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DDR1、2、3的类型?

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1#
发表于 2012-7-11 10:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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有没有哪位大侠知道DDR1、2、3分别有哪几种类型?按照插口模块和频率来分,或者别的方面也可以?多谢~~

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eeicciee + 5 支持!

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2#
发表于 2012-7-11 18:24 | 只看该作者
DDR1、2、3分别有三类,DDR1、DDR2、DDR3.

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happyxiaoluohao + 2 多谢~

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3#
发表于 2012-7-11 20:17 | 只看该作者
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。 ) }0 [7 M9 `# s
% O% \! h& d0 M& j; z1 Y, e- V
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
- p7 a7 o2 K, E! X6 u& M! O/ ~$ x* [) D3 C& m2 u' a
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。
9 B9 K0 A/ S) L2 w' O0 s
/ r5 A- q" s, QDDR2的定义:
* K: ]7 c& i! W6 O
  a% N4 D5 ~0 M! ~" m" {DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
! r# K0 v2 N* B$ t
1 F1 u9 _- A1 A) [/ u' E# B# KDDR3 3 Y5 t7 w  L8 [$ i

  r2 S  u' ^% o$ A$ e1 M2 [4 A) |2 f& u1 _' I) l
1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
- R# T8 s7 m8 c0 ~0 u. x% L. d, ^7 H  q1 l: j& `
2.采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。
/ a" I6 R' r- o5 x/ x! n. g; F* q4 {
3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。
1 o6 T" W7 ?4 a: K3 U9 M% ^. C

: |$ {4 w; M8 ^. u& Z二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 : 3 _" }/ {# b! O2 m4 Y% U
* V+ ^* n; k% A2 C4 |7 n
1.突发长度(Burst Length,BL) 0 D" T* h8 T( M- @. F% H" O
1 |# n5 V6 r- b" L( s- B2 _" Z" Z$ _6 `
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。 9 u# ^1 j2 ?7 }2 z; ?

  b) U' P* ]8 _2 S* ?2.寻址时序(Timing)
) X7 U3 y# f6 g# c
" @9 f4 q( X/ h* ^就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
: [; x' X9 u1 c7 B4 y8 U
8 F% W3 b% M: P+ c) j3.DDR3新增的重置(Reset)功能
% ?) C3 r, n8 f. j- [$ h/ j! c* ^' J) l3 ~' @' x' [6 Q
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。 0 H# K. o( p" v
2 D) I" D  d) V5 G0 B' B' c( R
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
6 `0 n" t- e2 i8 W( g
7 Z8 I) _% F9 ]) I3 P8 ^8 w  Z) G4.DDR3新增ZQ校准功能 * t! _; I' g$ a3 W0 K. C

! K& q7 `# M, n2 aZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 5 V! ~0 E' N5 g' v: e8 y

4 D: q& L/ U- K! x1 q4 A! i$ e5 [* g) i6 k; a/ G7 K
5.参考电压分成两个 ! f9 Y. Y+ ~* h$ J( g

" W5 X0 J+ ^1 A2 A7 Z在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
" C# s* {4 t8 r5 {. G/ i* J: |% ?4 G
6.点对点连接(Point-to-Point,P2P) $ u) z% u7 B- x4 C/ f# l

7 ?( c* Z9 S- s( c4 g2 G* ?& t这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。 4 u1 A: J) h; M' I" V

/ g; ?% Z5 ~6 ]! l1 J面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

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4#
发表于 2012-7-11 20:18 | 只看该作者
DDRI的工作电压为2.5V,DDRII的工作电压为1.8v。 $ w1 K: ~+ |9 F0 h
DDRI的PIN脚为180pin,DDRII的pin脚为220pin
$ Y) ?1 H* o: r1 F( \DDRI的主频为266/333/400,DDRII的主频为400/533/667MHz.

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eeicciee + 5 很给力!

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5#
发表于 2012-7-11 22:32 | 只看该作者
学习了

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6#
发表于 2012-7-11 23:49 | 只看该作者
ghfghyb 发表于 2012-7-11 20:17 9 |% ]4 ]6 m0 M" P/ p; A
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是 ...
& I( T) [  G% `6 B/ V  f
牛人学习了

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7#
发表于 2012-7-12 07:30 | 只看该作者
不错学习了

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8#
 楼主| 发表于 2012-7-12 11:24 | 只看该作者
ghfghyb 发表于 2012-7-11 20:17
8 Z$ F+ y+ W* j4 U2 @* a严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是 ...
3 Z- z& x- ?/ i& H) \4 u% N5 _
非常感谢,讲的很好,但是我主要想问的是DDR1、2、3分别分为哪几类,因为看到很多资料是写着DDR2-400、DDR2-800,而且DDR2有60针68针和84针,想知道是怎么分类的~~

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9#
发表于 2012-7-12 13:55 | 只看该作者
有些是4bit 8bit 16bit,主要区别是数据线的宽度不一样,附一个DDRII的资料给你自己看吧!资料里面有很详细的解说~

4542Gb_DDR2.rar

1.75 MB, 下载次数: 82, 下载积分: 威望 -5

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happyxiaoluohao + 2 谢谢~

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