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[Ansys仿真] TDR波形求解

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1#
发表于 2012-12-10 09:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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siwave做差分对的TDR波形仿真,在差分线两端加的都是50ohm的PORT.为什么最后的波形会收敛在25ohm的地方?1 y8 x; L# G! E4 J  M
还有,看TDR波形的时候,选择脉冲模式和沿模式有什么差别?我选择脉冲模式的时候还是会收敛在50ohm的地方,选择沿模式就是在25ohm的地方?这个怎么解释呢?

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2#
发表于 2012-12-10 09:28 | 只看该作者
那个不是脉冲模式,而是冲击模式,impulse-冲击信号,一般看TDR用step模式,因为TDR就是用step信号来定义的。
, V% E$ Y6 |  p, m; ]$ n9 r0 c1 A6 A
至于你TDR收敛的问题,这个跟你的S11有关,S11决定了时域反射的各种情况,要是S11不准确,自然TDR也不会准确,跟你PORT是否是50欧没有必须的关系。

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3#
发表于 2012-12-10 09:56 | 只看该作者
我现在在想用HFSS SIwave等软件去看有完整参考面走线的TDR曲线值不值得,觉得随便用一个阻抗计算软件算一下就可以了。. e$ t; X; S: g- N

- @5 q6 J: P0 R+ O1 V: l7 V: aHFSS SIwave对于过孔 边缘效应 跨分割等不规则的看一下阻抗还是有必要的。这样可以评估一下不规则的形状带来的阻抗变化。
( _/ m/ B) s  H% ]: W
0 v& [. t. W5 S+ J以上只是自己个人观点,不知道大家怎么看??????

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4#
 楼主| 发表于 2012-12-10 10:34 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-12-10 09:28
5 ~/ ]( u! E4 ~2 }! O6 S  ]那个不是脉冲模式,而是冲击模式,impulse-冲击信号,一般看TDR用step模式,因为TDR就是用step信号来定义的 ...
1 `. n+ \3 ~8 _4 s' R6 R
好像确实是S参数的影响。我刚刚出现的问题是一个DSP外挂两片DDR3的情况。在第一片DDR3处有两个过孔然后换层。所以S参数很差,出来的TDR波形就比较差。我把过孔的后面那一段走线去掉,差分的S参数就比较好看。TDR也是收敛在50ohm左右。问题是我的真实情况就是有过孔有换层的呀,那这样看来,是仿真不对吗?还是我的走线不行,阻抗突变很大?

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5#
发表于 2012-12-10 10:38 | 只看该作者
如果有走线和很多过孔,看一下你的观察时间是不是足够长啊。。。。。。。。。

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6#
 楼主| 发表于 2012-12-10 10:39 | 只看该作者
beyondoptic 发表于 2012-12-10 09:56 7 S6 U; `3 n4 }" E% b, g
我现在在想用HFSS SIwave等软件去看有完整参考面走线的TDR曲线值不值得,觉得随便用一个阻抗计算软件算一下 ...

- f0 u3 |, r+ N2 {$ ?& ^# j) R4 V对,计算阻抗不会用这些软件,肯定还是用polar这些来计算。看TDR波形主要还是想看看一看走线过程中其他的因素对特性阻抗的影响。像我这里就像看看过孔和拓扑结果的影响,我的理解是在有变换的地方TDR曲线会震荡,但应该还是收敛在计算的值或者PORT的值。可是这里得出来的结果是在25ohm,所以不理解。应该还是我的理解有问题。

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7#
 楼主| 发表于 2012-12-10 10:40 | 只看该作者
beyondoptic 发表于 2012-12-10 10:38
* T2 w6 U& E1 e' L) O7 W9 I$ _如果有走线和很多过孔,看一下你的观察时间是不是足够长啊。。。。。。。。。

' b- W6 R$ e6 e5 J" k7 N这个是足够的。

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8#
发表于 2012-12-10 11:50 | 只看该作者
黄小乖 发表于 2012-12-10 10:34 4 o  b% K/ P+ t- F8 b" z+ d) r$ V/ a
好像确实是S参数的影响。我刚刚出现的问题是一个DSP外挂两片DDR3的情况。在第一片DDR3处有两个过孔然后换 ...

) r$ U; V  j! ^. u% R你没理解我的意思。。我说S参数差并不是指的实际情况下的S参数差,而是S参数本身的一些特性问题。。。。

该用户从未签到

9#
 楼主| 发表于 2012-12-10 14:05 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-12-10 11:50 # s2 I0 u8 I6 `
你没理解我的意思。。我说S参数差并不是指的实际情况下的S参数差,而是S参数本身的一些特性问题。。。。

; v9 x4 S. z+ w" I好吧。这样更不理解了。。。{:soso_e103:} ) q! `# F8 T- h. V. A
那么,为什么会出现这样的情况呢?是S参数本身的问题,这个确实理解不了哦。能稍微再解释详细一点吗?谢谢了。

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10#
 楼主| 发表于 2012-12-10 14:30 | 只看该作者
我之前是在两片DDR3的接入短线桩处都加一对PORT。现在修改,保留DSP端的一对PORT和任意DDR3处的一对PORT,仿真出来的TDR波形都是正常的TDR波形。之前的结果会不会是因为我在一个信号线上加了三个PORT的造成的呢?看TDR的时候是不是每个PORT都会发出激励信号,这些信号相互干扰造成的?

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11#
发表于 2012-12-10 14:37 | 只看该作者
黄小乖 发表于 2012-12-10 14:05
& J1 i  H3 c6 J! t好吧。这样更不理解了。。。
3 Q* h, ~# L" B$ c) g& t4 l: U那么,为什么会出现这样的情况呢?是S参数本身的问题,这个确 ...
3 y% L* f$ I+ A! _5 F8 {7 e, c
S参数很多特征值得关注,因果性,无源性,带内密度是否足够,截止频率,低频分量准确性等等,这些都影响着对应的时域波形,产生这些问题的原因一个是软件本身的算法处理,还有就是人为的设置问题。

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12#
 楼主| 发表于 2012-12-10 14:49 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-12-10 14:37
# E" G6 F# x1 K/ g. d6 j0 iS参数很多特征值得关注,因果性,无源性,带内密度是否足够,截止频率,低频分量准确性等等,这些都影响着 ...
1 ]! F  Z3 u% X
非常感谢。今天这个问题最后结论应该还是跟我的设置有关,因为更改设置以后的结果就能合理解释。我认为可能是激励源干扰的问题,初步论证也是这样,就不知道对不对。呵呵,你所说的S参数的问题,我可能还要慢慢研究,理论积累还比较少。
. |* C/ p, U$ g) r! I6 Q  J再次表示感谢。{:soso_e183:}
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    [LV.1]初来乍到

    13#
    发表于 2019-11-15 17:47 | 只看该作者
    看了各位的讨论,收益匪浅
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