MOS管选择

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     一般情况下耐压越高，导通内阻越大。这个就和MOS的制作工艺有关系了，为了保证足够大的漏源击穿电压Vds，需要有高电阻率外延层，这会使MOS的导通电阻增大。

根据选择的拓扑选择合适的MOS管及吸收电路，再保证高端Vds不超的情况下，尽量选择耐压低的管子，耐压高的管子一般会很贵，品种单一没有耐压低的可选性多，而且效率不好提升。耐压相同的管子一般情况下，导通内阻越小价格越高，根据自己的实际使用，在性价比中尽量折中。

      栅源电压Vgs的选择对导通电阻也有影响，电压越高导通越好，导通程度越好，内阻越小，但随着栅源电压Vgs的升高，开关速度会降低，还有可能导致栅源电压Vgs击穿，器件失效。栅源电压越低，导通越差，内阻越大，效率越低。所以建议大家选取栅源电压Vgs为10V-18V之间。

        MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。电容充电时，充电电流比较大。

       做好散热，导通内阻随着温度的升高而增大，所以要把热设计搞好，温升尽量的低，效率尽量的高。

这个在管子的datasheet里边都有体现，下边咱看下075N15的

栅源电压不同，导通内阻也不一样。

这个虽然没有直接标出导通内阻，但从电流上可以体现出来，温度升高电流减小，输入电压不变说明内阻增大。

MOS的极间电容直接影响其开关特性，其等效电路如图

输入电容Ciss=Cgs+Cdg （D,S短接），输出电容Coss=Cds+Cgd（G,S短接）

反馈电容Crss=Cgd（也叫米勒电容）

以上是MOS管的电容特性，有定义Q=C*V可得，在电压一定时，电容量越小，Qg越小。

而Qg为栅极的总电荷量，Qgs为栅源极间的电荷量，Qgd为栅漏极间的电荷量。再根据公式t=Q/I得，当电流一定时，Qg越小，时间越短，即开关速度越快，开关损耗越小。

所以再选取MOS时尽量选取Qg小的，以减小开关损耗。

而Qgs主要影响开启时间，Qgd主要影响关断时间。

1.在两个MOS管的耐压及电流一定时，选取Qg小的MOS；

2.如我上边的波形及两个资料来看，在Qg一样时要选取Qgd小的MOS。

3.根据自己的实际功率选择合适的MOS，一般情况下内阻越小，Qg越大；Vds越小，Qg越大。

4.根据实际频率选择合适MOS，频率越高开关损耗越大，这个时候可能你的开关损耗远大于你的导通损耗，这时要适当的选择内阻大点的MOS，以提升降低开关损耗（适量提高导通损耗）；

5.尽量选择贴片的MOS，这样MOS的引脚短，引脚上的寄生电感等参数会小的多，减小损耗！