单片机退耦电容是否应该就近打过孔到地？晶振匹配电容的地如何处理？

any_014

: F4 T( S* D: h. R1 @9 y, d
7 b, T+ C  Z5 b" I: C问题一：
) {# `+ y: X3 d以前一直这么觉得的，但看到一篇文档NEC的，他是这么建议的。
问题是，退耦电容的地，是就近打过孔到地层好呢？还是地线由退耦电容经单片机地管脚汇到单片机下的大面积地，再经过孔到地平面？

any_014

8 o' z+ v: W* R' C问题二：
1 e5 r& z. M$ |晶振匹配电容如何接地？
但NEC的一篇文档这样告诉我。

逝入无痕

我也想知道哪个好

77991338

如果将连通电源层的VIA放在电容和芯片管脚之间的走线上的话...这样的滤波作用几乎不大...最好的就是像图上说的那样....由芯片管脚出线到电容焊盘在通过地孔连接到内电层.....

any_014

3 ?4 ^! v6 }* F0 X5 C1 X( N

77991338 发表于 2012-8-16 08:35
& \0 h  o4 y0 _' u0 d+ @如果将连通电源层的VIA放在电容和芯片管脚之间的走线上的话...这样的滤波作用几乎不大...最好的就是像图上说 ...

( G: D4 G# z1 b* C8 a, P: n
那篇文档中的建议是匹配电容的地不好直接打孔连到地平面，而是在顶层走线连到芯片的地管脚。我是这样理解的。
$ `" w3 n. \% A0 \0 U& g7 H-----------------------------------------------------------------------------------------------------
& V1 s+ K3 {$ O9 \( p1 L/ C结合问题一问题二，晶振匹配电容不直接打孔到地平面，而是连接到芯片地引脚，芯片地引脚也不是就近打孔到地平面，而是汇到芯片下的大面积地再打孔到地？

77991338

any_014 发表于 2012-8-16 08:44
那篇文档中的建议是匹配电容的地不好直接打孔连到地平面，而是在顶层走线连到芯片的地管脚。我是这样理解 ...

其实在退耦电容和芯片管脚之间不管电源还是地线...要是都能够做到走线都是由芯片管脚直接连接到电容焊盘...在从电容焊盘出线放置过孔到内电层和地层...这样的效果是最好的....实在有困难起码要优先满足电源的电容是这样处理....
  ~8 v5 ?% c1 x! M4 _4 }" s# O& W. g

any_014

77991338 发表于 2012-8-16 09:06
# _- s- Y8 v5 O. j# A% D) s3 g其实在退耦电容和芯片管脚之间不管电源还是地线...要是都能够做到走线都是由芯片管脚直接连接到电容焊盘. ...

你说的这些，我大概理解，先过电容再到芯片相应管教。
/ Q6 J) V. f) I: ]/ I现在的问题是，这篇文档不建议就近打过孔连到地平面。

77991338

any_014 发表于 2012-8-16 09:14
你说的这些，我大概理解，先过电容再到芯片相应管教。
) _1 U0 m5 a4 [1 c7 D/ T0 x/ Z现在的问题是，这篇文档不建议就近打过孔连到地平 ...

就近打过孔是为了减少信号与地之间的回路..有利于EMC..你看的那篇文档可能是说一些特殊情况下的吧...我觉得正常的话肯定是回路越短信号的质量越好...

yuyanqing2003

晶振的话通常是按照图13那样的比较好这样有屏蔽的作用，晶振对外辐射小。

kanglong53

学习了!!!