MOSFET的失效模式

qian211111

今天发现了一个困扰我很久的问题. 顺便和大家讨论一下mosfet的失效模式
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& i+ c+ a  Q' U3 l& _$ g先说我的发现    我用的是一个光电mos,AQZ102是松下的产品  功能就是  光电端导通,后面的mosfet导通  这款是单向的  所以ds端寄生有二极管.  我在实验的时候很不幸流过了反向的电流导致寄生二极管烧毁   出现的直接后果是  此光电mos管  无论光电端给什么信号, mos的ds端无法再导通了.   
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我的疑问:  mosfet在这种情况下是如何失效的,寄生二极管毁掉了,为什么就变成开路失效了.
5 u* g5 R/ z; y                而以前使用的mosfet烧掉的情况大多是高电压击穿和过电流  这种情况下失效情况确实短路!!!
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请感兴趣的朋友给点看法,共同讨论
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like_22you

烧坏的现象有多种，断、短路，及性能劣化。
4 y6 ^0 f% P9 e& L5 Y8 b* B7 w你看一下MOS管的生产工艺就知道，它的二极管是寄生的，并不是有意加上去的。

nocturne

烧坏之后的状态一般是不可控，除非用特殊工艺制造。
既然这个“实效模式”对你很重要。你就应该想办法不让它烧坏，或者把烧坏的几率降到最低。

qian211111

like_22you 发表于 2023-2-17 14:27
烧坏的现象有多种，断、短路，及性能劣化。
你看一下MOS管的生产工艺就知道，它的二极管是寄生的，并不是 ...

是失效模式
( s, B1 ~+ r. \我在选用的时候注意了这一点，设计选型的时候留了足够多的余量。
温升一般怎么控制呢？
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