TDR波形求解

黄小乖

用siwave做差分对的TDR波形仿真，在差分线两端加的都是50ohm的PORT.为什么最后的波形会收敛在25ohm的地方？
还有，看TDR波形的时候，选择脉冲模式和沿模式有什么差别？我选择脉冲模式的时候还是会收敛在50ohm的地方，选择沿模式就是在25ohm的地方？这个怎么解释呢？

yuxuan51

那个不是脉冲模式，而是冲击模式，impulse-冲击信号，一般看TDR用step模式，因为TDR就是用step信号来定义的。
. w4 o; {. p# |6 \
至于你TDR收敛的问题，这个跟你的S11有关，S11决定了时域反射的各种情况，要是S11不准确，自然TDR也不会准确，跟你PORT是否是50欧没有必须的关系。

beyondoptic

我现在在想用HFSS SIwave等软件去看有完整参考面走线的TDR曲线值不值得，觉得随便用一个阻抗计算软件算一下就可以了。

3 E8 Y, J" |$ z) y- q9 C' xHFSS SIwave对于过孔 边缘效应 跨分割等不规则的看一下阻抗还是有必要的。这样可以评估一下不规则的形状带来的阻抗变化。

3 B( }& R  T+ m/ }8 a以上只是自己个人观点，不知道大家怎么看？？？？？？

黄小乖

yuxuan51 发表于 2012-12-10 09:28
( e& N8 U; c. ?那个不是脉冲模式，而是冲击模式，impulse-冲击信号，一般看TDR用step模式，因为TDR就是用step信号来定义的 ...

5 y4 a" e" \* s, D' ?好像确实是S参数的影响。我刚刚出现的问题是一个DSP外挂两片DDR3的情况。在第一片DDR3处有两个过孔然后换层。所以S参数很差，出来的TDR波形就比较差。我把过孔的后面那一段走线去掉，差分的S参数就比较好看。TDR也是收敛在50ohm左右。问题是我的真实情况就是有过孔有换层的呀，那这样看来，是仿真不对吗？还是我的走线不行，阻抗突变很大？

beyondoptic

如果有走线和很多过孔，看一下你的观察时间是不是足够长啊。。。。。。。。。

黄小乖

beyondoptic 发表于 2012-12-10 09:56
1 H4 `. l4 c% u( b- Z* f我现在在想用HFSS SIwave等软件去看有完整参考面走线的TDR曲线值不值得，觉得随便用一个阻抗计算软件算一下 ...

对，计算阻抗不会用这些软件，肯定还是用polar这些来计算。看TDR波形主要还是想看看一看走线过程中其他的因素对特性阻抗的影响。像我这里就像看看过孔和拓扑结果的影响，我的理解是在有变换的地方TDR曲线会震荡，但应该还是收敛在计算的值或者PORT的值。可是这里得出来的结果是在25ohm，所以不理解。应该还是我的理解有问题。

黄小乖

beyondoptic 发表于 2012-12-10 10:38
如果有走线和很多过孔，看一下你的观察时间是不是足够长啊。。。。。。。。。

4 O8 u+ Q5 V" Y" E% G/ M; _4 \! _这个是足够的。

yuxuan51

黄小乖 发表于 2012-12-10 10:34
2 q! n. M( p; H+ \好像确实是S参数的影响。我刚刚出现的问题是一个DSP外挂两片DDR3的情况。在第一片DDR3处有两个过孔然后换 ...

你没理解我的意思。。我说S参数差并不是指的实际情况下的S参数差，而是S参数本身的一些特性问题。。。。

黄小乖

yuxuan51 发表于 2012-12-10 11:50
' i( L% ~: O# B你没理解我的意思。。我说S参数差并不是指的实际情况下的S参数差，而是S参数本身的一些特性问题。。。。

好吧。这样更不理解了。。。{:soso_e103:}
4 W1 ^: f: ^8 c! m那么，为什么会出现这样的情况呢？是S参数本身的问题，这个确实理解不了哦。能稍微再解释详细一点吗？谢谢了。

黄小乖

我之前是在两片DDR3的接入短线桩处都加一对PORT。现在修改，保留DSP端的一对PORT和任意DDR3处的一对PORT，仿真出来的TDR波形都是正常的TDR波形。之前的结果会不会是因为我在一个信号线上加了三个PORT的造成的呢？看TDR的时候是不是每个PORT都会发出激励信号，这些信号相互干扰造成的？

yuxuan51

黄小乖 发表于 2012-12-10 14:05
好吧。这样更不理解了。。。
那么，为什么会出现这样的情况呢？是S参数本身的问题，这个确 ...

) {4 o0 M4 W, xS参数很多特征值得关注，因果性，无源性，带内密度是否足够，截止频率，低频分量准确性等等，这些都影响着对应的时域波形，产生这些问题的原因一个是软件本身的算法处理，还有就是人为的设置问题。

黄小乖

yuxuan51 发表于 2012-12-10 14:37
S参数很多特征值得关注，因果性，无源性，带内密度是否足够，截止频率，低频分量准确性等等，这些都影响着 ...

6 Q$ }; Z! E2 T/ x; A1 j) s& T0 |3 W非常感谢。今天这个问题最后结论应该还是跟我的设置有关，因为更改设置以后的结果就能合理解释。我认为可能是激励源干扰的问题，初步论证也是这样，就不知道对不对。呵呵，你所说的S参数的问题，我可能还要慢慢研究，理论积累还比较少。
再次表示感谢。{:soso_e183:}

zhang2022

看了各位的讨论，收益匪浅