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1PN结及其单向导电性, }% d6 o3 j. X0 H& N
(1)要点:$ N" W. k7 I9 g2 c0 @4 Y6 l
- 半导体知识:载流子、杂质半导体(P型半导体、N型半导体)
- PN结:P型、N型半导体交界形成的空间电荷区,是构成半导体器件的核心单元。
- PN结的单向导电性:
# I" q2 R: s/ R5 o F4 u正向导通:PN结外加正偏压(P“+”,N“-”),呈低阻状态,正向电流较大,端电压约为零点几伏;
( T/ C# A0 @1 i, k% i. V3 f反向截止:PN结外加反偏压(P“-”,N“+”),呈高阻状态,反向电流较小,且与温度有关。
# A, Q. A0 L. P8 _
T, ]. ]) A( x2 d# G; }- f s) P/ b3 O
# e) u6 {9 t2 u% g' E* ]4 M0 z2半导体二极管0 y" W+ ^' ^+ a/ A" r# N! ~
# S* d- D# j' @. d6 p' w2 G(1)要点:
6 y! z/ z3 v$ \& c* Q<ul class="list-paddingleft-2" style="">结构:PN结+外壳+引线9 a5 f# }% p/ e2 F2 s1 L3 F. X2 E( r
1 m! `4 T8 M. _) L9 e特点:单向导电性
7 T& `2 Y' z) q5 D) f2 P伏安特性:
- M" Z2 K. r0 I0 z2 N5 ]" W
' K) i* u( R% x/ u* e* a7 S2 d2 `' i9 u) Q% b2 r
特性曲线:% c1 B( [" X0 e
输入特性:uCE为常数时,输入电流iB和发射结电压uBE的关系:iB =f(uBE)。/ }8 L9 U- z* r
输出特性:iB为常数时,三极管管压降uCE和集电极电流iCE的关系:iC =f(uCE),分三个区:放大区,截止区和饱和区。 W6 J, z. T% O5 s8 l
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