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磁珠和电感的区别

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1#
发表于 2012-3-19 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。4 x2 f$ K( F( d% d; U1 m
电感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电
; j0 s* Z8 W$ z3 `9 Y感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。磁珠是用来吸收超高频信号% |/ C7 a% ~9 a, ]+ ~! o* c* G
,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入
3 h: \2 f& Y" S+ n7 j部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过
9 g8 g  a+ t2 p6 ~错 50MHz。地的连接一般用电感,电源的连接也用电感,而对信号线则采用磁珠。1 W0 t2 K' f1 d* F- J  h
但实际上磁珠应该也能达到吸收高频干扰的目的啊?而且电感在高频谐振以后都不能再起电感的作用了
  n/ K$ k5 H7 c1 W! u6 w; g9 `,先必需明白EMI的两个途径,即:辐射和传导,不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠,后者用电
  A6 }# [8 X4 \; c感。对于扳子的 IO部分,是不是基于EMC的目的可以用电感将IO部分和扳子的地进行隔离,比如将USB的) M" T4 `, k' [9 I
地和扳子的地用10uH的电感隔离可以防止插拔的噪声干扰地平面?电感一般用于电路的匹配和信号质量2 S& V3 M3 h8 `: M4 g; R' q
的控制上。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。数字地和模拟地
) b% S. e0 v! v" ^5 z9 d之间的磁珠用多大,磁珠的大小(确切的说应该是磁珠的特性曲线),取决于你需要磁珠吸收的干扰波的频率,- |) A( E; _* e! I3 N( K
为什么磁珠的单位和电阻是一样的呢??都是欧姆!!磁珠就是阻高频嘛,对直流电阻低,对高频电阻高
0 o% Z; T; \- p9 k,不就好理解了吗, 比如就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻,因为磁珠的单位是按照它在某一9 u. ~$ j0 y  T' q$ b4 Z9 r# B
频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的datasheet上一般会附有频率和阻抗的特性曲线& a. p8 i* u3 }- I9 [- n
图。一般以100MHz为标准,比如2012B601,就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。
/ J: u$ y! ]2 t: T/ h- W' Q铁氧体材料是铁镁合金或铁镍合金,这种材料具有很高的导磁率,他可以是电感的线圈绕组之间在高频+ h! S$ [0 V) `8 ]+ {7 d6 F
高阻的情况下产生的电容最小。铁氧体材料通常在高频情况下应用,因为在低频时他们主要程电感特性,
# R1 O# g8 C# C使得线上的损耗很小。在高频情况下,他们主要呈电抗特性比并且随频率改变。实际应用中,铁氧体材料
6 ?1 i) k9 y9 M, c# |0 o! A) y是作为射频电路的高频衰减器使用的。实际上,铁氧体较好的等效于电阻以及电感的并联,低频下电阻被
  w8 z, Q0 v* R* Q+ `% C电感短路,高频下电感阻抗变得相当高,以至于电流全部通过电阻。铁氧体是一个消耗装置,高频能量在. y, B' W8 m# e0 i9 d$ I4 \4 [
上面转化为热能,这是由他的电阻特性决定的。
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" Z; m+ X* s6 d; D. B! \

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2#
发表于 2012-3-21 17:40 | 只看该作者
很好的文章,顶一下

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3#
发表于 2012-12-27 15:26 | 只看该作者
:victory::victory::victory:

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4#
发表于 2012-12-27 16:31 | 只看该作者
多谢分享。。。

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5#
发表于 2013-1-27 10:35 | 只看该作者
拜读了!

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6#
发表于 2013-1-30 19:47 | 只看该作者
好文。% Y6 H6 l+ X% Z6 @
另一区别,一般磁珠是半圈线圈,电感更低。
' s, v( K. O* C: ?4 K8 E- F! ~

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7#
发表于 2013-3-21 20:06 | 只看该作者
学习了
+ n/ O% _8 d$ f+ N

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8#
发表于 2013-8-1 17:15 | 只看该作者
看得有些眼花。。。得慢慢梳理

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9#
发表于 2020-4-22 00:10 | 只看该作者
来学习了

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