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楼主: shark4685
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DDR3详解....各种技术参数

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16#
发表于 2015-3-13 11:20 | 只看该作者
david.dan 发表于 2015-3-12 14:56
) N$ X0 d$ }# a$ v3 {+ J昨天在科学园的课程很精彩,顶一个
% L  B2 N9 Y/ R' w8 ?% a4 s
影响力  超级大 ) e8 O6 R8 l) \& |) u4 n; c, L; x

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17#
发表于 2015-3-13 11:28 | 只看该作者
周三的讲座不错。期待中

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18#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:30 | 只看该作者
Fly-by的时钟拓扑结构! Q5 e0 i5 X, U
DDR3采用菊花链式的结构,能支持更快的速率。
9 R9 [) b9 }" }6 B6 T  Y
, ]* c) I( ~6 Y! C7 h" D0 E
' ]& g) f9 r) `* m
; q" g; C/ M# T- d7 s* E( D+ M7 Q5 vDDR2经典结构的T型的拓扑
2 @" k! G9 P" R  o$ o9 }
1 x2 _' U$ s3 V8 n* M$ K( Z- ?9 h 2 K' v7 g' O0 C3 _
4 k2 g; d; r  Z$ M

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19#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:40 | 只看该作者
Write Leveling 机制& P) j, P0 w, A, q

5 P, v) D. Y# `% V因为DDR3为了更好的信号质量,达到更高的速率,采用了fly-by的拓扑结构,时钟到各片的物理距离变的不一样了,所以一般DDR3内存控制器设计了一种叫做Write Leveling的机制,其作用就是在芯片内部进行时钟和数据/Strobe间的延时。1 z( ?  `0 K# g
6 H3 M- m) @% E# x) ]+ c
在系统初始化的过程中,控制芯片与SDRAM通过数据信号进行通信(training),控制芯片根据收到的反馈信号进行内部延时调节,很显然,控制芯片到每一个SDRAM的延时都会不一样。
3 \. b! Z& d! E/ x) c" h9 U5 v5 a7 R) }
通过这种机制,使得每个SDRAM看到的时钟,数据和STROBE信号,就跟在DDR2看到的一样。

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20#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:52 | 只看该作者
TVAC的要求:1 P  k8 ~; v# }  ]
/ a2 A( e$ H+ {4 w/ a
DDR3信号必须在VIH(ac)以上,VIL(ac)以下保持一定的时间# V+ G+ e4 d' ?. C7 b6 X
这段时间叫做TVAC,它是跟信号的速率相关的
# e  o% k2 Z) S9 v6 ~7 ~3 \即使时序裕量是不满足,TVAC的要求也必须满足。; E) O4 I: a" f+ l+ S( v5 n

" u7 p6 j- p$ U) o( [; H 1 h% X* A  [; N0 n

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21#
发表于 2015-3-13 14:53 | 只看该作者
加油,楼住,好像理解起来越来越难了。基础不好啊。

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22#
发表于 2015-3-13 21:35 | 只看该作者
顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

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23#
发表于 2015-3-14 14:22 | 只看该作者
ccnow 发表于 2015-3-13 21:35
9 n" X9 x: J8 n7 K6 V* R* a. f顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等
* L4 j, {! T3 X; ]* E, K/ C0 v
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
8 X( D1 n8 A2 q2 `
# c/ W  ?" c" E/ y
% o7 ?& }/ P/ R8 a. z3 R1 ^; X: _+ d  U
NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)
) C1 r: G2 _# ^, N: _8 fTANGENT LINE 是切线
2 i$ N( L# f/ L! N6 c
2 l: B) _% b% \0 f上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
( [6 z8 f1 z; s8 Z
4 X- f( T$ b- M9 f3 N" _  H3 I+ O) O+ U$ B
/ Z# _6 `0 O7 @

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24#
发表于 2015-3-14 14:26 | 只看该作者
不懂,顶版主。。

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25#
 楼主| 发表于 2015-3-14 14:33 | 只看该作者
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义3 c5 S; k" u" A4 `  ?6 h% E1 @
; h. E8 {5 t/ E/ F  _! @: F
NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)5 T$ v1 j5 \" r2 W0 s- Q* s" D# q
TANGENT LINE 是切线" j6 q; y7 p8 O$ d

) q$ m7 F, G" z9 X" {9 R4 ]0 F上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
! ~9 U9 H8 a% _. l# U' M% l4 w- r$ g5 o9 `1 |" l

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26#
 楼主| 发表于 2015-3-14 15:49 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:40 编辑 ) I% Q% N1 E* V
2 U# z0 f$ e  _
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
1 _/ K3 }+ k, ^  t4 T
" f8 k; p% B+ ~. T+ Y1 O8 b6 t
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,; P. @8 B$ F. o8 a% E( Q3 _6 U
而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,
. @# ?$ \* h+ j& mDDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,
: j) T  g: f! x即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,
: }- y( ~/ T) E4 |. F8 p/ M届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是," W+ O* M  T; `6 P1 T8 t6 |1 O4 M
任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,# a! U" c* C: Z8 w, T
且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。" l$ l" K5 V1 b7 Y

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27#
发表于 2015-3-14 17:28 | 只看该作者
必须仔细听课。

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29#
发表于 2015-3-15 12:45 来自手机 | 只看该作者
感谢楼主分享~~~~~

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30#
发表于 2015-3-15 18:06 | 只看该作者
能解释一下DDR4就好
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