5 d
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。3 a# K; ~# A5 g, E- ~5 |

( ]- A! R- n- M! N' x" g

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

+ Q% p# J+ p& a2 l( _  A. d- d' `' P6 B& \, z+ o7 J
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
4 {% p' N: h7 O; ~8 {+ ]' u) ?! w; u) w+ E; W2 t

评分

参与人数 1威望 +1 收起 理由
红孩儿 + 1

查看全部评分

该用户从未签到

推荐
发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
  e+ d" Y0 }$ U/ O" z你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
2 F7 \3 S% w7 j, s; w; H: A1 ~要不你先来一把。悬赏50分。 ...
6 D# ]5 l8 N2 h% I% G# Y
这是我没搞清楚的地方   
( U; d* W' g; ?% G# E7 F

该用户从未签到

推荐
发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
5 M% x/ |: f7 WDDR3的突发长度(Burst Length,BL)
2 C7 z) O8 {8 o2 Q0 u
2 @) |" k' B8 O$ F由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

& A" D( f1 a' a5 m. g请教版主,突发长度是什么作用呢?
0 i( e) c6 _- S8 E! S能否讲解一下DDR上电初始化的过程  ~/ e6 N3 {  e5 o- l  F" T; D/ E

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型9 A, S/ a  i) l  A) {& R

6 ^- _# G( `! \* O2 z9 w: sDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
8 |" B/ z* P! K4 q( L$ b/ ]$ eDDR1 strobes 为单端信号( f4 ~" r, m7 x8 A, y
DDR2 strobes 有单端,也有差分
- e! W. d0 y# ]# a单端信号会增加额外的Derating5 q  `% c7 l  _+ |
差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
' v$ f$ ?& E1 ~1 r9 W减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序2 P( y( B0 _% V4 }; k

& g$ O0 ]* L: b8 {: \: O

点评

strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

该用户从未签到

推荐
发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

点评

大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

该用户从未签到

2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

该用户从未签到

3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

该用户从未签到

5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
6 _0 Z2 ?0 g% d1 O数据传输速率
# }4 I  C4 e' Z; S- RDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
9 J% a4 S9 K* i5 BDDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s( e2 @' c6 t- j0 h& o5 _

" \$ Y: t1 J9 I电平
" v3 {) {$ P6 n3 C/ _DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)& z7 n+ T0 c3 \$ s7 J
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)* C: H( D  ?7 P0 [( C
$ Q; m! c) H( ]- v* d9 L0 F! {
驱动阻抗
( }0 ]3 V2 Z" j5 m& X/ DDDR2 18Ω & 34Ω, w9 ^, }  m. M1 f% F9 \
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)" G8 p2 L8 A$ P2 V6 e* i: _
) t) ]* i3 A# p, I' c+ t* w2 i
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。0 R* n2 b) F8 |% r/ z
" B9 [7 }) B- Y* W7 g6 Q& P

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

该用户从未签到

6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
, L* g" H9 {, P5 g$ i  G1.先来看看DDR2和DDR3的不同点8 W# V$ F; X6 X* S& Y) B0 H
数据传输速率
$ v2 `# s) b1 C$ W: c. f  RDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

0 i2 x9 I( o; J# h3 V# w* q应该是频率,不是速率。
& R  b- w( `7 [( J6 [1 g* yDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
) P) Q0 _7 a& P5 c
% a# O  l9 }' N

点评

后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

该用户从未签到

8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
4 E) C' _+ O5 W2.数据锁存(Strobe)类型2 p+ {; `7 g! l0 a
/ \) W) e. k2 b* }' j0 I
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

! g! S0 J) X9 Y8 W3 j3 E大神加油,我坐板凳来学习!  ?, R. e9 x3 E, l

该用户从未签到

9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力. [/ h+ k& \* s% m8 e
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
& ~5 v# @+ @+ n# ^5 z7 ]) Z. z对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
! p# v- F& i/ b+ J, _4 q8 T/ ZDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小  |' L$ O0 i) ]7 q& ^

该用户从未签到

10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

该用户从未签到

11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

该用户从未签到

12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

该用户从未签到

13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-5-28 16:06 , Processed in 0.109375 second(s), 35 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表