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[Ansys仿真] 请大家帮我看看,为什么我仿出来的TDR是这样的??

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1#
发表于 2012-5-30 17:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 peijing 于 2012-5-30 17:03 编辑 / q2 m3 j$ ?- R+ Z$ d

. ?6 |; Z  X3 Q' o大家帮我看看,为什么我仿出来的差分线的TDR不是一个恒值,而是上下波动的,是哪里设置的有问题吗?
" q' a* m) W: M" ~! T用SI9000 算出来的值是106 ohm,和仿真的值也对不上啊.
" a4 o8 H4 R0 H5 R谢谢了.
7 O- Y9 Q' _) L# F/ a附件里是HFSS文件.

TDR.jpg (140.88 KB, 下载次数: 14)

TDR.jpg

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发表于 2019-7-24 14:11 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-30 19:337 E1 W* d( ?  F8 `
这个真是个老生常谈的问题# S. I! E1 s9 n) \" Z
" G: z# b: j8 j, X" T, G( P
1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性 ...
7 ^/ U0 ^+ `/ i$ F( O- D
您好,最近新学习TDR发现一个问题想请教一下。) N% A: K) t# j. V6 c6 O  `9 k
按照si9000的模型仿真一小段100欧姆内层差分线,, x+ K, r, n: Y) N6 a
第一次用HFSS默认求解设置,S参数收敛值0.02,最大迭代次数6,仿真结果用TDR看最低点只有93欧姆左右。
" v( l" v6 f9 E: p; T1 S0 f第二次提高最大迭代次数至20,阻抗最低点向100欧姆靠拢,但还有两三欧姆偏差。继续提高最大迭代次数,结果基本没变化。, C9 [0 |5 q- F
第三次在第二次基础上将S参数收敛值设置为0.001,TDR结果基本就在100附近,与si9000结果基本一致,波动很小。0 I  H) D" r+ g* o1 }9 `- D% j
后面2次结果的S11都很好,到-30dB以下了,S21也很接近,但TDR的结果却有区别(因为没有出现阻抗突变,所以预想都应该波动很小),请问这种时候仿真求解的设置应该按第二次还是第三次呢?第三次的设置仿真时长太长,而第二次的设置看TDR还有波动,是不是差两三欧姆可以视为不同软件的算法差异而不用管?& e/ c5 `2 D) @" r, x
6 x$ |: Q  ?  q4 ^; Q
另外,如果仿真的模型有阻抗突变,或者传输线阻抗与端口阻抗不匹配的话,用第二次设置的结果看TDR阻抗就和si9000很接近了(本帖您修改后的模型即如此),难道是端口阻抗和传输线特性阻抗匹配程度太高了,就要把仿真精度提高才能看准吗。% q: J$ }0 F3 g5 b; V4 a9 o- v
1 I) q7 P4 J! j$ r7 D
请帮忙解惑,感谢!
3 U0 C! i' t. k' l0 \7 S5 r" @+ S# r, j2 {# y* y. K

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2#
发表于 2012-5-30 19:33 | 只看该作者
这个真是个老生常谈的问题$ l, H+ |5 Y, w$ z- b& H9 G5 I
0 g# H6 S6 f, o- b. g  l8 x0 c% `
1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性阻抗的,和哪几个因素有关,把软件这块弄清楚了再说* z8 G7 m9 ?! }9 o9 ^* N
2.不要认为SI9000算出来的就是对的,SI9000算的特性阻抗只是一个特例情况,用HFSS算出来的特性阻抗肯定会和其有所差别,这个又涉及到软件如何计算特性阻抗了,所以不必非拿SI9000的结果为标准,仅供参考,当然要是差的太多的话肯定就是自己的设置参数出了问题,好好对比下,基本上的错误不外乎这些
2 E$ I0 N% T/ n0 r- ]" U# M  n: t- [% n) Q$ F) _- ?+ P
这个例子就先不帮你找问题了,你先按照我说的自己先试试看

