怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

QWE4562009

怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来
, m% u# w) g5 y& u' `9 ?3 `& p' \+ R

超級狗

! \# k& O' P+ s" H8 z

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
. R& M0 Z$ ]+ d( x. k4 J% f
2 U1 U7 t8 @; Q/ ^2 ]V_DS ≥ V_GS​ − V_th​

其中：

• V_DS​：漏極對源極的電壓
• V_GS​：閘極對源極的電壓
• V_th​：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
  ' h3 m$ N( S: x) v& d2 X
  
  " {: o6 A4 Z" R  l2 |  ^0 S

. I. t* Q# m$ H# |5 g

超級狗

7 O, a% ?, C" g5 f! F& |

超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
7 F+ S' \) b( q  v+ C
& ^6 y8 _+ A* ]: }( R  r原文

暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！
& o- _# W9 u# q/ z1 @! d3 Y
# b. i/ n2 W# p2 X
% `7 L8 m+ @$ X

myiccdream

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
& X( }1 [3 v. E  m" y8 |0 S0 U我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
( \+ O8 |( U2 I+ d. R5 u以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
  y7 F* U; @  {7 m比如电子负载
" C3 i0 o- u9 k6 R( y' \! t* d

超級狗

1 y1 M7 I! a4 X3 s暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！

+ H4 B3 [! T9 q1 T+ P原文
" G' O) M) E1 Q) D  J4 \/ [MOSFET saturation mode is defined as operation with high V_DS, specifically where V_DS > (V_GS − V_th).
9 ]0 j* z5 Z8 P" R; z
, A  _, Y4 I/ ^

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

V ≥ V​ − V​

& X% B6 O5 @) q/ B! p% R3 J涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？
) m, v8 V" B% F! ^6 ]: A% [

Dc2024101522a

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
; D2 X  k5 c# ]* [) T* }按这个说法，gs给10V，d没 ...

通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
; i* N  n9 H9 l; a+ f

huo_xing

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

" Z  j2 v! Q: g, Q2 {7 u我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的
5 v% D% i* P" w: }! t

超級狗

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
# L9 |  p4 k; M# L+ C以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。

/ ?" P/ _6 k9 S* L9 `; ^4 `了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。
9 F+ X+ X  |% A2 v
, S( w/ U; _/ J$ \; o狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。

  m* }& {9 i! T6 X/ R+ I了解這些參數是怎 ...

  K0 }' }5 X2 z6 l7 e) I' z. O! \好漂亮的畫面！
/ E6 k3 N% @; {  E, P1 C

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
5 g1 k: n: a, D6 z1 hMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
/ H2 ~4 L$ Z. _# ~2 {) I: Z
" y9 k. S7 _2 \5 T! oV ≥ V​ − V​

点成反对了。。。

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
* o* m' s' k% Y  a
V ≥ V​ − V​

如果不符合这个条件  就是没饱和咯
! j" e$ J* Y9 u# Y) b1 ~

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
( u( |: g" }, H' z* B好漂亮的畫面！

( x. Y8 O) k+ E9 j% G" H这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通
# L0 e; p& J9 Y4 V

Dc2024101522a

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
" d, T0 b( X. k7 I3 @你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载

我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性

clp783

路过，看不懂。