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楼主: klend
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板子不启动,无打印信息

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46#
发表于 2013-12-11 16:20 | 只看该作者
F:\1.bmp# f3 B1 k! ]. ]6 @% @' S
: n4 ^2 E& @4 ?" E2 Q
看看这个配置

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47#
发表于 2013-12-11 16:22 | 只看该作者
datasheet  38页

点评

谢谢  发表于 2013-12-11 22:15

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48#
发表于 2013-12-11 16:30 | 只看该作者
看看boot配置

boot配置.zip

65.34 KB, 下载次数: 8, 下载积分: 威望 -5

boot配置

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49#
 楼主| 发表于 2013-12-11 22:26 | 只看该作者
646571959 发表于 2013-12-11 16:301 B2 i( O5 k" n4 N; n1 ?" \
看看boot配置

( V7 i; p2 L) v  K. v* y* \, P. L! m2 \+ ^
现在是有一个品牌的DDR3十次连续上电,偶尔会成功启动一两次,个人认为与上电时序有关系。明天再认真研究一下规格书的启动配置项。另外就是pcb的layout可能没有做好,影响了板子的稳定性。启动不成功就是死机在加载内核的时候最为多见。简言之就是死机。

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50#
 楼主| 发表于 2013-12-12 11:15 | 只看该作者
646571959 发表于 2013-12-11 16:22/ B& x& `% a6 |* ^4 \1 P2 c9 N
datasheet  38页
' P7 z1 k4 j* c( }& g3 V; o# o1 |
关于DDR3的配置信息,规格书要求是1,0,0即有一个管脚是高,低,你配置。其中0,0有下拉,其中高那个没有接上拉也没有接下拉。这样可以认为是1吗?
% V/ Y8 z' o, I  j$ s4 }还有NAF_AC[1:0] 0 Y- M4 w1 E1 Q, m# R
204,
! `1 W# i) C( T/ b" i0 h( k! s' U203
) D) l( F& d5 z) @# E, `5 PI/O
. w) D' m+ B% Z6 p+ xPU   [, {  b0 N) g" O
I/O
5 J3 G7 F9 k! E! P* R0 APU
2 _) z0 X, x) n. \( l1 F, a- ]
8 n! J& ^( H2 F# N7 O. L" kAddress Cycle
$ p0 u, ~* N6 t/ c+ ], C6 z00: 3 address cycle
( R6 u6 ^/ g9 ~! a01: 4 address cycle 2 M- G, w$ \1 \6 X6 R
10: 5 address cycle
+ S0 c- Z/ d% p4 L9 ^  o11: reserved & S8 l9 ?6 H0 [4 k; V% `4 y' o5 I

" T3 m4 F2 u/ }Note: these pins must be left floating, or pulled high or low via & `  P" w/ e  ]4 c) c
an external 4.7k Ohm resistor upon power-up or reset. $ G  G- p+ P# P  m- v, E8 Q
0 f- F2 K# d9 z; I3 i( l& @
这里的两个管脚即没有接上拉也没有接下拉。5 o0 J, x$ _2 g8 |( P
这样配置对吗?软件里的是哪一种模式我不清楚。
$ A: H0 s# i+ _: f  U还有NAFC_RC[1:0] # g- A  k5 j" [: G
205, 3 E: i1 T6 H) x& F  ?5 z
207 2 m% f0 `6 y$ D' L) T
I/O. E- S& c) c( y* V0 {
PD
9 p9 J& C2 [5 |4 E3 k
( u% I0 Q7 q# T2 x# AI/O
% H$ o0 q. F, z6 D+ N0 r: {& EPU8 b6 }0 Z1 V% L5 g

' s+ _7 V. Q9 A, ^% r& G) B, KNAND flash page read command : s/ N7 M0 \3 g8 m) ?4 a/ H/ e3 d
00: 1 cycle command{00h} (512Byte per page)
/ p/ p, i( i, P+ e01: 2 cycle command{00h, 30h} (2048Byte per page) , G" Y7 z7 ~, P4 ?( a, M
10: 2 cycle command{00h, 30h} (4096Byte per page)
: A- T7 Z  c) l( T6 ~11: 2 cycle command{00h, 30h} (8192Byte per page)   2 T, D! M3 S- o' l
2 w% h! L( {. t+ H
Note: these pins must be left floating, or pulled high or low via an3 D% R: x+ {* Y% J9 s
external 4.7k Ohm resistor upon power-up or reset.
4 [/ A, B6 i; f8 V7 b8 C6 e: G8 z2 ^Address Cycle
' \1 d7 e0 o- [这两个管脚也是没有接上拉也没有接下拉。

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51#
 楼主| 发表于 2013-12-13 15:36 | 只看该作者
bluskly 发表于 2013-11-29 10:23
2 p' q7 ?/ D3 C2 f) u* e串口没打印信息? 串口电平对不? TXD和RXD没有接反? 地线有没有接? 驱动有吧?
: ?6 }/ l9 }1 s9 b' V+ J唉。。) Q# s: f* W) _1 N8 l
不知道。。。
7 ~! x* W' [1 r* f. ^& E
我的板子在啟動過程中死機在加載內核階段,是什麼問題?連續上電偶爾可以成功一兩次進入到命令行。! ]* x) u+ K- t4 x4 X2 `: g; O
到底是軟件問題還是DDR的走線没有畫好的問題?uncompressing kernel Image...死機不動了

