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楼主: klend
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板子不启动,无打印信息

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46#
发表于 2013-12-11 16:20 | 只看该作者
F:\1.bmp
% ~8 B) R5 N$ Y* J" X
& Z) W' G. }0 |& x  A# ~看看这个配置

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47#
发表于 2013-12-11 16:22 | 只看该作者
datasheet  38页

点评

谢谢  发表于 2013-12-11 22:15

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48#
发表于 2013-12-11 16:30 | 只看该作者
看看boot配置

boot配置.zip

65.34 KB, 下载次数: 8, 下载积分: 威望 -5

boot配置

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49#
 楼主| 发表于 2013-12-11 22:26 | 只看该作者
646571959 发表于 2013-12-11 16:30
0 d6 C' S% b  ~4 K% `. z9 }. M看看boot配置

3 r' J& A* j0 e9 M& D7 N0 r6 `2 j+ `9 x; `  @
现在是有一个品牌的DDR3十次连续上电,偶尔会成功启动一两次,个人认为与上电时序有关系。明天再认真研究一下规格书的启动配置项。另外就是pcb的layout可能没有做好,影响了板子的稳定性。启动不成功就是死机在加载内核的时候最为多见。简言之就是死机。

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50#
 楼主| 发表于 2013-12-12 11:15 | 只看该作者
646571959 发表于 2013-12-11 16:22
. g  b3 D$ i$ q2 v# udatasheet  38页

3 j* ^. w; J" \8 M: c6 R关于DDR3的配置信息,规格书要求是1,0,0即有一个管脚是高,低,你配置。其中0,0有下拉,其中高那个没有接上拉也没有接下拉。这样可以认为是1吗?% K! q# A  @9 y) S5 x
还有NAF_AC[1:0] ' [& U5 h! Q' k: ~. W# n; u' E
204, 6 l$ x( b- e1 ]6 U7 }
203
  R3 ?8 F* M5 j5 Q0 h0 [I/O3 |4 v) i9 l- ]' r3 q: }9 {
PU 0 b+ H1 P8 E* F! s# t, B
I/O* ^5 {9 r0 h" Y! y4 D
PU
% N" |  q; S8 ^ 5 y6 O6 \/ \% t8 Z5 [  \
Address Cycle
; M7 s  [7 i# [1 t00: 3 address cycle 0 ^, q7 {) _( x/ Q6 @4 R
01: 4 address cycle
- j% z! L9 u7 e  q10: 5 address cycle / m0 `5 G2 f$ A% T
11: reserved ( S3 E6 k2 B$ L7 r1 q4 X" a. |
4 r8 s' S) d: r1 v$ o/ i! U
Note: these pins must be left floating, or pulled high or low via
& M! Z: k' O9 Q. \. f, X  g* yan external 4.7k Ohm resistor upon power-up or reset. + [  h, |4 H4 q$ C! m+ o, m

0 x0 q9 H: k6 ]这里的两个管脚即没有接上拉也没有接下拉。+ W+ L4 m( O: {+ c
这样配置对吗?软件里的是哪一种模式我不清楚。
9 C2 S; w% t# |' H1 k还有NAFC_RC[1:0] ; E2 Z. s  j7 W3 }
205,
7 J; I3 W5 e7 @: l8 K  J9 B207 5 W4 X8 F' ^1 ^) _$ i
I/O8 x& a5 s4 w/ l( J# L$ a- A
PD1 F8 v, r' ^5 Y4 v. [
4 F1 J  G( L: }1 [
I/O9 l% g! a! n) m' K' [3 E
PU
0 ]) G+ Y- |# H% X2 i: i- \. i. ? 7 o5 T. z/ l8 `: }; r
NAND flash page read command
) \  B, E9 l& C! v00: 1 cycle command{00h} (512Byte per page)
& C- h* E9 N( A5 A5 a) L/ h% |0 E01: 2 cycle command{00h, 30h} (2048Byte per page)
4 i9 b9 v, r& e/ |( L10: 2 cycle command{00h, 30h} (4096Byte per page)
; h4 B1 h1 L1 P, m7 L$ _11: 2 cycle command{00h, 30h} (8192Byte per page)   
6 ^5 ]/ i$ a- q
8 r" g1 ]- a$ p% A2 ZNote: these pins must be left floating, or pulled high or low via an
3 `5 }1 f  s1 sexternal 4.7k Ohm resistor upon power-up or reset.
: r/ o9 _3 h+ X$ O0 VAddress Cycle / x/ A7 L3 Q" n
这两个管脚也是没有接上拉也没有接下拉。

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51#
 楼主| 发表于 2013-12-13 15:36 | 只看该作者
bluskly 发表于 2013-11-29 10:23! G- n6 z% ^5 {- q/ \
串口没打印信息? 串口电平对不? TXD和RXD没有接反? 地线有没有接? 驱动有吧?
+ @% m4 \4 O7 }, j. X" E/ {! m' B唉。。+ @8 @% s; B' R! p
不知道。。。
- ^4 ]5 a% G2 d- }! r3 ^6 a8 S
我的板子在啟動過程中死機在加載內核階段,是什麼問題?連續上電偶爾可以成功一兩次進入到命令行。1 e" V1 T8 N) Q- E# t( t  g
到底是軟件問題還是DDR的走線没有畫好的問題?uncompressing kernel Image...死機不動了

