德州仪器GaN功率半导体已在日本会津工厂投产

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德州仪器(TI)近日宣布，其基于氮化镓(GaN)的功率半导体已在日本会津工厂投产。随着会津工厂的加入，德州仪器的GaN功率半导体自有制造产能提升至原来的四倍。公司成功验证了8英寸GaN技术并将开始大规模生产，这种制造方式具有显著的可扩展性和成本优势，有助于扩大GaN芯片自有制造。到2030年自有制造产能将增至95%以上。德州仪器在提升GaN 产能过程中采用了更先进、更高效的机台，可以生产出体积更小但是功率更大的芯片。公司还开展了在12英寸晶圆上开发GaN制造工艺试点项目。（美通社）

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