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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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支持!: 2.5
给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 334) ( F# W7 I6 E  G4 u; s3 d
& t5 b$ H+ Y! k! k2 _5 d& w6 I2 @
下载请点赞。。
; Z* \6 F. z; N- t& m# @9 Y0 v1 y. v# t8 C6 ?+ |( g4 ?3 W. _# e
不懂可以问。
. ^6 K% {" Z" }5 D- k# X6 _  e3 ^( v7 M

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支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
+ t5 s/ l; n. w9 y! v6 V6 w: ~; H- n$ R# e- ]
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
. J0 k* p) ~0 B& }/ x4 n

, N; W9 t5 \% U5 C  Z重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
8 C6 K# ], P; G; P. QDRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
$ T" d9 D; `$ I$ g* d5 N这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。6 L: R. ^) ~9 r" [$ m5 n# R3 }4 Z
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。9 I- N6 r* U7 p) t

* V4 I0 ]# o. Z在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,; [  Q. r9 e' _! G, O$ K  h
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,/ z. L$ N) R8 v! m, U4 |" `5 c
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。7 N/ a: N: d* g$ L. r3 I$ T4 y- `

# Y6 N$ X) I0 a! e+ E

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

5 {/ L2 N/ R: R$ {' N+ T( i
2 F2 i3 M" T9 g- n精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!& q# z" o  X- w& m5 p) M

  P3 c2 e! a( l4 J8 Q- \. o/ F4 Y

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
- u) u# Y% m5 a- E/ ~" |: l+ }( A你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。) Z: q. p6 H3 A/ W
要不你先来一把。悬赏50分。 ...

2 b3 j4 k; H( f这是我没搞清楚的地方   
: H2 S5 k! l5 Q  y% R0 q

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
! j* R( y) D- j; Z1 y1 c. }DDR3的突发长度(Burst Length,BL)0 H7 q$ z2 x) ^+ I. O. J) }
$ W0 {$ f6 ^1 I: q7 q. w) n
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

: w" @8 H1 Q+ ^* s( [9 ~# C请教版主,突发长度是什么作用呢?
. u' ~: L) ?; k8 Y+ F! I能否讲解一下DDR上电初始化的过程
$ m- P% n7 g* D

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型1 S* O/ H2 O2 |% d2 b8 D* q, ~

+ O: N; s- p# E3 H) @DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分" }2 O) Y" h1 J9 h5 ~2 D, X
DDR1 strobes 为单端信号
7 D; w6 X0 @5 X9 R: IDDR2 strobes 有单端,也有差分
' i9 K4 F6 }: G+ ]单端信号会增加额外的Derating
% u4 h; L: q& n$ M差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
! c/ O* A- o1 g: {减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序: q% ^$ s6 L  T8 Q' N: ]$ `/ D% X4 F

6 D6 L# u; p4 R6 P  S' {0 ^

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
1 @: Y8 {% L9 g2 X数据传输速率7 D1 k  R  r+ p1 N
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
, h+ l" `  ^; D! ]3 s6 SDDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
4 i: O* i# f$ i4 ^% [( q) {- ^+ Y
4 I4 }3 Y4 z1 I0 q+ H电平
; W& z7 X, G$ tDDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)3 p) j+ F6 |4 |- l3 k. D' x
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)/ t7 ^( }: K* |# N& q* P

8 E4 ?1 x  o- `& @6 v: i0 Q. N驱动阻抗( [- E# o7 ^; Y
DDR2 18Ω & 34Ω9 a6 _' |. c4 S: @
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)/ k' E/ K3 R: T

0 h. q5 u# J+ s" S-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
9 f# e* |" E& m2 D8 t4 |) @- P/ a& p4 G) m( N* T

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支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
, s0 `, M" ~" F: S% j# \- s1.先来看看DDR2和DDR3的不同点+ m5 {9 `2 E7 D. t! H: e# t& Q4 R
数据传输速率; v) A8 C* h" |3 {+ I* d( c
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
  G% y- X! L6 K3 e; m# {7 I
应该是频率,不是速率。
( w+ E$ F. P3 u0 F' ?0 YDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
: |+ E, j0 r$ `. F! I
! O0 X9 s! v3 E9 d

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32$ D6 @/ d+ L2 o
2.数据锁存(Strobe)类型' O8 b& f6 Q3 N: y/ c& k9 f

  n& P! S- i6 w2 M* n0 V- qDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
+ s0 a) x4 q2 B
大神加油,我坐板凳来学习!+ p1 ~6 _! g- H" a

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
* ^7 t! j$ I. wDDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,4 b/ |$ K& v- B
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
, l$ @& |' V7 D0 NDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小9 r. n1 e& ]  x( t1 v. [

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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