|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
MOS的参数选择以及导通速度的计算
) n0 `2 ~6 ?* s( s7 T( J8 v/ p6 E: y9 |# c9 R5 G/ w
根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
+ l6 F7 W* ~+ `, y6 t( i6 b& x3 R% u- j4 {$ _. O( J/ m
有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段，用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生，13691842170（加微信备注好不要打电话，谢谢）+ u# a! R2 x5 X/ M
' M3 v) r4 `) a$ Z( V& I/ H
3 G: x# V* s( {4 y4 N选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求同时提高效率，降低温升% i* S& d1 D: F. w8 S
2 `+ r. s+ M% d4 j$ \+ K- `
3 H: K+ ]4 k; e4 g8 L6 M7 O, P+ M* Y9 ?0 Y2 S3 {8 d
, h; ^4 x i$ d8 w
|
|
/1 
发表于 2023-6-3 09:30
收藏
淘帖
支持！
反对！
