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磁珠和电感的区别

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1#
发表于 2012-3-19 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。
( Q1 G& k9 W+ q8 [9 j, Q( b电感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电
) h' _9 K0 O6 q; g6 i' {感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。磁珠是用来吸收超高频信号. g' M' E& x* Z: [2 i
,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入- R; j  R/ [  p+ C& y9 s, X" t) l
部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过
" |: t% p1 n7 P' I5 R错 50MHz。地的连接一般用电感,电源的连接也用电感,而对信号线则采用磁珠。
  _- A" C/ B8 X: m$ F4 t但实际上磁珠应该也能达到吸收高频干扰的目的啊?而且电感在高频谐振以后都不能再起电感的作用了
+ i) _  {' ]8 `" {8 B0 t,先必需明白EMI的两个途径,即:辐射和传导,不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠,后者用电: V  O' V/ B/ \. A) _
感。对于扳子的 IO部分,是不是基于EMC的目的可以用电感将IO部分和扳子的地进行隔离,比如将USB的
/ f) v3 e+ |7 O0 I& `地和扳子的地用10uH的电感隔离可以防止插拔的噪声干扰地平面?电感一般用于电路的匹配和信号质量$ ~. M- q$ s* E% @& h7 u
的控制上。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。数字地和模拟地
6 M4 D/ m5 [2 [; G* M: F之间的磁珠用多大,磁珠的大小(确切的说应该是磁珠的特性曲线),取决于你需要磁珠吸收的干扰波的频率,
+ l* W1 F; Z% K/ X% S为什么磁珠的单位和电阻是一样的呢??都是欧姆!!磁珠就是阻高频嘛,对直流电阻低,对高频电阻高
0 N9 Z* _% ^+ R# u- s6 W$ J3 C5 U2 ?5 v,不就好理解了吗, 比如就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻,因为磁珠的单位是按照它在某一0 X! t6 A' R" t" i1 `
频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的datasheet上一般会附有频率和阻抗的特性曲线. d9 k: k$ l& @2 K- c
图。一般以100MHz为标准,比如2012B601,就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。
3 Z& j8 }% E* o铁氧体材料是铁镁合金或铁镍合金,这种材料具有很高的导磁率,他可以是电感的线圈绕组之间在高频3 t6 l- n; @: Q  Z6 k
高阻的情况下产生的电容最小。铁氧体材料通常在高频情况下应用,因为在低频时他们主要程电感特性,9 t* I! y3 j  [' w, E6 H9 p) x1 U
使得线上的损耗很小。在高频情况下,他们主要呈电抗特性比并且随频率改变。实际应用中,铁氧体材料
" T8 w2 A) ]* }6 c, F是作为射频电路的高频衰减器使用的。实际上,铁氧体较好的等效于电阻以及电感的并联,低频下电阻被# N% f1 p4 @' v( \
电感短路,高频下电感阻抗变得相当高,以至于电流全部通过电阻。铁氧体是一个消耗装置,高频能量在
2 `9 i5 F- E0 r上面转化为热能,这是由他的电阻特性决定的。
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7 X; e& N. s8 y- t2 M1 G% A" L

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2#
发表于 2012-3-21 17:40 | 只看该作者
很好的文章,顶一下

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3#
发表于 2012-12-27 15:26 | 只看该作者
:victory::victory::victory:

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4#
发表于 2012-12-27 16:31 | 只看该作者
多谢分享。。。

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5#
发表于 2013-1-27 10:35 | 只看该作者
拜读了!

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6#
发表于 2013-1-30 19:47 | 只看该作者
好文。
/ Y" w1 F5 L. q+ R% N+ \% w- W另一区别,一般磁珠是半圈线圈,电感更低。
5 a) I+ P; N5 h  m# D

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7#
发表于 2013-3-21 20:06 | 只看该作者
学习了; l# m5 u7 a! V. i) X" w3 i

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8#
发表于 2013-8-1 17:15 | 只看该作者
看得有些眼花。。。得慢慢梳理

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9#
发表于 2020-4-22 00:10 | 只看该作者
来学习了

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