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本帖最后由 Heaven_1 于 2023-4-7 16:14 编辑 0 r: J- N. ^( w, ?5 L& F2 ~
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对于H6桥拓扑的单相光伏逆变器是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢?" j( _& f0 u. G; R& z( V
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对于这个问题其实市场上在应用中已经有比较好的答案,目前在H6桥拓扑的单相光伏逆变器中经常会用到FGH60N60SMD的IGBT单管。- l- v; @$ t0 p2 m; x& o
f; A0 ?7 Q) I6 h+ n4 H但由于目前IGBT市场的变化以及产品产能的稳定性问题,对于厂家都在考虑如何选择能代换FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管来应用呢?在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗?
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以上问题对于任何一家基于H6桥的单相光伏逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于基于H6桥的单相光伏逆变器,要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。2 E, P/ [; A: T: V, o
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: u* [) A' a" h对于基于H6桥的单相光伏逆变器,我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。
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为什么?因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性,Trench Field Stop technology(拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低)、拥有正温度系数。
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在特点中可知,这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在基于H6桥的单相光伏逆变器的电路上。; `% P6 I% C4 T# c4 ^
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目前在应用中,我们基于H6桥的单相光伏逆变器研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数:其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。5 ^, f2 C) j. w( R- G2 S
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FHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺,来获得极低的 VCEsat 饱和压降,并在导通损耗和关断损耗(Eoff)之间能做出来良好的权衡。, @$ [4 a; c! e4 `, w; n
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目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于基于H6桥的单相光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号:FGH60N60SMD。
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( ]& @7 S+ \; @0 _4 T' ZFHA60T65A的封装形式是TO-247,其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。
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因此对于选取单相光伏逆变器所需功率开关管(IGBT 或MOSFET) ,由于高频开关管的开关频率为20KHZ。所以为减少损耗、提高整机效率,应选取EON/EOFF较小的开关管,同时驱动电路也应相应优化,减少开关损耗。
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