点评

您好,最近新学习TDR发现一个问题想请教一下。 按照si9000的模型仿真一小段100欧姆内层差分线, 第一次用HFSS默认求解设置,S参数收敛值0.02,最大迭代次数6,仿真结果用TDR看最低点只有93欧姆左右。 第二次提高  详情 回复 发表于 2019-7-24 14:11

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3#
 楼主| 发表于 2012-5-31 09:48 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-30 19:33
4 x) Q7 O7 g+ c! d  A这个真是个老生常谈的问题
3 |1 {1 ^$ P) i& b* d
+ J3 C- W7 N2 K+ Z1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性阻 ...
. B9 ?2 N3 r/ N+ Q, J
版主,那个help文档我看了,觉得我设置的也没什么问题啊,也可能是我进了什么误区了,麻烦你下下来帮我看看吧。

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4#
发表于 2012-5-31 10:40 | 只看该作者
peijing 发表于 2012-5-31 09:48
7 ?6 O4 A7 b* s9 E( f$ ?/ c版主,那个help文档我看了,觉得我设置的也没什么问题啊,也可能是我进了什么误区了,麻烦你下下来帮我看 ...

3 U2 C3 O, E+ q( |" q4 [' x$ [/ B先把你用SI9000设置的界面参数截个图上来

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5#
 楼主| 发表于 2012-5-31 11:44 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-31 10:40
* E6 W5 Q( N  m  ~- I: Y2 e2 G4 G先把你用SI9000设置的界面参数截个图上来
, e. r, `" J% p" l9 c
版主,不好意思,我这往外传东西太费劲了,这个还是昨天请示过的。- ^  U2 @; m8 [0 p4 ^  C* J
我用的就是微带差分线的模型:Edge-coupled surface microstrip 1B,W1=W2线宽8mil,线距5mil,介质板厚47.2mil,介电常数4.7,铜厚1.7mil。

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6#
发表于 2012-5-31 14:55 | 只看该作者
peijing 发表于 2012-5-31 11:44 4 Q2 F2 I0 q4 [* w
版主,不好意思,我这往外传东西太费劲了,这个还是昨天请示过的。
! E! I6 _4 o/ H2 K6 |5 W1 C我用的就是微带差分线的模型:Edge-c ...
) A( ^3 y( ?) C* r5 w
不行就算了,我把模型有的地方修改了下,你先自己再跑着看看,建议以后可以用wave port的话尽量用wave port,不得已的情况下再考虑lumped port( F; W/ J! W' L9 F

+ W! W2 k' _8 T2 @1 Z% V' J; e/ @$ |  n* d
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7#
 楼主| 发表于 2012-5-31 15:14 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-31 14:55
; b! ?# I" \/ V) D9 H不行就算了,我把模型有的地方修改了下,你先自己再跑着看看,建议以后可以用wave port的话尽量用wave po ...
. I$ m& s% [! A# I$ U  k' Y
谢谢版主,这样仿出来的结果感觉可信度高了很多。主要是我PORT的设置问题吧,. {* |. j7 X$ T3 S. y
那楼主能不能仿一个加wave port 的,让我做个参考,我用这两种端口仿出来的感觉都不太对,万分感谢。

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8#
发表于 2012-5-31 20:33 | 只看该作者
peijing 发表于 2012-5-31 15:14
9 p( R/ z# z& ~/ E" s谢谢版主,这样仿出来的结果感觉可信度高了很多。主要是我PORT的设置问题吧,( A1 E: D0 R+ T9 }+ @% K8 s
那楼主能不能仿一个加wave ...
; i+ q$ w" v. z% g4 b7 \' S/ V( E
我把长度改为100mil,然后再用waveport的去嵌变为500mil,这样更准些,附件你试试! I" ^2 b- d% G; R9 k# ~% c
8 n$ r4 t( G  m2 D$ }) F' a9 |9 G
3 `4 S& r7 O- [2 O
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 楼主| 发表于 2012-6-1 16:37 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-31 20:33 : m  S! v1 C; ~, `0 U
我把长度改为100mil,然后再用waveport的去嵌变为500mil,这样更准些,附件你试试
- a* P8 d% l  X, h$ N8 S1 b
谢谢版主,按照你修改好的模型仿真结果确实变得准确了。
6 t% o4 j1 D1 }& n突然觉得仿真存在好多不确定性啊,看来多个软件同时使用更保险些。
# j$ h- P) u' e6 p& D9 Q我还有一个问题:当一个模型确定后是不是它的反射系数就确定了,比如说如果我端口加的100欧姆,模型的阻抗是100欧姆;如果端口变成90欧姆,那么模型的阻抗就变成90欧姆了?+ ~6 T7 [) B% I" I, {$ R8 n+ C
我仿真出来的结果显示的是这样的,所以我是不是可以认为,模型的反射系数是个固定值。# O; u& _  T7 i2 N4 x9 R- ^
可是模型本身的阻抗不也应该是个定值吗?

