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DDR3之PCB拓扑结构

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发表于 2012-12-4 14:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1.点对点拓扑 point-to-point scheduling
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该拓扑结构简单,整个网络的阻抗特性容易控制,时序关系也容易控制,常见于高速双向传输信号线;常在源端加串行匹配电阻来防止源端的二次反射。
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2.菊花链结构 daisy-chain scheduling
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( W" R9 f, m! E! D/ Y如下图所示,菊花链结构也比较简单,阻抗也比较容易控制。菊花链的特征就是每个接收端最多只和2个另外的接收端/发送端项链,连接每个接收端的stub线需要较短。该结构的阻抗匹配常在终端做,用戴维南端接比较合适。3 r; N' c8 e# h, @4 R1 }/ |* S
1.点对点拓扑 point-to-point scheduling
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该拓扑结构简单,整个网络的阻抗特性容易控制,时序关系也容易控制,常见于高速双向传输信号线;常在源端加串行匹配电阻来防止源端的二次反射。
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2.菊花链结构 daisy-chain scheduling, ]  Q3 H0 D8 N+ _
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如下图所示,菊花链结构也比较简单,阻抗也比较容易控制。菊花链的特征就是每个接收端最多只和2个另外的接收端/发送端项链,连接每个接收端的stub线需要较短。该结构的阻抗匹配常在终端做,用戴维南端接比较合适。( Y' R6 u$ _; p

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该结构是特殊的菊花链结构,  stub线为0的菊花链。不同于DDR2的T型分支拓扑结构,DDR3采用了fly-by拓扑结构,以更高的速度提供更好的信号完整性。fly-by信号是命令、地址,控制和时钟信号。如下图所示,源于存储器控制器的这些信号以串行的方式连接到每个DRAM器件。通过减少分支的数量和分支的长度改进了信号完整性。然而,这引起了另一个问题,因为每一个存储器元件的延迟是不同的,取决于它处于时序的位置。通过按照DDR3规范的定义,采用读调整和写调整技术来补偿这种延迟的差异。fly-by拓扑结构在电源开启时校正存储器系统。这就要求在DDR3控制器中有额外的信息,允许校准工作在启动时自动完成。6 q) `/ o# O  Y6 B- G0 ]
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在写调整期间,存储器控制器需要补偿额外的跨越时间偏移(对每个存储器器件,信号延迟是不同的),这是由于fly-by拓扑结构及选通和时钟引入的。源CK和DQS信号到达目的地有延迟。对于存储器模块的每个存储器元件,这种延迟是不同的,必须逐个芯片进行调整,如果芯片有多于一个字节的数据,甚至要根据字节来进行调整。该图说明了一个存储器元件。存储器控制器延迟了DQS,一次一步,直到检测到CK信号从0过渡到到1。这将再次对齐DQS和CK,以便DQ总线上的目标数据可以可靠地被捕获。由于这是由DDR3存储器控制器自动做的,电路板设计人员无须担心实施的细节。设计人员会从额外的裕度中得到好处,这是由DDR3存储器控制器中的写调整的特性所创建的。
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$ U: M6 \$ m" w4 A6 E: j1 B结构如上图所示,该结构布线比较复杂,阻抗不容易控制,但是由于星形堆成,所以时序比较容易控制。星形结构需要特别注意D点到适合于单项数据传输,从D-R,而不适合于从R-D。匹配方式一般在R端做匹配,消除终端反射。
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5.远端簇结构 far-end cluster scheduling5 V7 j/ n. \5 r) q4 b1 C
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远端簇结构可以算是星形结构的变种,要求是D到中心点的长度要远远长于各个R到中心连接点的长度。各个R到中心连接点的距离要尽量等长,匹配电阻放置在D附近,常用语DDR的地址、数据线的拓扑结构。; \/ r, U: ^/ a% y0 ]/ U! Z

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3. fly-by scheduling
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该结构是特殊的菊花链结构,  stub线为0的菊花链。不同于DDR2的T型分支拓扑结构,DDR3采用了fly-by拓扑结构,以更高的速度提供更好的信号完整性。fly-by信号是命令、地址,控制和时钟信号。如下图所示,源于存储器控制器的这些信号以串行的方式连接到每个DRAM器件。通过减少分支的数量和分支的长度改进了信号完整性。然而,这引起了另一个问题,因为每一个存储器元件的延迟是不同的,取决于它处于时序的位置。通过按照DDR3规范的定义,采用读调整和写调整技术来补偿这种延迟的差异。fly-by拓扑结构在电源开启时校正存储器系统。这就要求在DDR3控制器中有额外的信息,允许校准工作在启动时自动完成。! {8 ^/ p/ l# t8 X- V# r
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在写调整期间,存储器控制器需要补偿额外的跨越时间偏移(对每个存储器器件,信号延迟是不同的),这是由于fly-by拓扑结构及选通和时钟引入的。源CK和DQS信号到达目的地有延迟。对于存储器模块的每个存储器元件,这种延迟是不同的,必须逐个芯片进行调整,如果芯片有多于一个字节的数据,甚至要根据字节来进行调整。该图说明了一个存储器元件。存储器控制器延迟了DQS,一次一步,直到检测到CK信号从0过渡到到1。这将再次对齐DQS和CK,以便DQ总线上的目标数据可以可靠地被捕获。由于这是由DDR3存储器控制器自动做的,电路板设计人员无须担心实施的细节。设计人员会从额外的裕度中得到好处,这是由DDR3存储器控制器中的写调整的特性所创建的。
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结构如上图所示,该结构布线比较复杂,阻抗不容易控制,但是由于星形堆成,所以时序比较容易控制。星形结构需要特别注意D点到适合于单项数据传输,从D-R,而不适合于从R-D。匹配方式一般在R端做匹配,消除终端反射。. M# J; O; ]$ |+ s! P: \0 @

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2#
发表于 2012-12-4 21:58 | 只看该作者
没有图啊

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3#
发表于 2013-1-17 10:01 | 只看该作者
没有图啊,看不懂

该用户从未签到

4#
发表于 2013-4-25 09:42 | 只看该作者
怎么没有图??
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-9-29 15:28
  • 签到天数: 114 天

    [LV.6]常住居民II

    5#
    发表于 2013-4-25 10:35 | 只看该作者
    讲了一大堆,有图比啥都好使。。

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2013-4-25 12:35 | 只看该作者
    是的,有图看起来容易理解
  • TA的每日心情
    开心
    2024-5-31 15:50
  • 签到天数: 19 天

    [LV.4]偶尔看看III

    7#
    发表于 2013-4-25 20:38 | 只看该作者
    有操作说明吗?

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2013-8-2 10:56 | 只看该作者
    网上拷贝的吧,这样帖子最没意思了。浪费时间看

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2013-8-2 11:19 | 只看该作者
    楼上的你懂吗,要学会尊重别人的成果,无论是从什么渠道获得的,对大家总是有益的{:soso_e148:}

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2013-9-27 11:23 | 只看该作者
    卤煮,无图无真相。。。
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