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本帖最后由 hcjyddup 于 2012-9-18 14:44 编辑
# G2 d# q, a% b: S6 r- L2 l* o1 w8 m/ Q3 H& J; I
最近自己画了一板子,主芯片是DM365,DDR2内存芯片是MT47H64M16BT-37E。首先板子上的其他部分,电源、晶振、串口,网口等都已经正常了。目前调试的时候遇到个不能解决的问题,求大神指点啊!现象如下:
3 N& L( G9 Y! l0 Q! h' z1、数据线低8位能正确读写,高8位不能,在每次断电重启的情况下,高八位的读写结果不同,随机的。
) F/ {- @0 P5 h* a& e, O2、地址线是正常的,我是在屏蔽高8位读写结果的情况监测地址线的,全部遍历64M空间都能正常读写。
/ \3 ^' F$ K6 Q. l6 G3、用示波器观察高八位的数据线(在匹配电阻靠近DDR芯片端)上的写信号,数据线上有信号,且与低8位基本一样。
) P" W6 D, X- D% Z: k' \# y" {8 N附件为高8位数据信号线上的写信号。$ F0 u6 H/ x9 p9 T: w2 R; ^, V, r
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我现在怀疑的原因有两点:" q- p; e- Y7 k. ` t8 i, }9 @
1、DDR2芯片的焊接有问题,可能高8位数据接口相关的电源管脚没有焊接上,BGA封装,苦于没法检查;! d0 H- g. K% R* c
2、时序问题,高8位和低8数据线的读写使能DQS信号是独立(分别为DQS1、DQS0),可能是高8位的时序不一致(布线的时候要求是一样的),示波器看DQS1差分信号很微弱,DQS0也是,没有明显的高低电平变化,这个很奇怪。
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$ S0 S! P7 }8 K0 e" e" d希望各位大神、有经验的同道帮着看下,给小弟点意见! |
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