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10#
发表于 2012-6-1 16:54 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-6-1 16:57 编辑
( c2 V/ f$ k: o* _6 V$ d( l8 `8 k
peijing 发表于 2012-6-1 16:37 7 I- ?4 ?4 r5 t6 D3 x# c" g
谢谢版主,按照你修改好的模型仿真结果确实变得准确了。
4 I1 }, R9 c3 h. ^突然觉得仿真存在好多不确定性啊,看来多个软件 ...

/ L& C8 b/ N4 z5 P# v4 d' ~+ V& i9 G$ \3 m  Z# C  n
不是说仿真有不确定性,只是说你要对软件的一些背景知识做深入的了解才能保证不会出错,软件只是个工具,你输入什么,就会得到什么,输入为正确的,结果就是正确的,输入为错误的,得出的结果当然是错误的,3D全波电磁场这块确实对于新手来说有点门槛的,容易出错,慢慢练练就好了。
- Z) n& N5 O$ @6 V0 F% ]% ?8 ?; j- E; \  E5 E9 ~
第二段没看清楚什么意思,端口阻抗和模型的实际阻抗是两码事情,模型的实际阻抗当然不会随着端口阻抗的变化而变化的,端口阻抗变了,反射系数当然会发生改变,最直观的就是S参数会发生变化,但是TDR跑出来的结果应该是不会变的

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11#
 楼主| 发表于 2012-6-1 17:08 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-6-1 16:54
9 _- ?8 o- S/ m; {2 T6 }不是说仿真有不确定性,只是说你要对软件的一些背景知识做深入的了解才能保证不会出错,软件只是个工具 ...

5 c: w5 K+ `5 ^, Z/ P2 c# C我在看过孔的TDR时,当把差分阻抗设置成100欧时,过孔的阻抗是100欧,把差分阻抗设置成90欧时,过孔的阻抗是90欧,S11是有变化的,我有点懵了。7 G+ f( G. R4 X$ d. {6 j

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12#
 楼主| 发表于 2012-6-1 17:13 | 只看该作者
我知道了,是我弄错了。
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-4-7 15:32
  • 签到天数: 27 天

    [LV.4]偶尔看看III

    13#
    发表于 2012-6-6 19:44 | 只看该作者
    peijing 发表于 2012-6-1 17:13 * g& H, H' ]% p1 U
    我知道了,是我弄错了。

    : S' T6 ~* K2 c你好!可以吧过孔的工程文件传上来我看看嘛??谢谢!

    该用户从未签到

    14#
     楼主| 发表于 2012-6-7 15:07 | 只看该作者
    gavinhuang 发表于 2012-6-6 19:44 + t: o( M6 l. S) i2 y  P1 t
    你好!可以吧过孔的工程文件传上来我看看嘛??谢谢!

    - v- B' Z/ t, z8 e不好意思啊 我前面也说了 我这往外传文件 很费劲 需要跟领导打招呼 往后让网管给传 你可以下载一个专门生成过孔的软件 论坛应该就有 叫viawizard
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-4-7 15:32
  • 签到天数: 27 天

    [LV.4]偶尔看看III

    15#
    发表于 2012-6-7 15:24 来自手机 | 只看该作者
    peijing 发表于 2012-6-1 17:13
    ) C# ^  n  K7 j" T' a我知道了,是我弄错了。

    - d# \! B& T3 R1 w8 i  N7 n, q你怎么错了?你怎么看的你的via的阻抗
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