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楼主: lance_hnu
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使用万用表测电压,居然烧毁MOSFET,大神们帮我分析下原因吧!!!

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31#
 楼主| 发表于 2013-8-24 00:26 | 只看该作者
aspire132 发表于 2013-8-23 12:57' C8 q0 x5 {& ~" a# L2 n2 J8 n
hello,based on你之前的敘述,我去check datasheet,粗略的分析了一下如下圖,有可能是超過了Vgs值.! j2 W) }6 @' I9 L& y
你 ...
1 A( h7 \5 ^3 w" |
说得非常有道理,我会再做实验验证的,有了结果通知你~~

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32#
 楼主| 发表于 2013-8-24 00:32 | 只看该作者
zmsok163 发表于 2013-8-22 00:15
, @& N5 B& N8 o% |* C* \G被拉零,Vgs不是已经48V了吗?最大才20V呀。

6 U0 H$ p4 s% O% W2 c
8 [# B/ J/ R; ^+ Z3 ?, E$ D4 f可是你看看 LM5067芯片内部有钳位作用哦,所以不会超过13V啊理论上讲。

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33#
发表于 2013-8-24 08:30 | 只看该作者
用万用表电阻档,显然错误,因为会给G/D叠加一个9V左右的电压,导致当你的电路负载短路后,MOSFET没有关闭,由于短路电流很大,所以烧毁MOSFET

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34#
发表于 2013-8-24 17:47 来自手机 | 只看该作者
楼主用的是電压档,不電阻

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35#
 楼主| 发表于 2013-8-25 18:04 | 只看该作者
rainbowII 发表于 2013-8-24 08:301 v! k( Y% y6 W/ G" m- v
用万用表电阻档,显然错误,因为会给G/D叠加一个9V左右的电压,导致当你的电路负载短路后,MOSFET没有关闭 ...

" m0 o( u. J4 U是电压档的~

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36#
发表于 2013-8-26 20:31 | 只看该作者
lance_hnu 发表于 2013-8-25 18:04$ e% u' X0 D5 U2 i  ]8 k
是电压档的~
# c( A* H7 `0 G+ T# `- o
这么分析,那不可能是由于电压表引起烧毁的,因为电压档是高阻抗输入,不会改变MOSFET的驱动电压,唯一的可能是楼主接错万用表的接头,或者打到电阻档了

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37#
 楼主| 发表于 2013-8-26 23:58 来自手机 | 只看该作者
rainbowII 发表于 2013-8-26 20:31
- ^! [: f3 @% |+ Y# T; h8 u# A# w这么分析,那不可能是由于电压表引起烧毁的,因为电压档是高阻抗输入,不会改变MOSFET的驱动电压,唯一的 ...

8 b. K8 d" h* N, B* S这个我敢肯定不会的,因为反复验证了多次,烧坏了好几个管子,而且在烧之前,都用相同的档位量过其他位置的电压的。

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38#
发表于 2013-8-27 20:59 | 只看该作者
lance_hnu 发表于 2013-8-26 23:58" u- h, s3 l; j0 N& i
这个我敢肯定不会的,因为反复验证了多次,烧坏了好几个管子,而且在烧之前,都用相同的档位量过其他位置 ...

) c" j! ^8 p9 V你的万用表多少钱一块?如此估计是叠加了电压导致MOSFET导通,电流过大烧毁。如果你在电路中串联电阻,保证电路不在过流状态,看看是否会烧毁?或者看看是否MOSFET是不是导通的?

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39#
发表于 2013-8-28 14:50 | 只看该作者
G和S之间接个10K电阻,感觉GATE好像是OC或者OD输出的

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40#
发表于 2013-8-29 18:06 | 只看该作者
有没有可能你万用表一时没拿好,或放歪了,不小心导致短路而烧掉的呢,我之前有过类似经历

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41#
发表于 2013-8-30 09:21 | 只看该作者
hello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解

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42#
 楼主| 发表于 2013-9-8 23:54 | 只看该作者
aspire132 发表于 2013-8-30 09:210 q3 e$ I9 a, r
hello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解
# f' D3 d. T* N+ \
哈哈,这个必须要反馈一下,多谢大家提供这么多意见~0 k1 K% y" J5 I: q1 m7 f* [$ k" Z

5 J9 n# p& x% ]! }/ C8 y7 {我换了一块电路板以后,用同样的方法测试,发现万用表的电压档无论怎样连接MOSFET的三个电极,都不会导致MOSFET烧毁了,但是由于电路一直处于短路状态,控制芯片将MOSFET关断后,电路中电流减小了,所以控制芯片隔一段时间会将MOSFET重新开启,这样开启和关断的动作一直在进行,导致MOSFET发热严重,就算不连接万用表,10分钟以内MOSFET也会被击穿,示波器波形显示,MOSFET击穿都发生在芯片将MOSFET开启的那一瞬间,此时冲击电流达到100A以上。反复上下电会加速MOSFET击穿,一般反复上下电10次就可以让击穿发生~~由于公司不允许技术资料外传,所以波形图就没办法给大家看了~~~& A( @" q6 K3 L* K, P
) s# Z( I* d1 P
最后的结论是,MOSFET击穿是过热引起的,并非万用表直接导致,所以大家以后放心使用万用表,没关系的,哈哈~~

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43#
发表于 2013-9-30 12:52 | 只看该作者
aspire132 发表于 2013-8-30 09:21. L- _' \6 m& c) A1 v9 s
hello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解
4 H/ l6 M) N/ J0 T3 v0 u7 i1 t" I5 j% ?
所以,在gate極需要加幾十k or數百Kohm的限流電阻嗎
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