4n65高压mos管参数

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型号：SVF4N65F/M/MJ/D

电性参数：4A 650V

反向恢复时间(Trr)：450ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=2.3Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-2L

7N65场效应管参数

型号：SVF7N65T/F/S

电性参数：7A 650V

恢复时间(Trr)：499ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=1.1Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-263-2L、T0263-2L、T0-220-3L

场效应管10N65高压mos管参数

型号：SVF10N65T/F/K/S

电性参数：10A 650V

恢复时间(Trr)：561ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=0.8Ω@VGS=10V

封装：T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-262-3L、T0263-2L、T0-263-2L

高压mos管12n65参数

型号：SVF12N65F/K/S

电性参数：12A 650V

恢复时间(Trr)：562ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=0.64Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-262-3L、T0-263-2L、T0-263-2L

4N65/7N65/10N65/12N65/18N65等高压MOS管系列，大幅减少了应用中的导通损耗的，同时助力高功率密度的电源设计，拥有多种封装形式，能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。>>

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相应方案的应用及元器件供应事宜，请联系 深圳市光华创新科技有限公司 销售部 杨小姐   WeChat:19168538202（手机同号）    TEL：0755-8271-1345 QQ：2355284756          E-mail: cs01kwanghua1@kwanghua.cn

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杨小姐  
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