怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

QWE4562009

怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

超級狗

( D. t$ R# _$ }! d, v! {, F

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
% s6 J# X% p) o3 s' a9 Z
8 G9 p3 Z$ o2 e: zV_DS ≥ V_GS​ − V_th​

6 Y7 j- R5 v6 s" k其中：

• V_DS​：漏極對源極的電壓
• V_GS​：閘極對源極的電壓
• V_th​：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
  
  
  . ?8 N/ Z* [* G3 y. L' c* M8 Q

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
3 ]5 Q' }( O, L* o$ j1 V
原文

- {9 z1 G% s# y% z3 J; f$ A9 ~暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！

3 m+ Z, M. u) N: ?. W% G2 Y
& p. ~$ H7 ^  ^: {' V& e

myiccdream

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
5 M1 d& B; t2 P我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
& n- c- t& O1 c! T以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载
$ U4 V6 ^6 f7 |. A9 ~$ v- ~

超級狗

暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
' j+ ~$ P" u. O9 L( [
8 N" y9 e6 @1 F& I' v& {: f1 z原文
MOSFET saturation mode is defined as operation with high V_DS, specifically where V_DS > (V_GS − V_th).
) e& V: d$ R8 R* t# F; C
3 l: U0 C' q" X/ E- ?, N; m, z

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
% Z. M6 v0 y: g% H5 K, PMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
; _3 ]8 ?8 @  K
' y. x+ g( J, f; c. eV ≥ V​ − V​

7 A7 d+ V  S* U/ L# N涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？
5 R) U9 x4 R& D" U" h+ ^

Dc2024101522a

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
2 q( D* x9 i1 A) f& O3 |2 T6 R按这个说法，gs给10V，d没 ...

通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
8 \9 b: m. ?, C$ X" I7 G5 B

huo_xing

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
: O8 V7 `$ ~5 D9 V$ e通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
. V+ F8 Q& S) U! t' G: h( c以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的

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huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
* Y/ |& K/ [: r! b我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
# u/ }9 w5 R/ H( b: b  [9 Q以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

$ v1 ^* a( z! o2 ?3 ]MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
: p$ D5 o( F3 e: Y2 b2 i
了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。

狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！
3 g2 P2 ^7 A- w% [+ a
0 M1 y! N& \! ]$ h) J, {% J# n
( a% C. ]2 j3 h% V

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
6 O& x& j/ N7 m
了解這些參數是怎 ...

/ \9 u5 u  g* H: N6 @1 p好漂亮的畫面！
! H$ `) F! I+ t) j
. O  y* _/ Y  m' U) g

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
. [' y) C+ S' wMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

/ F' b# [! }/ A' W) `V ≥ V​ − V​

点成反对了。。。

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
, v. `8 R  F* v% c' I; G+ V8 e
! N& e9 {$ q! W9 R% y% G; j; G4 a: vV ≥ V​ − V​

如果不符合这个条件  就是没饱和咯
) V/ y* V% Y+ L

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
好漂亮的畫面！

. n" L' U3 [6 M4 a" Y这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通

Dc2024101522a

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
$ [/ D) J' ?3 g; I' C你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
/ l; y0 |! R4 d! G9 Y! X# P比如电子负载

5 c, s2 E8 Z, b. P6 s! {+ U0 B! n7 Y我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
/ R+ G- {$ v% x, g

clp783

路过，看不懂。