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[Cadence Sigrity] power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
  • TA的每日心情
    慵懒
    2021-10-8 15:06
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    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
    SPEED2000 Applications( e3 x  X3 l7 j8 T$ J

    8 n6 ~2 b  o3 BPerforming time domain analysis to confirm designs meet specified targets
    ! G+ {$ {/ I! Z2 uSPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。
    : T# S; j" J6 x) F: m0 ^9 mUnderstanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities
    9 b" d( ^: ]6 k; _SPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。
    ' C) `; W$ G# L' Z, \$ t  Q, NAssessing various decoupling capacitor implementations
    : l& h) ]% z' h: s1 X) R( v不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。9 p# R- x; Q. z4 g
    Simulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options
    / R- l! s! ~+ F快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。4 p9 ]: w( a/ Y5 \. F4 U5 V, W/ [
    Identifying package and board resonance and radiation harmonics
    . Z5 d% S- N9 Q5 V5 n, A. o! TSPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。! t6 W+ H; N" @' b; v/ \4 C& t) @
    ==========================================================
    3 Z9 r! |* K; A  sPowerSI Applications8 w- x5 v. y9 G

    , \( J. z. l9 ^; u" T, OEstablishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards9 o# y& a9 ?/ A2 {+ T
    提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。
    : Q3 F- ^. B& x* V% m- \( A+ pEvaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement
    ) S) J$ Q8 m, ~1 U) j% g$ nPCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。3 t& T$ N6 r7 V0 b9 x
    Extracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation( }7 G7 T9 }) Z- U" f
    PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。. W- M$ {! a2 z; @2 D4 e; D, O
    Anticipating energy leaks with near-field ration display! q2 m" d! V5 F' i, f
    经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。
    : f$ V- m* V" `' ~Assessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
    / ^6 u; Q" H: M( W1 N9 F0 T0 l使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。: R5 [$ j+ T3 }7 N
    Broadband modeling including accurate DC performance characterization6 J0 Q0 ~, E% O9 D! r0 P" t
    使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。
    & S2 m- K! F& }6 Z2 }& h$ `
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