|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 Heaven_1 于 2023-4-7 14:47 编辑
9 w8 y4 W% f) A/ C
- `: `: X7 l9 C6 m这几年来伴随可再生能源以及分布式发电技术的发展,在光伏发电系统中Heric逆变器的应用也越来越广泛。如何在竞争发展中保持产品的质量,需要选择好的IGBT来代换FGH60N60SMD应用于Heric逆变器中。
* o5 y. y" r* S' l5 z0 A* L; @
3 J% M4 b* H! n, l/ U: D为何需要选择一款igbt来替换FGH60N60SMD型号参数呢?) }/ z) \9 |2 F! ^) T4 ^+ a, _
5 P, S) G& }- f2 H因为后极逆变电路是Heric逆变器中一种非常重要的电路结构,能够提高电力系统的效率、稳定性和可靠性。4 T0 q* _: T7 z) ?" |
' d, C8 `/ q$ p- e v6 m7 ^* N8 p+ h, x2 V" a) f
如何在国产化电子元器件的时代,寻找优质的IGBT型来代换FGH60N60SMD产品的型号参数来提升产品在市场的竞争力?, ?) J, X' S2 ]/ J! o0 V
$ |( Y: e7 ^% b今天飞虹半导体优先针对的光伏Heric逆变器产品进行分享,如果有其他需求的,可直接咨询飞虹半导体的官方网站mosgcj.com。其实对于Heric逆变器的,我们推荐使用FHA60T65A应用于Heric逆变器电路中。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD型号的产品型号参数。. r2 X4 _! q O2 J+ l @* A
9 B" W4 g( s$ X+ ~为什么?因为FHA60T65A拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性,Trench Field Stop technology(拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降)并且拥有正温度系数。3 a2 U- [" t& Q+ Y+ e
; ?+ t/ W& F6 i, t$ j1 z结合以上特点可知,这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在光伏Heric逆变器的电路上。" D& g3 s3 G7 ^9 F3 |! m/ V' q
$ `9 a, M* F/ ^/ P) a. J1 V% Q' C5 I% g. I3 I; t& Y1 B+ W
值得注意的是,光伏研发工程师一定要了解这款优质FHA60T65A国产IGBT单管的情况:它是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺,来获得极低的 VCEsat 饱和压降,并在导通损耗和关断损耗(Eoff)之间能做出来良好的权衡。: _6 o/ @; f; k3 E3 T9 U2 e
& Y; v- w1 O. c) N& ~5 p( V. Z$ B
目前FHA60T65A详细参数:其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。7 Q; N2 v8 a$ D
& Z" c" [& ?+ q( }9 G) [
在产品应用上,飞虹半导体建议工程师一定要注意对产品进行试样。飞虹都会安排专业的产品工程师跟进追踪产品的应用情况。
4 ]1 z2 U: T5 d, v6 _- w; Z
6 ]6 K7 Z' l# M1 o2 r& S# s+ o' G& C* }& W2 _6 t7 @( Q
在后极逆变电路的电路应用中,我们想提升产品效率、稳定性和可靠性时,除选用FGH60N60SMD型号外,还可以用飞虹半导体的国产型号:FHA60T65A型号参数来代换。
5 t/ P9 ~/ K% ~
* o7 z3 |. I) G: e' w" v: S
7 ?5 R7 ]. f& b1 P0 _! v; {# `, q ]( O4 K. X/ d1 y) A
|
|