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yuxuan51 发表于 2012-5-30 19:337 E1 W* d( ? F8 `
这个真是个老生常谈的问题# S. I! E1 s9 n) \" Z
" G: z# b: j8 j, X" T, G( P
1.首先建议去看看HFSS的help文档,了解下TDR仿真这一块到底是如何计算出特性 ... 7 ^/ U0 ^+ `/ i$ F( O- D
您好,最近新学习TDR发现一个问题想请教一下。) N% A: K) t# j. V6 c6 O `9 k
按照si9000的模型仿真一小段100欧姆内层差分线,, x+ K, r, n: Y) N6 a
第一次用HFSS默认求解设置,S参数收敛值0.02,最大迭代次数6,仿真结果用TDR看最低点只有93欧姆左右。
" v( l" v6 f9 E: p; T1 S0 f第二次提高最大迭代次数至20,阻抗最低点向100欧姆靠拢,但还有两三欧姆偏差。继续提高最大迭代次数,结果基本没变化。, C9 [0 |5 q- F
第三次在第二次基础上将S参数收敛值设置为0.001,TDR结果基本就在100附近,与si9000结果基本一致,波动很小。0 I H) D" r+ g* o1 }9 `- D% j
后面2次结果的S11都很好,到-30dB以下了,S21也很接近,但TDR的结果却有区别(因为没有出现阻抗突变,所以预想都应该波动很小),请问这种时候仿真求解的设置应该按第二次还是第三次呢?第三次的设置仿真时长太长,而第二次的设置看TDR还有波动,是不是差两三欧姆可以视为不同软件的算法差异而不用管?& e/ c5 `2 D) @" r, x
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另外,如果仿真的模型有阻抗突变,或者传输线阻抗与端口阻抗不匹配的话,用第二次设置的结果看TDR阻抗就和si9000很接近了(本帖您修改后的模型即如此),难道是端口阻抗和传输线特性阻抗匹配程度太高了,就要把仿真精度提高才能看准吗。% q: J$ }0 F3 g5 b; V4 a9 o- v
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请帮忙解惑,感谢!
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