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[仿真讨论] 使用IBIS仿真DDR读信号的问题(关于pin和die上波形的区别)

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1#
发表于 2014-4-9 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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新人向大家问好!
' o* A4 n/ x" z: @$ w
' a/ Q- D' i, Q0 Z. c4 _最近我在用SigXplorer 仿真DDR3的DQS读信号,遇到了一点问题:; G: S5 v: x* u* q* O

3 z% N- |# G+ o( _/ P1 P' M因为接收端在pin上和die上的波形几乎看不出区别,我感到有些奇怪(实测的波形有较大回沟所以想确定在die上是否还存在回沟),于是修改了主芯片IBIS的package一栏内的封装寄生参数(因为之前芯片厂商没有提供确切的封装参数),转换到dml文件,但是重新载入之后依然看不出差别。我想知道IBIS的寄生参数是如何影响在pin和die上的波形的,之前我看过一份资料说寄生参数产生的时延是主要因素,是这样吗?
* |" d' |1 U9 ]
) \6 A. t5 W* h; h8 H- c还有麻烦大家帮我分析下我之前修改IBIS的思路是否有问题,有没有其它思路([Pin]内没有定义更多的封装寄生参数 ),比如c_comp,或者钳位/上下拉曲线等……
/ f8 E; d' u9 `5 S8 m # e1 x5 v, `; ~& p5 u2 M3 z3 \

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2#
发表于 2014-4-12 09:19 | 只看该作者
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!
& B* |8 A$ K& `" c. y+ n另:点对点互连,引脚上测到回勾一般情况没什么问题,内部应该没有。当然引起回勾还有其他因素,不了解具体情况很难下定论,猜测你的DDR接口应该能正常跑起来。

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3#
发表于 2014-4-12 09:22 | 只看该作者
仿真实测不符?' D5 g1 @$ c; ~* S
模型有问题只是一种可能。
4 r5 c+ ?5 [5 U* t6 z5 _/ n9 S, y% N仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有考虑到?
7 p9 N' d! b0 O" m; O这个问题值得推敲。

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4#
 楼主| 发表于 2014-4-12 16:54 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:19/ D5 u9 U1 Y4 y, a. y/ k2 y
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!6 t! N7 J3 s2 R; @# j9 y' f
另:点对点互连,引脚上测到回勾 ...
" Z* _4 L* v+ x8 o; v/ u! ~
于博士您好!
/ L' e9 j% h' H; k4 C* u) E2 [感谢您的回复!4 F, v' L7 p; X. O2 U0 T
# {2 {9 b5 L/ W/ i# {( {! {
我们这个信号确实是点对点的互连,回沟也没有影响到DDR3 的功能,只是在仿真时看不到回沟(相比实测有更大的过冲),die和pin上的波形差异也几乎没有,即使在修改了package寄生参数之后也显示不出差别。7 D; X% M2 v! \3 [+ ]  Z6 V7 l

% l0 H: Z5 Q8 |# `之前我们在测另一个DDR2模块时曾经用仿真再现了die和pin上波形的差异(同样是dq和DQS的读信号),而这次在DDR3模块上却不行(DDR2的主控芯片是Xilinx的FPGA,DDR3的是安霸的视频处理芯片),所以想分析一下原因,提高仿真精度。
: E; S  z( x  L, m" ]8 V: r
) e! L5 f' O0 N+ j" Z关于仿真的方法,主要就是使用SigXplorer提取PCB上的拓扑,添加主芯片和DDR芯片的IBIS模型(转换为dml),设定输出端数据码型,得到时域的波形,主要关注的是链路上的反射,没有考虑板上其它信号的串扰和电源完整性。现在我个人是想先排除芯片IBIS模型的因素,但是我不确定IBIS上除了寄生参数外还有那些参数会影响die和pin上的波形差异。
' K/ Y% b- h0 e; Z4 a) G" a. _' B/ F3 I4 {8 k5 i
我还是这方面的新人,可能会忽略掉一些常识性的问题,望不吝赐教!
- X7 |  C& p3 i2 z2 h: ]