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52#
发表于 2013-12-13 17:14 | 只看该作者
本帖最后由 dck 于 2013-12-13 17:15 编辑
. n( I0 }3 l  s* l7 P9 P
2 J: L) y6 g9 e- j5 V, [& o) Z如果最小系统(RST,OSC,CPU,DDR3,NAND)这部分跟原厂公版一致,而固件也是原厂提供的。那么对于硬件来说就是调节DDR3的差分时钟匹配元件值(例如串接电阻,跨接电阻或电容)和RZQ=240R的值,这个值得可以调整,但一般不需要调节。对于软件来说就需要降低DDR3的频率以及调节ZQ值。
" v$ X1 R' C! x- o/ X" z
$ @( E8 q# D1 n; S! g: @我们调试平板也好碰到类似情况。有打印,但加载OS加载不了。这是DDR3部分的不稳定问题。

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53#
 楼主| 发表于 2013-12-16 10:57 | 只看该作者
dck 发表于 2013-12-13 17:14
* m  y! ?; T( ~* @/ P4 \& g如果最小系统(RST,OSC,CPU,DDR3,NAND)这部分跟原厂公版一致,而固件也是原厂提供的。那么对于硬件来说就 ...
% H1 P' S; d2 J, W5 i
现在我的板子把CPU主频由600MHz降到500MHz,DDR由300MHz降到125MHz就可以顺利启动了。我想是DDR跑不起来。

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54#
发表于 2013-12-16 12:04 | 只看该作者
klend 发表于 2013-12-16 10:57
$ C; A7 l; B4 r/ M! ~现在我的板子把CPU主频由600MHz降到500MHz,DDR由300MHz降到125MHz就可以顺利启动了。我想是DDR跑不起来。

& b5 j9 c+ y. [& h* ]& i降频不是最好的选择。% r% B  D4 L' G. d

$ b9 i/ l- F4 S, l2 b3 j, b这种情况,可以去调节DDR部分的clock串接或跨接参数。以及软件调节ZQ参数值。不断去尝试,能利用示波器观看波形最好。(但我们公司比较屌丝,没有高档示波器,只能是不断尝试参数,找到最合适的值。)

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55#
 楼主| 发表于 2013-12-16 12:15 | 只看该作者
dck 发表于 2013-12-16 12:04
, {1 _% {5 w5 y% r6 x& h5 }降频不是最好的选择。
' \* f( I- \/ E4 v8 S, {3 |8 o- @1 |7 U3 x# O
这种情况,可以去调节DDR部分的clock串接或跨接参数。以及软件调节ZQ参数值。不 ...

/ W  g/ |* p2 G9 M5 D以及软件调节ZQ参数值。不断去尝试
/ e$ w% C: t# Y) L/ ~4 d/ |, L
; l8 B  m8 b) e6 j- J这里的ZQ参数是指什么参数呢?DDR的差分时钟可以调那个匹配电阻,差分100R的,我这里电阻可有用错了,用了100R,实际应该是用49.9R1%的才对。+ }5 E0 }- O# ^6 z0 Z  B& V5 z% E' j
" G; z: e2 C1 ~+ E1 W( ^) r
DDR跑不高与layout质量关系大吧?

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56#
 楼主| 发表于 2013-12-16 12:23 | 只看该作者
klend 发表于 2013-12-4 16:04
1 o  M4 t, g7 x9 f, O. ~0 H7 w换了nandflash后和加焊DDR后有两种状态,但是板子都没有启动成功,串口有打印。
! Y* ~7 w) w1 X- L以下是状态1的log:( Z/ b# W; K3 H
SoC p ...
5 ]5 t4 w; O$ i( N) e- v
是第三种情况,降频可以启动了。

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57#
发表于 2013-12-16 13:48 | 只看该作者
本帖最后由 xhk_hlju 于 2013-12-16 13:49 编辑
- O& ]8 L9 g$ C& d5 v' k4 M  D& w$ `' q" C( W
做全志方案的经验是  RZQ=240欧1%  楼主可以找原厂 要DRAM_ZQ 和 DDR_CLK的匹配值说明书  他们应该能给的

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58#
发表于 2013-12-16 14:01 | 只看该作者
xhk_hlju 发表于 2013-12-16 13:48
9 |9 i( \3 o1 |' G做全志方案的经验是  RZQ=240欧1%  楼主可以找原厂 要DRAM_ZQ 和 DDR_CLK的匹配值说明书  他们应该能给的

' ~  A, G1 T; t' @5 p) C ,原厂的我们都是拿来参考,有时候需要改变。

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59#
发表于 2013-12-16 14:04 | 只看该作者
本帖最后由 dck 于 2013-12-16 14:12 编辑 / z7 m$ n- Z. C2 T1 ]- M
klend 发表于 2013-12-16 12:15
* \4 f+ F$ l0 r以及软件调节ZQ参数值。不断去尝试
6 q2 l, U) Z! @- o6 |, j1 _! J
0 x9 P* M6 b2 Z( ?5 h7 u这里的ZQ参数是指什么参数呢?DDR的差分时钟可以调那个匹配电阻, ...

2 n5 j, u+ U6 [' }  G- u9 ~" z% I+ E' [* ^" Z2 d* f0 Y
ZQ这个是在软件配置文件里的。由于你方案可能不一样,也许没有配置文件,但软件里应该有这个类似的设置值。这个值是用来调整DDR的输出驱动阻抗(RON)和端接阻抗值(RTT)的(配合外部电阻RZQ来调节)。+ s7 q5 V! O8 q6 ~3 D

4 m" X4 \/ T7 v$ X, ?+ p与Layout的质量关系当然大。不过我们都是直接应用原厂的Layout,所以在Layout方面出的问题比较少,但是还是会有,因为敷铜设置可能导致返回平面部完整而导致问题。这方面我经验也不是很多,都在学习。

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60#
发表于 2014-1-9 15:12 | 只看该作者
NANDFLASH是否有改变型号,FLASH的容量大小会影响内核中的配置,还有就是UBOOT启动的时候选择内核映像的地址是否是烧写的内核映像的地址
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