找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
楼主: shark4685
打印 上一主题 下一主题

DDR3详解....各种技术参数

    [复制链接]

该用户从未签到

16#
发表于 2015-3-13 11:20 | 只看该作者
david.dan 发表于 2015-3-12 14:56
( i8 G- _# Z: }7 b' f2 h# f4 j昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

/ P. U8 t2 @( y/ m, S影响力  超级大 . O' z! J. [( R8 |" k1 ]6 ~

该用户从未签到

17#
发表于 2015-3-13 11:28 | 只看该作者
周三的讲座不错。期待中

点评

!!!  发表于 2015-3-13 14:31

该用户从未签到

18#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:30 | 只看该作者
Fly-by的时钟拓扑结构: j0 r3 j3 p6 r. H  F' I2 k2 T5 `
DDR3采用菊花链式的结构,能支持更快的速率。; g0 g: F8 J+ Z( K- E

8 [2 ^* \2 `1 J9 J+ [0 U' q1 ` - }& H$ u6 G7 g

- A) J" p' ~2 x( a+ GDDR2经典结构的T型的拓扑1 u+ V8 f. x. s1 C

! p- I- n- T6 G4 p
9 U( |  |& Z% D- w- N
0 f( n# F: I5 q4 Z+ Z8 w2 X; d

该用户从未签到

19#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:40 | 只看该作者
Write Leveling 机制
+ W% m, W* c! ^% w4 h$ i
4 |5 _$ T0 J$ l3 ?0 u* n因为DDR3为了更好的信号质量,达到更高的速率,采用了fly-by的拓扑结构,时钟到各片的物理距离变的不一样了,所以一般DDR3内存控制器设计了一种叫做Write Leveling的机制,其作用就是在芯片内部进行时钟和数据/Strobe间的延时。
* x# X1 w4 A6 ~4 k1 g+ O; h
2 G0 i6 o7 P# D( }# d在系统初始化的过程中,控制芯片与SDRAM通过数据信号进行通信(training),控制芯片根据收到的反馈信号进行内部延时调节,很显然,控制芯片到每一个SDRAM的延时都会不一样。
# }: |. x9 c2 R- `, }: a" @
" N, A: p) h1 \( U! R通过这种机制,使得每个SDRAM看到的时钟,数据和STROBE信号,就跟在DDR2看到的一样。

该用户从未签到

20#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:52 | 只看该作者
TVAC的要求:9 E! S4 M: \1 v# Y2 B* u) E

0 t0 h3 v: h6 K9 P. q' VDDR3信号必须在VIH(ac)以上,VIL(ac)以下保持一定的时间% j- ~7 Q, l3 p: J6 z
这段时间叫做TVAC,它是跟信号的速率相关的9 F5 C) C( E1 O4 y) U3 w
即使时序裕量是不满足,TVAC的要求也必须满足。/ R9 G: v+ z) ?1 m  `3 [
3 W2 L! Z6 h  Q
+ f! E3 e) f* y. `* t: q1 ~

该用户从未签到

21#
发表于 2015-3-13 14:53 | 只看该作者
加油,楼住,好像理解起来越来越难了。基础不好啊。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-3-13 21:35 | 只看该作者
顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

该用户从未签到

23#
发表于 2015-3-14 14:22 | 只看该作者
ccnow 发表于 2015-3-13 21:35
8 T4 H$ v1 l" w3 A9 s: N% [顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等
2 k1 z# t* w9 ^' O
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
/ C8 Y4 R4 d; ~: g$ n# q1 W/ ^% D* V/ F. @! G1 p

* A( s+ C; B% A) T0 P, r
- d  ]- }1 ^! d# R/ _' l" HNOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)- d: G6 a9 }. M$ t
TANGENT LINE 是切线
: t: N* X' A8 b) J+ r( f, Y# U- H3 B2 J9 P
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
- Z" @# e- m1 w& f( [# Q( u6 W
4 D. a! `5 b+ B4 |1 u0 f3 s
! h" [5 d/ r4 r; @: q* X2 ?" A2 q1 y9 e% m8 d

该用户从未签到

24#
发表于 2015-3-14 14:26 | 只看该作者
不懂,顶版主。。

该用户从未签到

25#
 楼主| 发表于 2015-3-14 14:33 | 只看该作者
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
' f8 f, B5 T& t3 T  A% y+ ]* i6 F9 |$ J6 w2 {
NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)
9 l3 ?, ?4 z% {% o: B7 E- W" iTANGENT LINE 是切线
7 `3 Y6 B3 t8 B9 M  y : M( k! r" G: i$ ]: e
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
4 S+ q( a1 \2 f  i9 L9 ~9 i: q+ A9 T/ {9 l- n

该用户从未签到

26#
 楼主| 发表于 2015-3-14 15:49 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:40 编辑
" ?) C" u. b+ J! i5 T! k# H# D. x1 K! O9 J/ h* {; Q& Z
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)$ k' e# A! Q* t  l4 ?( m" W6 `

/ d2 b" p" z- ]1 G; c& k" Y' R7 M由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,& Z5 Z( x9 [. t
而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,* P- a1 u0 D. B$ g, v) N
DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,; ^. ]4 t, m+ x$ D" w# \
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,
) H' r$ @+ K& k- y届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,$ r3 y* p1 k, f; D, ?1 {- z
任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,
/ s) K- P# y4 {( g2 [$ X且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
! `% m  R4 b5 ^& b* C2 {4 @& |

点评

请教版主,突发长度是什么作用呢? 能否讲解一下DDR上电初始化的过程  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:29

该用户从未签到

27#
发表于 2015-3-14 17:28 | 只看该作者
必须仔细听课。

该用户从未签到

29#
发表于 2015-3-15 12:45 来自手机 | 只看该作者
感谢楼主分享~~~~~

该用户从未签到

30#
发表于 2015-3-15 18:06 | 只看该作者
能解释一下DDR4就好
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-8-1 07:33 , Processed in 0.125000 second(s), 26 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表