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5#
发表于 2014-4-12 17:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-4-12 17:23 编辑
% w) s8 f$ x) u1 x# o7 m$ [8 G
测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难;更不用说只是用SQ软件;因为考虑的东西太少。
8 N8 L  T3 ?1 B% c$ h- @! y/ r& {至于回沟,原因主要是寄生电感和电容引起或是测试引起,要判断下测试是否带宽受限。如果只是判断 PIN/DIE为何没有区别,也不仅仅是你封装参数影响决定的了的,还要看芯片BUFFER端的驱动速率,说到底,也是带宽问题。即:封装参数的LC参数的反射值与你芯片沿之间是否量级接近,如此而已。

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6#
 楼主| 发表于 2014-4-14 11:26 | 只看该作者
0aijiuaile 发表于 2014-4-12 17:22+ u' {6 a  ^1 t) o
测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难; ...

8 E" {0 e) ?) H+ C感谢您的解答!0 `" r, L* I: p) C) f8 y( F9 `

6 \( V7 V1 ?0 g& Z- J% ]确实带宽的问题容易被忽略,我会按照您提供的思路去检查问题。
头像被屏蔽

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7#
发表于 2014-4-27 22:29 | 只看该作者
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8#
发表于 2014-5-4 17:52 | 只看该作者
huang34 发表于 2014-4-12 16:543 M, ^' \$ f3 B0 O+ E
于博士您好!
4 E! L9 i8 @1 s, W; h( s- z感谢您的回复!
# W: x# k+ [' t  [, l
修改模型寄生参数的方法是可行的,修改了以后一般是有差别的,除非是封装寄生参数超级小的那种,建议你用Hspice跑一下,另外仿真的时候叠层的一系列信息诸如介电常数、损耗角正切之类的问题一定要设置正确,另外还要看仿真的波形位置和测试点是否是同一个位置。

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9#
 楼主| 发表于 2014-6-6 11:16 | 只看该作者
最近我再做了一些仿真,发现影响pin和die上波形差异的主要在c_comp值的大小,如果c_comp值比c_pin小很多,则pin和die上的波形差别不大。我想原因是die上阻抗的近似值是: L_pin/(c_comp+c_pin)的平方根, pin上阻抗的近似值是: L_pin/c_pin的平方根,不知道是不是这样?

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10#
发表于 2014-12-24 11:02 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:22
. c# S+ B+ d5 d  P仿真实测不符?
- e) \5 S! \0 w* a, L. c2 O模型有问题只是一种可能。& O  C1 \7 n- O, y
仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有 ...

  f# ]5 A9 j/ N于博士,看你的大作以及在论坛里面的留言感觉你对SI仿真中的很多软件都比较熟悉;! _) s; g) t' _; o8 g& b
想请问一下你有关于cadence 中的sigrity仿真软件中的PowerSI,SystemSI,PowerDC以及Speed2000熟悉不?% p8 T. E( Z5 j2 f5 G
) H, I% {/ G! K! |" g4 K4 U* H: k$ |3 H
目前在学习使用这方面的仿真工具,但是苦于很多文档只有操作流程却没有找到对应的完整仿真文件,所以想请问你有这方面的文档以及对应的仿真文件没有,我想自己把流程走一遍,加深自己的理解与掌握!+ Z' j& {6 _+ v8 z5 |$ }
: Y( S# }+ D% Y4 E! R
有的话能否给我发一份:
& n  W) h- q6 c1 W+ a我的邮箱为:zjt_taotao@sina.com9 s; [3 |& y8 P7 |5 h# _
* j1 P7 H1 d3 p4 H6 [' C; W0 S
非常感谢啊!!!; b) i9 r( A) g4 T3 I
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