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关于电容存储器的读写问题

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1#
发表于 2023-1-7 13:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电容充不冲电为写入,这个好理解。
" v4 G: c8 |' z. v2 z. g但是不知道读取的时候电容是不是放电,如果是放电需不需要读取之后再花一次频率去重新写入来保持数据原来的状态?2 X& x0 G1 C8 O
如果不是放电那是怎么样的呢?
8 {( Q. L8 c& h* S& g这里问的是电容存储方式不是磁性什么的存储方式。. Y6 @, w0 g' y/ @
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2023-1-7 14:53 | 只看该作者
    s是的,所以有固态硬盘长时间不通电丢数据的说法,材料存在自漏电
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:21
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2023-1-7 15:39 | 只看该作者
    这个是DRAM的存储方式,写入时是充电,因为电容有自放电,所以要定期刷新(就是写)。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-1-21 15:15
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2023-1-7 15:47 | 只看该作者
    无论你读不读,它都一定会放电的。只是放电时间有长短。' y8 F% m, e4 A: ^6 b, f
    只要即时给它补充电荷,使之不会影响1/0的表达,就可以了。  G4 [9 D: V" ^& i+ X0 [
    电容式的存储器,会有自己的一套补电措施。
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