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[仿真讨论] 使用IBIS仿真DDR读信号的问题(关于pin和die上波形的区别)

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1#
发表于 2014-4-9 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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新人向大家问好!, R; [2 @* d, G% m" {

% Z- J& L! A. ]9 j最近我在用SigXplorer 仿真DDR3的DQS读信号,遇到了一点问题:& s, S# L& E) V; }' O* }/ G
! r# e% u+ C' d) s3 m; t+ e8 A* c1 D( L
因为接收端在pin上和die上的波形几乎看不出区别,我感到有些奇怪(实测的波形有较大回沟所以想确定在die上是否还存在回沟),于是修改了主芯片IBIS的package一栏内的封装寄生参数(因为之前芯片厂商没有提供确切的封装参数),转换到dml文件,但是重新载入之后依然看不出差别。我想知道IBIS的寄生参数是如何影响在pin和die上的波形的,之前我看过一份资料说寄生参数产生的时延是主要因素,是这样吗?
8 R: S- v+ F! h5 J
3 X; J( {& N9 O还有麻烦大家帮我分析下我之前修改IBIS的思路是否有问题,有没有其它思路([Pin]内没有定义更多的封装寄生参数 ),比如c_comp,或者钳位/上下拉曲线等…… 4 z/ L2 x5 f* |5 e
" d; k) a+ ^0 X% C7 K, Y9 ~7 b0 [

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发表于 2014-4-12 09:19 | 只看该作者
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!9 A" u, ~! f( A4 h* Q! `
另:点对点互连,引脚上测到回勾一般情况没什么问题,内部应该没有。当然引起回勾还有其他因素,不了解具体情况很难下定论,猜测你的DDR接口应该能正常跑起来。

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3#
发表于 2014-4-12 09:22 | 只看该作者
仿真实测不符?
! K/ B6 m9 A  r4 C- r% H$ I模型有问题只是一种可能。
' ^6 N6 e7 D$ Z  ?. f仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有考虑到?: T' }  ?, |6 j7 `
这个问题值得推敲。

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4#
 楼主| 发表于 2014-4-12 16:54 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:19$ d  O, z9 J$ q% j' s4 S
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!1 V* M; K$ n& }9 k7 ^" o/ |7 V$ h( I* Q
另:点对点互连,引脚上测到回勾 ...
4 _) o# ]) F7 [6 y# i5 ~/ a, W, }, H& Q
于博士您好!
! ^0 d' ?3 @& I) e感谢您的回复!
' q7 k) E' e( V) c6 ~: o& k& u4 B
我们这个信号确实是点对点的互连,回沟也没有影响到DDR3 的功能,只是在仿真时看不到回沟(相比实测有更大的过冲),die和pin上的波形差异也几乎没有,即使在修改了package寄生参数之后也显示不出差别。- \6 e7 d6 W& X
& O, l/ A; K3 E1 u/ D" Q9 w
之前我们在测另一个DDR2模块时曾经用仿真再现了die和pin上波形的差异(同样是dq和DQS的读信号),而这次在DDR3模块上却不行(DDR2的主控芯片是Xilinx的FPGA,DDR3的是安霸的视频处理芯片),所以想分析一下原因,提高仿真精度。
' d, r1 ~6 r! D) ^7 l
! {. D" Y3 X. H  r6 s4 I关于仿真的方法,主要就是使用SigXplorer提取PCB上的拓扑,添加主芯片和DDR芯片的IBIS模型(转换为dml),设定输出端数据码型,得到时域的波形,主要关注的是链路上的反射,没有考虑板上其它信号的串扰和电源完整性。现在我个人是想先排除芯片IBIS模型的因素,但是我不确定IBIS上除了寄生参数外还有那些参数会影响die和pin上的波形差异。5 h$ v. }* R: j- n$ T5 t

$ q9 i. N2 t) R4 M) \+ s我还是这方面的新人,可能会忽略掉一些常识性的问题,望不吝赐教!
8 E0 y3 `+ g6 E' o+ Q' _2 Q2 a

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5#
发表于 2014-4-12 17:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-4-12 17:23 编辑
7 E% A( I5 y& N9 L* g8 z3 V8 C
& b/ g- [, I4 c4 G% R3 I测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难;更不用说只是用SQ软件;因为考虑的东西太少。
, a& I4 G& v; t/ L至于回沟,原因主要是寄生电感和电容引起或是测试引起,要判断下测试是否带宽受限。如果只是判断 PIN/DIE为何没有区别,也不仅仅是你封装参数影响决定的了的,还要看芯片BUFFER端的驱动速率,说到底,也是带宽问题。即:封装参数的LC参数的反射值与你芯片沿之间是否量级接近,如此而已。

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6#
 楼主| 发表于 2014-4-14 11:26 | 只看该作者
0aijiuaile 发表于 2014-4-12 17:22! K" N" S/ T9 c" K
测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难; ...
9 R& d# a$ \2 A9 M. `
感谢您的解答!! k6 I5 u$ j3 S! a: {" N) C

6 p0 f& B5 C- v* ]确实带宽的问题容易被忽略,我会按照您提供的思路去检查问题。
头像被屏蔽

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7#
发表于 2014-4-27 22:29 | 只看该作者
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发表于 2014-5-4 17:52 | 只看该作者
huang34 发表于 2014-4-12 16:542 U3 ?( U# I! N$ N7 B1 [0 [' o- V
于博士您好!4 m0 }9 g6 \3 e8 _8 ~
感谢您的回复!

" I* h" D+ ~, c" M$ d% r  h修改模型寄生参数的方法是可行的,修改了以后一般是有差别的,除非是封装寄生参数超级小的那种,建议你用Hspice跑一下,另外仿真的时候叠层的一系列信息诸如介电常数、损耗角正切之类的问题一定要设置正确,另外还要看仿真的波形位置和测试点是否是同一个位置。

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9#
 楼主| 发表于 2014-6-6 11:16 | 只看该作者
最近我再做了一些仿真,发现影响pin和die上波形差异的主要在c_comp值的大小,如果c_comp值比c_pin小很多,则pin和die上的波形差别不大。我想原因是die上阻抗的近似值是: L_pin/(c_comp+c_pin)的平方根, pin上阻抗的近似值是: L_pin/c_pin的平方根,不知道是不是这样?

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10#
发表于 2014-12-24 11:02 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:22" Y7 i6 ]; ?% [& t  }; t2 D
仿真实测不符?
/ Y  b  M9 u8 }) Y! n, U! k模型有问题只是一种可能。
6 L( K9 a4 o$ S& m  X仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有 ...

1 `2 `2 E; h* g于博士,看你的大作以及在论坛里面的留言感觉你对SI仿真中的很多软件都比较熟悉;
5 \; s8 v7 M# N; b2 `想请问一下你有关于cadence 中的sigrity仿真软件中的PowerSI,SystemSI,PowerDC以及Speed2000熟悉不?% f* ^* i: J0 Z% U# Z6 j# [

: c5 ?; H# l2 N目前在学习使用这方面的仿真工具,但是苦于很多文档只有操作流程却没有找到对应的完整仿真文件,所以想请问你有这方面的文档以及对应的仿真文件没有,我想自己把流程走一遍,加深自己的理解与掌握!
9 B/ @: E! D7 R. P6 T
2 i% J  b3 I9 a& B有的话能否给我发一份:- q( s9 Q4 i( g
我的邮箱为:zjt_taotao@sina.com: q# f. L+ U$ R2 s* q

; h; J1 \- u$ ~5 S% u- r非常感谢啊!!!" Y& J  n* \8 X' S+ ~# z
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