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于争 发表于 2014-4-12 09:19$ d O, z9 J$ q% j' s4 S
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!1 V* M; K$ n& }9 k7 ^" o/ |7 V$ h( I* Q
另:点对点互连,引脚上测到回勾 ... 4 _) o# ]) F7 [6 y# i5 ~/ a, W, }, H& Q
于博士您好!
! ^0 d' ?3 @& I) e感谢您的回复!
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我们这个信号确实是点对点的互连,回沟也没有影响到DDR3 的功能,只是在仿真时看不到回沟(相比实测有更大的过冲),die和pin上的波形差异也几乎没有,即使在修改了package寄生参数之后也显示不出差别。- \6 e7 d6 W& X
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之前我们在测另一个DDR2模块时曾经用仿真再现了die和pin上波形的差异(同样是dq和DQS的读信号),而这次在DDR3模块上却不行(DDR2的主控芯片是Xilinx的FPGA,DDR3的是安霸的视频处理芯片),所以想分析一下原因,提高仿真精度。
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! {. D" Y3 X. H r6 s4 I关于仿真的方法,主要就是使用SigXplorer提取PCB上的拓扑,添加主芯片和DDR芯片的IBIS模型(转换为dml),设定输出端数据码型,得到时域的波形,主要关注的是链路上的反射,没有考虑板上其它信号的串扰和电源完整性。现在我个人是想先排除芯片IBIS模型的因素,但是我不确定IBIS上除了寄生参数外还有那些参数会影响die和pin上的波形差异。5 h$ v. }* R: j- n$ T5 t
$ q9 i. N2 t) R4 M) \+ s我还是这方面的新人,可能会忽略掉一些常识性的问题,望不吝赐教!
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