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52#
发表于 2013-12-13 17:14 | 只看该作者
本帖最后由 dck 于 2013-12-13 17:15 编辑 1 c9 F! B: {) F- H8 A
  B: i" u& A: ?, U
如果最小系统(RST,OSC,CPU,DDR3,NAND)这部分跟原厂公版一致,而固件也是原厂提供的。那么对于硬件来说就是调节DDR3的差分时钟匹配元件值(例如串接电阻,跨接电阻或电容)和RZQ=240R的值,这个值得可以调整,但一般不需要调节。对于软件来说就需要降低DDR3的频率以及调节ZQ值。7 O% h3 n" F) E' N
6 l! Z9 R! G8 L1 k4 u# y& u" m2 O. d6 c
我们调试平板也好碰到类似情况。有打印,但加载OS加载不了。这是DDR3部分的不稳定问题。

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53#
 楼主| 发表于 2013-12-16 10:57 | 只看该作者
dck 发表于 2013-12-13 17:14
+ R5 Z. Q: v3 x# G- Z! I如果最小系统(RST,OSC,CPU,DDR3,NAND)这部分跟原厂公版一致,而固件也是原厂提供的。那么对于硬件来说就 ...
- j/ G# U5 S1 G1 r
现在我的板子把CPU主频由600MHz降到500MHz,DDR由300MHz降到125MHz就可以顺利启动了。我想是DDR跑不起来。

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54#
发表于 2013-12-16 12:04 | 只看该作者
klend 发表于 2013-12-16 10:57
  @; d" T2 W/ K9 p  r现在我的板子把CPU主频由600MHz降到500MHz,DDR由300MHz降到125MHz就可以顺利启动了。我想是DDR跑不起来。
7 J, p5 `1 O2 ~! X5 x% M
降频不是最好的选择。
7 i+ \7 I6 k. N' B& p* E% ^( B& D
7 j8 p- V5 ~3 v6 G- |) H这种情况,可以去调节DDR部分的clock串接或跨接参数。以及软件调节ZQ参数值。不断去尝试,能利用示波器观看波形最好。(但我们公司比较屌丝,没有高档示波器,只能是不断尝试参数,找到最合适的值。)

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55#
 楼主| 发表于 2013-12-16 12:15 | 只看该作者
dck 发表于 2013-12-16 12:04( g) B, \) W9 X* c6 M
降频不是最好的选择。5 @( B+ }) I3 z( g) l

- g/ R7 o6 V; o: f这种情况,可以去调节DDR部分的clock串接或跨接参数。以及软件调节ZQ参数值。不 ...

: V4 d) c) r, J2 K- |以及软件调节ZQ参数值。不断去尝试
# ]6 a2 o8 Q6 ?; m$ j
0 D1 b) v7 I  O; s, A8 ]8 n这里的ZQ参数是指什么参数呢?DDR的差分时钟可以调那个匹配电阻,差分100R的,我这里电阻可有用错了,用了100R,实际应该是用49.9R1%的才对。
+ Y5 ]& `: W$ i( W- f+ c! p/ w4 N. @8 S! S5 ~/ E; N2 t  D6 r
DDR跑不高与layout质量关系大吧?

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56#
 楼主| 发表于 2013-12-16 12:23 | 只看该作者
klend 发表于 2013-12-4 16:04) |. l* _* \  k: Y& `
换了nandflash后和加焊DDR后有两种状态,但是板子都没有启动成功,串口有打印。0 R) t1 a" b7 a4 |% K; V% q* R
以下是状态1的log:
7 e; ^  [, Q1 B) F& |SoC p ...

! V/ ?; Q9 k* e6 @/ ?- Y* N$ t# C6 t是第三种情况,降频可以启动了。

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57#
发表于 2013-12-16 13:48 | 只看该作者
本帖最后由 xhk_hlju 于 2013-12-16 13:49 编辑 6 J3 R  Q6 \, d% Y5 n" N( N

' \) l7 p! y( a( t做全志方案的经验是  RZQ=240欧1%  楼主可以找原厂 要DRAM_ZQ 和 DDR_CLK的匹配值说明书  他们应该能给的

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58#
发表于 2013-12-16 14:01 | 只看该作者
xhk_hlju 发表于 2013-12-16 13:48( ~( f, T4 a6 t0 c+ p7 h4 q
做全志方案的经验是  RZQ=240欧1%  楼主可以找原厂 要DRAM_ZQ 和 DDR_CLK的匹配值说明书  他们应该能给的

! n9 m! g/ q! j# b* M ,原厂的我们都是拿来参考,有时候需要改变。

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59#
发表于 2013-12-16 14:04 | 只看该作者
本帖最后由 dck 于 2013-12-16 14:12 编辑 ( ~. v  ]% @! F& N6 N& @/ L5 X
klend 发表于 2013-12-16 12:15% r& V. M6 w, g; ?
以及软件调节ZQ参数值。不断去尝试
& U0 r8 z! U. o+ E2 @! r8 ^+ y. c0 Q3 C7 E9 s* a! i
这里的ZQ参数是指什么参数呢?DDR的差分时钟可以调那个匹配电阻, ...

: i$ r- \: B; x0 }; t9 ^% i
* p- }) ^7 X  ~) S; h3 \1 W& YZQ这个是在软件配置文件里的。由于你方案可能不一样,也许没有配置文件,但软件里应该有这个类似的设置值。这个值是用来调整DDR的输出驱动阻抗(RON)和端接阻抗值(RTT)的(配合外部电阻RZQ来调节)。! [! p& t, O, E1 K% y: J$ i! u

3 w* {4 h$ ~. r3 S与Layout的质量关系当然大。不过我们都是直接应用原厂的Layout,所以在Layout方面出的问题比较少,但是还是会有,因为敷铜设置可能导致返回平面部完整而导致问题。这方面我经验也不是很多,都在学习。

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60#
发表于 2014-1-9 15:12 | 只看该作者
NANDFLASH是否有改变型号,FLASH的容量大小会影响内核中的配置,还有就是UBOOT启动的时候选择内核映像的地址是否是烧写的内核映像的地址
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