<PCB立体布线的不连续分析>文章的重仿真与使用wave port的问题

mengzhuhao

<PCB立体布线的不连续分析>文章的重仿真与使用wave port的问题
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按照<PCB立体布线的不连续分析>这篇问题提供的步骤，完成了S参数的扫描；根据HFSS13.01的仿真结果对比，在频率点上稍有差异，具体看所附图片显示（工程文件名叫LUMPER_PORT），大致的趋势与教程中一致
1 n4 `; U7 k  E% `
$ f7 `* P' c6 E, ^' F" Y6 j2 f" R$ t在此例子完成仿真后，另新建的一个工程WAVE_PORT，改变了原来外部真空腔体的结构，使得腔体的前后面与所画的微带结构的界面重叠在一起，以便使用wave port设置

有一个问题是：使用wave port设置，积分线的设置是按沿着真空腔体划一条腔体宽度的箭头么？
& g4 D& G) w6 X

  t. {; |5 k, m2 e教程中的结果：

7 p3 }5 `+ q. Z- M# M: b* Z
: R  q, S2 W% `- t4 y5 g
. ~" v7 m0 T& k0 B+ n" P7 ?5 h% ^: q按照教程仿真出的结果：
1 D5 Z0 z5 H' N9 [1 e

使用wave port的图：

mengzhuhao

工程文件与教程资料
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mengzhuhao

哪位兄弟讲讲WAVE_PORT应该怎么设置才能跟LUMPER_PORT仿真出的结果是一致的？

在这些不同端口的设置上，边界设置是否也存在一些需要注意的地方？

4 _: c5 ~! n5 B2 R- e0 W# K/ N像理想导体边界，理想磁边界，辐射边界，有限导体边界等这些在实际设计的过程有那些注意的地方呢？

mengzhuhao

对比了几种波的设置：
+ c) N! W, W# {" ?1 R0 n
' o2 s' H) F, h+ o% |0 _) G设置成driven_terminal_wave_port

& X' \  @* _, }1 e  X( {
" a; X6 T5 P3 T
( Q: K, i" X2 l: O% ]1 _
设置成driven_modal_wave_port模式

! v6 j6 x/ r) e0 ?
在wave port的设置过程中发现，我将空气腔体设置成理想磁边界的时候得出的结果就与集中端口的结果接近了
( A. P- P# f% T, E% J
如何设置成辐射边界则得出错误的结果，不知为何？
3 Y4 Q7 q- e) r2 b* {
如果想看远场效果，在设置这些边界的时候应该注意什么？

* s* k6 d2 J1 L6 ^- l$ V' K" s下面是上面2个wave port的s11曲线拟合在一起的效果：
4 Y- J% m. P) ]9 w: v/ x4 i* _4 ]* s: d
2 ]9 g" Y5 v1 M1 m  _0 x0 H  P/ W红色的是LUMPER_PORT
7 a9 e; f5 m# k. s. ?0 K- {7 Z9 g蓝色的是driven_terminal_wave_port
紫色的是driven_modal_wave_port

: Y1 {8 t8 z2 K) q9 s

mengzhuhao

从此图如何看出S12性能差？