同步整流MOSFET的选择，FHL385N1F1A场效应管更提升整流效率

幕刃1

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同步整流MOSFET作为一种高效的整流器件，在电源适配器、直流稳压电源、电动汽车充电桩等场景均有应用。其对比二极管整流电路是更稳定、高效以及可控的。

) |! O/ h# }1 V) K! _: j& ?1 c既然同步整流MOSFET能够实现高效率的整流，提供稳定的直流输出。那选择一款优质可替代IPT020N10N5型号参数的国产化mos管应该是非常重要的。

  f1 D1 P3 K; X" _. m既然效率这么好，在国内能有什么优质MOS管使用呢？除市场中的IPT020N10N5参数型号，我们还是选择飞虹半导体的FHL385N1F1A型号场效应管。

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6 Q$ ]* `2 w9 d* S; {: k8 l! n: y为何？因为FHL385N1F1A型号场效应管具备以下特点：

  V6 B, s! C1 b# w1、低导通内阻：支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
2、100% EAS测试
' _2 @* j$ C5 X+ Y  Z% e3 C3、100% DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）
! J; B" U9 X2 q' n: l8 q4、100% Rg测试
5、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。
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3 f/ _" ?1 V6 y! W通过上述描述可知，这一款工业级的300A、100V电流、电压的FHL385N1F1A场效应管型号参数是很适合使用在同步整流电路中。

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当然在同步整流的应用中，我们电力工程师一定要了解这款优质FHL385N1F1A国产场效应管的详细参数：其具有300A、100V的电流、电压， RDS(on) = 2.0mΩ(MAX) @vgs = 10 V，RDS(on) =1.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。
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/ j2 [( C6 y, t4 I+ ^FHL385N1F1A是一款N沟道增强型场效应晶体管，FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形，其封装产品具有低封装内阻、小体积、低热阻、低寄生电感等特点。

# F+ V! O" N! O4 A( U6 KFHL385N1F1A的具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：300A；BVdss（V）：100V。

! u. H2 I( h4 }! `7 O9 `( m# }! _2 ]# B静态导通电阻（typ）：1.6mΩ、最大脉冲漏极电流（IDM ）：1200（A）、反向传输电容：328pF。

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