|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
MOS的参数选择以及导通速度的计算
. z1 ]. u- N. j% e2 N
3 U7 j9 _8 T: }5 [+ K根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
- z) j3 R8 ~0 ~' z) H7 H/ X3 Q* Z$ e1 J: \0 G+ _! T- ?
有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段，用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生，13691842170（加微信备注好不要打电话，谢谢）' e, [) { }- _. |' @) b# i
, D# u$ @% M, \/ A( b
- i) v0 v2 C7 N0 a$ o1 B选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求同时提高效率，降低温升' ?) a0 B2 F8 N- U- X9 w( q
3 Y% b0 m, A# j9 ]0 T2 o0 I
2 ]1 [& ?4 i Z! v+ I' m* }
, L; P0 a2 R- [. ?3 {* A
1 `5 U1 ?3 j' v( W2 h, Q |
|
/1 
发表于 2023-6-3 09:30
收藏
淘帖
支持！
反对！
