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国产MOS管FHL170N1F4A详细参数以及应用领域

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发表于 2023-8-1 14:49 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2023-8-2 10:52 编辑 # w6 ~* X2 i. T8 p
- A' ]/ g& }$ x, |  [; m" H9 ]% n
飞虹半导体发布的FHL170N1F4A型号参数的MOS管是非常适合应用于电动自行车、电动摩托车、电动观光车、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景。
  |* v5 H8 u# W: U8 n0 e0 T4 F* L8 H( N( H  c* _7 {7 C/ E
FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形,其封装产品具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点。所以FHL170N1F4A型号参数的MOS管是可以替代FDBL86066场效应管型号参数应用在工业级的场景。
" q' `% W# C: |5 U1 J! s5 q$ v) {9 w& }$ i/ N  C' x0 h, N$ V( C" i
# Q  W! y- E- }/ G& _" _
目前FHL170N1F4A型号所具备的100V电压、172A电流也是让其更符合工业用。最重要的是飞虹半导体生产制造的MOS管产品都是经过一系列可靠性研究才最终反馈到市场进行应用的。
, I4 Y- F# c' _. f* q
0 z- {3 q, H# o) b" H7 j' E目前飞虹半导体的FHL170N1F4A型号场效应管产品特点与参数为:
0 u3 s: K6 B$ a& l$ |) i" Z) c/ w, q& `) {( g! ?
1、低导通内阻:支持更小的阻抗和更大的峰值电流。  F" t6 Y* Z6 m" @5 h8 ]
2、100% EAS测试7 H' M# B1 f8 T4 b. z7 ?( s8 F7 h
3、100% DVDS热阻测试(更低的热阻,带来优异的温升表现)
; T8 z7 {( p- W" A7 D& }9 @4、100% Rg测试
, h" z0 p4 p" t9 Y3 g& D, [5、工业级的可靠性能:封装电感小,带来出色的EMI特性和可靠性。
" s$ e/ C) p3 ^6 t
. Z8 {0 I  Q4 W. I" `% W& p( X6 j

. ^+ Z7 N% c) s& Y, S. J8 L" C其中FHL170N1F4A型号场效应管的详细参数为:  o4 E0 a" Y# J7 ?7 W* G3 i
ID:172A、VDSS: 100V、 RDS(on) = 4.0mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) =3.2mΩ(TYP) @VGS = 10 V。2 }- R  K& h" w- m
# R  q- ~/ f3 l4 P/ i$ ]
FHL170N1F4A是一款N沟道增强型场效应晶体管,使用SGT工艺,让其更符合工业级使用。
) ^9 t6 K- r, K. G" G' S7 r( ~
2 b/ W7 [+ y5 }, @正如上述所说其封装产品具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点,因此更适合用于电机驱动、电池管理系统、电动车控制器等工业领域。
6 W* O& u7 m4 l7 X' }: z9 |
# A" O1 Y4 t5 o

* q+ e3 J# b9 _# G7 ^; k4 X以下为飞虹半导体FHL170N1F4A型号MOS管产品可应用具体领域为:1 p0 ~* N5 V; I' ^

; N& K& T! x" X; F/ h; m/ q1、BMS:电池管理系统+ i- C6 }' U! r! f  I0 h3 h2 i

& }- K1 {! A% L* a9 R0 J7 W
5 Z, u& U- U, g( ]+ X! J! {. B
2、高频开关电源
5 U( g. _+ L. d& |# u0 M常见会有:PD电源、通讯电源、同步整流等方面。( E1 u1 v. s9 k, ^% [

  B* b; \8 `$ L$ N9 s
0 W8 K4 y# S* j, c: h" Z
3、电机控制
- S) k4 M5 b3 y9 C  p常见会有:电动自行车、电动摩托车、电动三轮车、电动四轮观光车、电动叉车等电动车控制器产品里面。3 [# E0 G( R7 @9 G+ r

  y$ o4 H' [4 ~. }3 \/ z' H, ~飞虹半导体的FHL170N1F4A型号场效应管是国产优质的MOS管产品,其应用领域涉及电动自行车、电动摩托车、电动观光车、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景!飞虹半导体20年来专注为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可) `0 I  c/ d4 O3 c

/ G" n1 L6 {  c" B, {
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