|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
本帖最后由 Heaven_1 于 2023-4-7 16:14 编辑
- ]& w* ]( D% I2 o' S& ]1 c" h% a* d+ H; t, }
对于H6桥拓扑的单相光伏逆变器是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？1 ^5 \* D& k Y+ ~' J' h
" f- H4 @9 f) H2 U" K+ Y, a& Q/ B8 u
对于这个问题其实市场上在应用中已经有比较好的答案，目前在H6桥拓扑的单相光伏逆变器中经常会用到FGH60N60SMD的IGBT单管。5 @: g' d; Z) H% G! M% X. O
. n0 t) [5 p. I6 k# ]
但由于目前IGBT市场的变化以及产品产能的稳定性问题，对于厂家都在考虑如何选择能代换FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管来应用呢？在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？
- d. A- N- [ `/ U: P: |
x+ s& B c. ?- l6 W" g' v2 C- `2 W" j. a以上问题对于任何一家基于H6桥的单相光伏逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于基于H6桥的单相光伏逆变器，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。3 V: y2 s0 L \5 J6 j
6 q7 I" J6 F4 x( i3 u
8 t6 O" U7 {+ W- c6 ?* D% V9 C, G8 M对于基于H6桥的单相光伏逆变器，我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。
+ \4 x- }+ n! F/ @$ }5 e! ]
& V }& U ?8 z% R8 N为什么？因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性，Trench Field Stop technology（拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低）、拥有正温度系数。
/ O6 w3 i8 g: r9 N5 j0 m; ^
9 \' y2 e% y# U在特点中可知，这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在基于H6桥的单相光伏逆变器的电路上。
2 K' T7 i. y- k
- C2 r* d4 V& k3 l7 K6 X/ e* R# l: e0 G* u7 l
目前在应用中，我们基于H6桥的单相光伏逆变器研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。
/ |2 @* I2 x3 W' O& G4 E0 L( v
! g) O" t3 N, VFHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。5 u; d# u% E6 f' O- J) y$ \: }0 K
9 D/ h; s% q: X* f
目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于基于H6桥的单相光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：FGH60N60SMD。! U! ^9 n. U' C/ b9 A$ b
7 c$ q& j# v, E6 X
FHA60T65A的封装形式是TO-247，其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。
0 R8 R2 n! K0 f9 L- T2 G/ e1 D7 S8 H0 Z' z: e* N
g$ g4 j- t, S* k9 D因此对于选取单相光伏逆变器所需功率开关管(IGBT 或MOSFET) ，由于高频开关管的开关频率为20KHZ。所以为减少损耗、提高整机效率，应选取EON/EOFF较小的开关管，同时驱动电路也应相应优化，减少开关损耗。
; H: P2 ~# D* f& ]/ w* X5 g: P* y* j$ P7 @
0 S+ v, V% H# V" ~ B
% t* @, P' p1 `2 V& l
8 X- N& L4 P# P/ S' R2 I
|
|
/1 
发表于 2023-4-7 15:28
收藏
淘帖
支持！
反对！