基于H6桥的单相光伏逆变器该选择哪款IGBT

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对于H6桥拓扑的单相光伏逆变器是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？
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对于这个问题其实市场上在应用中已经有比较好的答案，目前在H6桥拓扑的单相光伏逆变器中经常会用到FGH60N60SMD的IGBT单管。

但由于目前IGBT市场的变化以及产品产能的稳定性问题，对于厂家都在考虑如何选择能代换FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管来应用呢？在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？
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# a3 B# V" R" X以上问题对于任何一家基于H6桥的单相光伏逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于基于H6桥的单相光伏逆变器，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。

( }  X+ w- ^0 ?2 ?, `4 J* @4 J. y2 Z对于基于H6桥的单相光伏逆变器，我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。
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- _6 y3 |* o5 P4 }- W为什么？因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性，Trench Field Stop  technology（拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低）、拥有正温度系数。

在特点中可知，这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在基于H6桥的单相光伏逆变器的电路上。

9 c6 n; Z. G; g3 o目前在应用中，我们基于H6桥的单相光伏逆变器研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。

2 G9 f+ ]4 \3 u- i. ^3 GFHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。
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" w. S: A. g, L/ B目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于基于H6桥的单相光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：FGH60N60SMD。
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4 n  F( Y3 A  E6 X$ BFHA60T65A的封装形式是TO-247，其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。

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因此对于选取单相光伏逆变器所需功率开关管(IGBT 或MOSFET) ，由于高频开关管的开关频率为20KHZ。所以为减少损耗、提高整机效率，应选取EON/EOFF较小的开关管，同时驱动电路也应相应优化，减少开关损耗。
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IGBT在逆变器中可是核心器件，国产的IGBT现在也越来越厉害了