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楼主: lance_hnu
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使用万用表测电压,居然烧毁MOSFET,大神们帮我分析下原因吧!!!

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31#
 楼主| 发表于 2013-8-24 00:26 | 只看该作者
aspire132 发表于 2013-8-23 12:57
1 u" m$ H1 ]; v8 N. a# Q( Xhello,based on你之前的敘述,我去check datasheet,粗略的分析了一下如下圖,有可能是超過了Vgs值.
# K! v$ \% B" L# F6 y3 n# d) J你 ...
) d: t& Q  {7 p- i: n: J# Y
说得非常有道理,我会再做实验验证的,有了结果通知你~~

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32#
 楼主| 发表于 2013-8-24 00:32 | 只看该作者
zmsok163 发表于 2013-8-22 00:15. h7 N2 O5 r. r" @/ D: k
G被拉零,Vgs不是已经48V了吗?最大才20V呀。
" V8 w1 p0 f9 A" P

8 O3 I4 e, V) H' J6 n. s( \可是你看看 LM5067芯片内部有钳位作用哦,所以不会超过13V啊理论上讲。

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33#
发表于 2013-8-24 08:30 | 只看该作者
用万用表电阻档,显然错误,因为会给G/D叠加一个9V左右的电压,导致当你的电路负载短路后,MOSFET没有关闭,由于短路电流很大,所以烧毁MOSFET

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34#
发表于 2013-8-24 17:47 来自手机 | 只看该作者
楼主用的是電压档,不電阻

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35#
 楼主| 发表于 2013-8-25 18:04 | 只看该作者
rainbowII 发表于 2013-8-24 08:30$ I) w8 ^1 z5 r7 p$ _( f
用万用表电阻档,显然错误,因为会给G/D叠加一个9V左右的电压,导致当你的电路负载短路后,MOSFET没有关闭 ...
" N( Z. G  b( D
是电压档的~

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36#
发表于 2013-8-26 20:31 | 只看该作者
lance_hnu 发表于 2013-8-25 18:04
5 z. A1 Q- F  T0 x是电压档的~
/ t* z$ N2 k: p- \+ r
这么分析,那不可能是由于电压表引起烧毁的,因为电压档是高阻抗输入,不会改变MOSFET的驱动电压,唯一的可能是楼主接错万用表的接头,或者打到电阻档了

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37#
 楼主| 发表于 2013-8-26 23:58 来自手机 | 只看该作者
rainbowII 发表于 2013-8-26 20:31& A7 r8 Z1 r) T9 c- U$ [
这么分析,那不可能是由于电压表引起烧毁的,因为电压档是高阻抗输入,不会改变MOSFET的驱动电压,唯一的 ...
; h( D0 M5 {8 w7 ]  Q, v
这个我敢肯定不会的,因为反复验证了多次,烧坏了好几个管子,而且在烧之前,都用相同的档位量过其他位置的电压的。

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38#
发表于 2013-8-27 20:59 | 只看该作者
lance_hnu 发表于 2013-8-26 23:583 `$ n9 s8 N- @; Z5 o: {% B! C. e9 P
这个我敢肯定不会的,因为反复验证了多次,烧坏了好几个管子,而且在烧之前,都用相同的档位量过其他位置 ...
  P  ?5 S/ M- A. @
你的万用表多少钱一块?如此估计是叠加了电压导致MOSFET导通,电流过大烧毁。如果你在电路中串联电阻,保证电路不在过流状态,看看是否会烧毁?或者看看是否MOSFET是不是导通的?

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39#
发表于 2013-8-28 14:50 | 只看该作者
G和S之间接个10K电阻,感觉GATE好像是OC或者OD输出的

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40#
发表于 2013-8-29 18:06 | 只看该作者
有没有可能你万用表一时没拿好,或放歪了,不小心导致短路而烧掉的呢,我之前有过类似经历

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41#
发表于 2013-8-30 09:21 | 只看该作者
hello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解

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42#
 楼主| 发表于 2013-9-8 23:54 | 只看该作者
aspire132 发表于 2013-8-30 09:21. P/ u0 \7 C1 ]9 a6 W5 s
hello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解

' d: L, b/ K8 k: u4 E& s7 P: M哈哈,这个必须要反馈一下,多谢大家提供这么多意见~
7 q+ z, c. E7 w2 v( a4 o9 d! @# _; w9 G; D6 X& k5 G
我换了一块电路板以后,用同样的方法测试,发现万用表的电压档无论怎样连接MOSFET的三个电极,都不会导致MOSFET烧毁了,但是由于电路一直处于短路状态,控制芯片将MOSFET关断后,电路中电流减小了,所以控制芯片隔一段时间会将MOSFET重新开启,这样开启和关断的动作一直在进行,导致MOSFET发热严重,就算不连接万用表,10分钟以内MOSFET也会被击穿,示波器波形显示,MOSFET击穿都发生在芯片将MOSFET开启的那一瞬间,此时冲击电流达到100A以上。反复上下电会加速MOSFET击穿,一般反复上下电10次就可以让击穿发生~~由于公司不允许技术资料外传,所以波形图就没办法给大家看了~~~+ L: [& _5 y% r

: ^& J5 T( D% P$ J/ X+ K" W最后的结论是,MOSFET击穿是过热引起的,并非万用表直接导致,所以大家以后放心使用万用表,没关系的,哈哈~~

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43#
发表于 2013-9-30 12:52 | 只看该作者
aspire132 发表于 2013-8-30 09:21
$ Q2 [  k9 N* [1 ahello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解
) v' E$ m$ Z/ u
所以,在gate極需要加幾十k or數百Kohm的限流電阻嗎
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