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pwj6323 发表于 2012-12-4 10:05 9 X* {( L/ c" c8 i" v; N/ i
DDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。
3 T, R: v6 @( j. G" `& D+ e+ T, ]9 g走fly-by结构主要是 ...
, N9 f2 e0 H* g2 v' c7 Z: |* x! J能麻烦普及一下基础吗??呵呵
5 h! }# C, }0 n! @# n0 t2 N- o
! z/ C4 d5 U0 Q. I! {4 J! d1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连续”?
9 \3 d2 ~3 S7 f) W" f4 A& y9 d2、在DDR3上,阻抗不连续会带来什么现象和后果?
, W1 m6 a) c* Q7 X* Z2 q, E" I) x |0 j, y1 S8 X1 z* I# N
麻烦大侠们了。。。。。。。 |
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