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一、瓷介电容器(CC)
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0 P& A; f/ [2 K3 J* q% w1.结构
! v, E2 a" |2 V) f* f. |( N M$ C用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG));2 类电介质(X7R、2X1)和 3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。
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2.特点
' A0 c ^ D/ K! d' e1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。, g6 | u3 a1 |0 r
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2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大(最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。* f ?* ?( W7 a" M8 c8 ~3 k3 m3 L- K0 O: w c! O5 }5 N* _
+ v1 R/ K8 p, E+ h0 \- d2 Y$ V; T3.用途
; h' a8 k- f$ U; O3 C, x1类电容主要应用于高频电路中。2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。, {1 h9 I+ s. k; L! x
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二、涤纶电容器(CL)
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* b% g4 J# f$ T" F* L1.结构涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。: y+ n# _+ M3 N4 R2 ?7 ]' s3 X$ @; a9 D5 r
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2.优点耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。4 _) a& S/ J, K* c7 \: c4 M2 b, c% Z( w0 H5 K) s8 ^$ |# |
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3.用途一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。0 M$ s6 { F' i, a
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$ R& f1 ^2 t* \0 v- p2 {三、聚苯乙烯电容器(CB); u; C. w7 `8 r" u( D5 [- \- P
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1.结构有箔式和金属化式两种类型。' G' M5 ]' P# J @) G! s5 y/ t' J& z7 l8 T4 f- |" ]
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2.优点箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精度高,但体积大,耐热性较差;金属化式防潮性和稳定性较箔式好,且击穿后能自愈,但绝缘电阻偏低,高频特性差。
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1 j8 r5 I/ r& e" L: Y/ ]; N+ F3.用途一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、 CB40 (密封型金属化)等系列。0 F* i; M' E% R6 r8 k
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