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光伏Heric逆变器的IGBT解决方案:国产型号FHA60T65A

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发表于 2023-4-7 14:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2023-4-7 14:47 编辑 - `3 v, H4 |+ @

. k5 ]8 [+ w  q这几年来伴随可再生能源以及分布式发电技术的发展,在光伏发电系统中Heric逆变器的应用也越来越广泛。如何在竞争发展中保持产品的质量,需要选择好的IGBT来代换FGH60N60SMD应用于Heric逆变器中。
7 w, T; q% k7 F
7 U8 _' B6 a0 d为何需要选择一款igbt来替换FGH60N60SMD型号参数呢?
5 x8 d; a' P% [2 q: ]' @. T, z" u8 q& [- }9 f7 N
因为后极逆变电路是Heric逆变器中一种非常重要的电路结构,能够提高电力系统的效率、稳定性和可靠性。
+ p/ q% x+ b/ J. J8 _7 P: b! V
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9 t( p3 @9 n- @
如何在国产化电子元器件的时代,寻找优质的IGBT型来代换FGH60N60SMD产品的型号参数来提升产品在市场的竞争力?, g0 D2 j; V+ H2 Q

; V# A5 ^8 G# M& k今天飞虹半导体优先针对的光伏Heric逆变器产品进行分享,如果有其他需求的,可直接咨询飞虹半导体的官方网站mosgcj.com。其实对于Heric逆变器的,我们推荐使用FHA60T65A应用于Heric逆变器电路中。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD型号的产品型号参数。
3 P) ?7 {3 g( g' e4 s; z+ H2 _
' W" Y! W4 X; h% v1 g6 k+ y为什么?因为FHA60T65A拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性,Trench Field Stop  technology(拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降)并且拥有正温度系数。" F: {. N& J' J
; ~# I# f9 j7 Z3 \3 N
结合以上特点可知,这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在光伏Heric逆变器的电路上。+ Z& \. A3 K8 B* O

& I( o; K: C" y- ?& ]

& X- C  x% L$ |* D# [值得注意的是,光伏研发工程师一定要了解这款优质FHA60T65A国产IGBT单管的情况:它是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺,来获得极低的 VCEsat 饱和压降,并在导通损耗和关断损耗(Eoff)之间能做出来良好的权衡。$ k( p6 h$ U+ Q" M4 `
$ B" e$ T6 v/ d
目前FHA60T65A详细参数:其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。0 o% ?9 i  X3 B9 V* D# v: X# X7 z

! A2 ~& k# `. q/ Y0 }/ z( `+ T在产品应用上,飞虹半导体建议工程师一定要注意对产品进行试样。飞虹都会安排专业的产品工程师跟进追踪产品的应用情况。2 T" T; ?) u5 g/ r$ L" K& V

6 i/ N5 }9 x- G' e  Q) L

  V6 N5 I8 W0 R5 y! j2 R# E在后极逆变电路的电路应用中,我们想提升产品效率、稳定性和可靠性时,除选用FGH60N60SMD型号外,还可以用飞虹半导体的国产型号:FHA60T65A型号参数来代换。
/ n# o2 t' \# K/ b, C3 {# A! N8 r, N# Y( @0 R/ C8 E
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发表于 2023-4-7 14:50 | 只看该作者
逆变器中IGBT是核心器件
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