ＤＤＲ２内存控制器配置求助

yangyabo02

最近在用三星的S3C2416带DDR2的内存做项目，三星的SMDK上带的是DDR2-533的一颗内存，关键参数CAL-tRCD-tRP是4-4-4，
2 l6 i% [; {9 A* K9 o9 l采购芯片时说这种芯片不好找了，停产了，就采了一颗引脚和容量都兼容的DDR800的，，关键参数CAL-tRCD-tRP是6-6-6，当时也没有多想，觉得修改一下内存控制器的参数就可以了，但是仔细看2416的数据手册就晕了，它的这几个关键参数最大只能设置为3-4-4，SMDK代码中实际的设置值是3-2-2，我用的内存颗粒焊上去之后还不能工作，把这几个参数改到最大都不能正常工作，不知道改怎么配置了，另外内存颗粒的MRS里面也有CAL参数的设置，这个参数的设置和内存控制器里的ＣＡＬ参数改怎么配置呢？他们是设置成一样的还是，是相加的关系呀？我还隐隐感觉到２４１６的内存控制器可能是一个阉割版的，真不知道改怎么配置了，不过还在研究中，希望有感兴趣的朋友一起研究，把这个问题搞清楚，改帖子会持续更新

dqd7411

首先DDR2是可以降频使用的，其次根据你提供的信息，DDR2走3-2-2的配置，这里要把DDR2-500换成800的，换首先要保证更换以后的内存，在内存组织形式上是一致的，比如说：原来的颗粒是单颗32Mbx16的；那么更换以后的也同样是32Mbx16规格的。这样你只需要改动很少的时序参数既可以跑起来。如果颗粒容量发生变化，还需要更高DDR的刷新时间等寄存器参数。此外，需要确定S3C2416核心频率与DDRC工作平率的比例，正确选用准确合适的DDR。
修改的思路是先搞清楚原来的DDR533的时序参数的含义，然后再去选型进行寄存器配置，以三星内存为例，DDR800，CL延时可以在下图中看到，最小从4开始，这个延时值是至关重要的，和DDR的工作频率息息相关，务必要了解清楚。

yangyabo02

看来对这个问题感兴趣的人不多，自己继续更新中，希望我的理解能够帮助需要的人，我个人的理解是DDR2芯片手册上给出的关键参数（CL）代表的是该芯片运行在其所支持的最高频率时的关键参数，DDR2是可以降频使用的，降频使用时他的CL值是可以减小的；另外对于MRS中的CL和控制器中的CL的关系，我认为两者必须设置为一样的

JiaHao

不懂，只能观摩。。。

花心刺猬

dqd7411 发表于 2013-1-25 11:21
* v  I# I  F' W; }8 d首先DDR2是可以降频使用的，其次根据你提供的信息，DDR2走3-2-2的配置，这里要把DDR2-500换成800的，换首先 ...

高手，学习下！

yangyabo02

dqd7411 发表于 2013-1-25 11:21
, z! a# E% M  `4 K7 i2 t9 R首先DDR2是可以降频使用的，其次根据你提供的信息，DDR2走3-2-2的配置，这里要把DDR2-500换成800的，换首先 ...

非常感谢你的回复，之前确实没有看懂DDR内存的数据手册，一直不明白CL=3、4、5、6是什么意思，现在明白了这些参数是当DDR配置为ＣＬ＝３,４,５时其他参数应当配置的范围，这样理解，我选的６－６－６的颗粒是不能支持ＣＬ＝３的，所以就工作不了

shiyanbin

请问解决了吗？