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楼主: lance_hnu
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使用万用表测电压,居然烧毁MOSFET,大神们帮我分析下原因吧!!!

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16#
 楼主| 发表于 2013-8-21 20:49 来自手机 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2013-8-20 23:427 X. B5 I7 \7 f+ K  I; N
电压表的原理是在表笔两端并接电阻测试流过的电流,从而计算电压。你讲输出短路后测试栅极对漏极电压就相当 ...

  ~( N+ s1 \" W+ L栅级被拉到零,这时候nmos应该截止才对的啊~

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17#
 楼主| 发表于 2013-8-21 20:56 来自手机 | 只看该作者
aichixiatiao 发表于 2013-8-21 09:38
$ f: x$ n- q% F你的mos管是什么型号的啊?

- W" _; b( ?% z" ?) @& c器件型号是SUM110N10-09-E3,开启电压是2-4V,VGS最大电压20V,Id最大是110A。

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18#
发表于 2013-8-21 22:26 | 只看该作者
lance_hnu 发表于 2013-8-21 20:49
; G$ T! v* i1 n7 Q( n% Q5 n栅级被拉到零,这时候nmos应该截止才对的啊~
  A+ g. x6 I1 B, G6 i+ O
你的NMOS的source端接的是“-48V”!!!!

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19#
 楼主| 发表于 2013-8-22 00:09 来自手机 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2013-8-21 22:26
% V+ S9 Y" n5 C+ }% E; Y( O5 W你的NMOS的source端接的是“-48V”!!!!
% j) O" T, ]% v* B  u' T5 Y8 x
我确实回答错了。但是,电流过大时,过流保护芯片会把GATE脚拉到-48V。

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如楼下说的,耐压可能也有关系!  发表于 2013-8-22 10:03

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20#
发表于 2013-8-22 00:15 | 只看该作者
lance_hnu 发表于 2013-8-21 20:56: o  |# ^, N# M' w
器件型号是SUM110N10-09-E3,开启电压是2-4V,VGS最大电压20V,Id最大是110A。
" u- u, o, H; r% h9 ^  G
G被拉零,Vgs不是已经48V了吗?最大才20V呀。

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  发表于 2013-8-24 00:27
  • TA的每日心情
    开心
    2025-5-14 15:00
  • 签到天数: 688 天

    [LV.9]以坛为家II

    21#
    发表于 2013-8-22 08:30 | 只看该作者
    lance_hnu 发表于 2013-8-21 20:432 I9 A0 C1 k: O' Q' g
    说的是,参数改变了,可能改变了mos管的工作区域,线性区、饱和区什么的。

    + a; V& M7 X: B, x3 x嗯,万用表接入可能会使栅极的电流有一部分通过万用表的寄生电容带走,使MOS管工作状态改变!可在上电前接入使一下,个人认为

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    22#
    发表于 2013-8-22 11:49 | 只看该作者
    好像你的MOS規格選錯了…可以做這一個試驗…把Gate的net切斷…然後,在靠近mos的gate端跳一條線接到電源供應器那邊(先確認電源供應器被設定不3V). 一切用好後,先讓外圍線路上電,然後用電源供應器強制mos導通…如果mos工作了…在這個情況下…猜想mos就會燒了。你可以去尋問一下這個CHIP的FAE...問NMOS的規格建議要用多少。個人見解

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    lance_hnu + 2 很给力!

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    23#
     楼主| 发表于 2013-8-22 22:42 来自手机 | 只看该作者
    zmsok163 发表于 2013-8-22 00:15
    9 L1 ^; v* X6 Y) DG被拉零,Vgs不是已经48V了吗?最大才20V呀。

    ( j" O& A0 n3 p. O' o' n6 P* J, RLM5067内部有稳压管,由于它的钳位作用,VGS不会超过13V。

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    24#
     楼主| 发表于 2013-8-22 22:45 来自手机 | 只看该作者
    wudi20060501 发表于 2013-8-22 08:30' y6 E9 }# R3 b; S; w9 a
    嗯,万用表接入可能会使栅极的电流有一部分通过万用表的寄生电容带走,使MOS管工作状态改变!可在上电前 ...

    9 W2 |3 A* X' a8 A) U上点前接入,再上电,一样会烧掉。

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    25#
     楼主| 发表于 2013-8-22 22:47 来自手机 | 只看该作者
    wudi20060501 发表于 2013-8-22 08:30
    # n3 ?7 |0 Y3 a; `% \嗯,万用表接入可能会使栅极的电流有一部分通过万用表的寄生电容带走,使MOS管工作状态改变!可在上电前 ...
    6 X- w! S) n( y* d" L+ ~
    上电前接入,再上电,一样会烧掉。

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    26#
     楼主| 发表于 2013-8-22 22:49 来自手机 | 只看该作者
    aspire132 发表于 2013-8-22 11:49, v( E, H7 g6 E8 f
    好像你的MOS規格選錯了…可以做這一個試驗…把Gate的net切斷…然後,在靠近mos的gate端跳一條線接到電源供 ...

      S2 W6 v/ E& T谢谢你给的这么详细的建议,但是,我实验测得,只要GD间不接万用表就不会烧管子的。

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    27#
    发表于 2013-8-23 08:43 | 只看该作者
    再確認一下,所以,nmos在work時都不會燒嗎?只有接上三用電表才會燒嗎?

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    lance_hnu + 2

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    28#
    发表于 2013-8-23 12:57 | 只看该作者
    aspire132 发表于 2013-8-23 08:43! g' }" ~% F: j( l4 I8 l
    再確認一下,所以,nmos在work時都不會燒嗎?只有接上三用電表才會燒嗎?
    1 s' G2 o# ?4 K- N$ e1 @- D, I5 J5 X. j
    hello,based on你之前的敘述,我去check datasheet,粗略的分析了一下如下圖,有可能是超過了Vgs值.! x0 N, f  c' l6 Y
    你有嚐試去分別探測G,S pin嗎?我覺的你最好先把G,S pin先同時跳接到scope,再用三用電表同你之前探測一樣…觀測nmos在燒毀的瞬間,G,S pin的波形長怎樣(power level)…多做實驗,善用示波器,多做比較觀察,應該看得到問題才是…% Y7 K( C( U7 r/ ]# @% ?
    ) F  x; w2 {8 W/ v4 N! x" Y

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    29#
    发表于 2013-8-23 13:25 | 只看该作者
    aspire132 发表于 2013-8-23 12:57
    ; ?. O; h( g) P: y) T/ d  qhello,based on你之前的敘述,我去check datasheet,粗略的分析了一下如下圖,有可能是超過了Vgs值.$ p. L' T1 |7 L% M3 m' B. [
    你 ...
    # Q5 @$ x% S- P  ?: o  V
    確認一下,在三用電表探測到G,D極上的時候,G極在示波器上看到的POWER LEVEL是多少。

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    30#
     楼主| 发表于 2013-8-24 00:24 | 只看该作者
    aspire132 发表于 2013-8-23 08:43& y) n  E6 a2 I+ e
    再確認一下,所以,nmos在work時都不會燒嗎?只有接上三用電表才會燒嗎?
    - ^; M6 i0 I6 a3 W4 u
    是的 work时绝对不会烧的 ~
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