MOS的参数选择以及导通速度的计算

QWE4562009

MOS的参数选择以及导通速度的计算
6 z& C' j5 }2 E; Q7 C! w
* Q# z7 v5 }; D. F2 }9 B根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？

# P+ [3 a4 f  L! U: R# a  |. f- s有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段，用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生，13691842170（加微信备注好不要打电话，谢谢）

7 L" e0 k8 R5 Y# K' X9 N6 _3 R
( E8 j1 k; M$ d  K& v) A( l9 j9 R选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求同时提高效率，降低温升
7 I- e. N7 {5 r. n. r/ u; v


# l0 D9 X3 g) r. ~3 O" i+ C

ronny20sky

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) m2 C5 W( }5 o4 r# n: A

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有EMC的具体要求吗