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本帖最后由 yuju 于 2013-7-18 23:45 编辑 ; J2 C2 h; o7 u$ l3 a8 E: I! c
# n3 u( |0 S J2 T6 Vcadence解决方案助力创意电子20纳米SoC测试芯片成功流片 % J) z' x5 g7 O! p: r( a& q3 i
% v7 d* x* d c" `+ f 出自:IC设计与制造 ) x& S$ p! U) t0 I6 L- ^% D6 l9 N
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Cadence Encounter数字实现系统与Cadence光刻物理分析器) U: m& F3 k; g* D* O6 ~
9 E% i" q& h r0 @6 C2 r+ |可降低风险并缩短设计周期8 @& V, e7 q( F
3 P- I* t/ e" u全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ:CDNS) 今天宣布,设计服务公司创意电子(GUC)使用Cadence? Encounter?数字实现系统(EDI)和Cadence光刻物理分析器成功完成20纳米系统级芯片(SoC)测试芯片流片。双方工程师通过紧密合作,运用Cadence解决方案克服实施和可制造性设计(DFM)验证挑战,并最终完成设计。/ h. w2 R; R6 f3 E( v, @8 o6 U
8 w0 D) M5 a4 s4 j/ K- x在开发过程中,创意电子使用Cadence Encounter解决方案用于支持20纳米布局布线流程所有的复杂步骤,包括双图形库的制备、布局、时钟树综合、保持固定、布线和布线后优化。创意公司还使用Cadence Litho Physical Analyzer ( 光刻物理分析器)用于DFM验证,将20纳米工艺变化的不确定性变成可预见影响从而有助于缩短设计周期。
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5 \, z& C$ j$ B; n0 q' p& Z. Z “我们选择Cadence作为这项开发的合作伙伴是由于Cadence在高级节点方面具有被证实的经验,” 创意电子设计方法部总监曾凯文先生表示。“台积电工艺20纳米SoC测试芯片的成功流片是双方紧密合作和Cadence Encounter与DFM解决方案高性能表现的直接成果。”
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“随着客户转向20纳米,他们正面临新的挑战,例如双成形和工艺变化等都大大增加了风险,”Cadence Silicon Realization集团研发高级副总裁徐季平博士表示。“Cadence已在实施和DFM验证工具方面解决了这些高级节点的挑战。公司正与合作伙伴紧密协作来验证这些新流程以降低风险,使其更容易让客户胸有成竹转向20纳米制程节点。3 e0 y; j# T" x7 _) p1 t
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